横山FIRST活動サマリ
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市民に対するアウトリーチ活動開催期間実施事業者標   題実施内容実施場所 (配布先)成果 (参加者数等)2014/2/28-3/1博報堂FIRST EXPO 2014GNCの研究活動を、講演・パネル・パンフレットで紹介ベルサール新宿グランド2014年2月10日日経BPコンサルティングFIRST研究成果ビジネスマッチングシンポジウム in 京都GNCの研究活動を、パネルおよびパンフレットで紹介きらっ都プラザ 京都産業会館2014年1月22日日経BPコンサルティングFIRST研究成果ビジネスマッチングシンポジウム in 仙台GNCの研究活動を、パネルおよびパンフレットで紹介宮城野区文化センター200人2013年12月16日つくばイノベーションアリーナナノテクノロジー拠点運営最高会議第4回つくばイノベーションアリーナ(TIA-nano)公開シンポジウムGNCの研究活動を、パネルおよびパンフレットで紹介イイノホール&カンファレンスセンター(500人)275人2013年7月23日日本学術振興会Si 系半導体ロードマップ臼田研究員が、ナノプローブテクノロジー第167委員会で講演慶応大学日吉キャンパス90名2013年6月27日、28日つくばイノベーションアリーナナノテクノロジー拠点運営最高会議TIA-nano ワークショップGNCの研究活動を、講演・パネル・パンフレットで紹介産総研TIA連携棟250名2013年5月丸善出版結晶欠陥によるグラフェンの絶縁体化と電気伝導のゲート電圧制御中払周研究員が解説記事を寄稿パリティ 2013年5月号2013年5月技術情報協会新しいグラフェントランジスタの動作原理とその応用中払周研究員が解説記事を寄稿MATERIAL STAGE 2013年5月号2012年10月25日、26日産業技術総合研究所産総研オープンラボGNCの研究活動内容をパネルおよびパンフレットで紹介産総研つくばセンター4750名2012年10月日本表面科学会グラフェン/SiO2基板相互作用に対する理解と制御研究委託先の東大長汐准教授が、表面科学会誌に解説記事を掲載表面科学, 33, 552 (2012)2012年7月19日産業技術総合研究所第3回つくばイノベーションアリーナ公開シンポジウムGNCの研究活動内容をパネル展示一橋講堂358名2012年6月1日産業技術総合研究所非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果産総研広報誌に、巨大磁気抵抗効果についての解説記事を掲載産総研TODAY vol.12(2012) no.6 pp.21発行数2000部2012年4月1日電子情報通信学会グラフェンFETの界面に対する理解と制御研究委託先の東大長汐准教授が、電子情報通信学会誌に解説記事を掲載電子情報通信学会誌, 95, 284 (2012)2012年1月応用物理学会グリーン・ナノエレクトロニクス横山体長が、応用物理学会誌新年号に巻頭言を寄稿「応用物理」第81巻 第1号(2012年1月号)巻頭言2011年12月18日科学技術振興機構環境に優しいエレクトロニクスの構築FIRST サイエンスフォーラム2にて横山体長が高校生向けに講演京都450名2011年12月7日産業技術総合研究所Development of core technologies for green nanoelectronicsInternatinal Symposium on SiC Power Electronics にて横山体長が講演名古屋約300名2011年11月25日産業技術総合研究所第2回つくばイノベーションアリーナ公開シンポジウム -動き出したオープンイノベーションハブ-横山体長および金山理事により、GNCの活動と研究成果を示す講演を行い、またポスターを展示した。芝浦工業大学 豊洲キャンパス約350名2011年10月13日産業技術総合研究所グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発産総研オープンラボにて、横山体長が講演産総研つくばセンター約100名2011年5月技術情報協会グラフェンの低電圧・低消費電力LSI用マテリアルへの応用 月刊MATERIAL STAGEの特集「グラフェンの実務的な視点での開発トレンド」へ解説記事を寄稿MATERIAL STAGE 2011年5月号 pp.65-682011年4月18日産業競争力懇談会つくばイノベーションアリーナ(TIA)における先端研究開発COCNフォーラム2011において、横山体長が講演大手町産経プラザ約350人2011年2月、3月科学技術振興機構環境に優しいエレクトロニクスの構築FIRSTサイエンスフォーラムパンフレット「世界のトップを目指す最先端研究30の紹介」に横山体長の研究内容を掲載東京・大阪・京都約900部配布2010年12月2日応用物理学会半導体テクノロジーの最先端SEMICON Japan2010にて開催された特別シンポジウムにて、横山体長が講演幕張メッセ約120名2010年8月5日~7日筑波大学つくばナノテク産学独連携人材育成プログラム・シンポジウム専門講師として4人を派遣筑波大学1講演あたり聴講者約100名2010年7月24日産業技術総合研究所産総研つくばセンター 一般公開GNCの概要を説明するポスターを展示産総研つくばセンター参加者数約5250名2010年6月30日産業技術総合研究所第一回つくばイノベーションアリーナ(TIA)公開シンポジウムGNCの概要を説明する講演、およびポスター展示を実施経団連会館2階 国際会議場参加者数約400名プレスリリース見出し発表年月日半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功2014年2月12日多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功2013年12月12日カーボンナノチューブ・インプラントによる新たな配線作製技術を開発2013年12月11日20nm幅高性能グラフェン微細配線を開発2013年12月11日InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発2013年12月10日多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発2013年6月17日大幅な性能向上が期待できる新たな構造のトンネルFET2013年6月10日3次元積層集積回路のための多結晶ゲルマニウムトランジスタ2013年6月10日GeとInGaAsを用いたCMOSインバーターの動作を実証2013年6月10日チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功2012年12月12日新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発2012年12月11日グラフェンの新しい伝導制御技術を開発2012年9月25日トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発2012年9月25日高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現2012年6月11日相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現2011年10月14日図書著者名書  名出版社名発行佐藤信太郎、中払周、長汐晃輔、他グラフェンの機能と応用展望 IIシーエムシー出版2012年12月長汐晃輔、 鳥海明グラフェンの最先端技術と拡がる応用 第4章2.「グラフェン/金属コンタクトの理解と制御」フロンティア出版2012年7月D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, A.Ogura"Advanced Aspects of Spectroscopy" Chapter 9 "Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectroscopy"InTech2012年8月29日65

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