横山FIRST活動サマリ
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16横山 直樹産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター連携研究体長、富士通研究所 顧問超低消費電力LSIの基盤技術を開発 情報通信技術(ICT)関連の消費電力が増大している。このまま対処しなければ、2025年には日本の総電力消費量の20%をICT機器が占めると予想されている。 ICT機器の代表であるサーバーが消費する電力の内訳を見ると、中央演算処理装置(CPU)と主記憶で全体の50%を占めている。つまり、ICT機器の消費電力を削減するためには、CPUやメモリを構成している大規模集積回路(LSI)の消費電力を下げる必要がある。 そこで、新しく創設された産業技術総合研究所の連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンターで、内閣府最先端研究開発支援プロジェクト(FIRST)での課題「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」に取り組んだ。三つのサブテーマ 最終目標は、LSIの消費電力を従来の100分の1にすること。すなわち、LSIの動作電圧は現在約1Vであるが、これを0.4V未満にすると消費電力は10分の1に、0.2V未満にすると100分の1になる。 トランジスタの低電圧動作は、半導体の微細化技術を使うが、半導体の微細化に伴い、LSI内部の銅の配線抵抗率が増大する課題がある。この課題も解決しなければならない。さらに、LSIのバックエンドデバイスとしてのメモリの低消費図1 研究課題サブテーマと達成目標Naoki Yokoyama中心研究者総括

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