横山FIRST活動サマリ
26/68

低電圧動作CMOSバックエンドデバイスナノカーボン材料の開発と応用26CNTの合成によるトランジスタ作製を狙う単層カーボンナノチューブ(CNT)膜の産業化を進める研究に取り組んでいる畠グループリーダーは、CNTの半導体としての性質をトランジスタに利用する方法について研究している。研究チームは畠氏と桜井俊介研究員の2人と小規模だが、98%以上の半導体CNTが細長くゆっくりと成長する方法などを開発した。  CNTトランジスタの研究の狙いは二つある。一つは将来、シリコン(Si)の微細化が10nmを切るためには限界があり、その代わりにCNTを使う可能性が高くなる。10nmはちょうどCNT10本分程度の幅になり、CNTを半導体として使う応用である。CNTトランジスタは理論的にはキャリヤ移動度が高く、流せる電流密度がSiの4倍も高い。 もう一つは、長さが数μmの細長いCNTを、数十μmのソース―ドレイン間に散在させてチャネルをつくったフレキシブルデバイスである。 CNTがグラフェンに比べて優れている点は、グラフェンにはエネルギーバンドギャップが存在しないのに対して、CNTにはバンドギャップがある点だ。1eV程度までのバンドギャップは存在する。ナノチューブの直径が小さいほど、バンドギャップは広がる傾向がある。このため、小さな直径のCNTを製作することで、半導体としての性質を利用できる。 研究を担当する桜井俊介主任研究員CNTの合成とデバイス応用GNC以外にもプロジェクトを担当しており、ほかの研究者との交流は盛んだSynthesis and device application of CNT

元のページ 

10秒後に元のページに移動します

※このページを正しく表示するにはFlashPlayer10.2以上が必要です