バックエンドデバイス

次世代メモリとして盛んに研究されている相変化メモリは、データの書き換え動作に、材料を結晶⇔アモルファスと相変化させるため、大きな電力を必要とします。我々はGeSbTeという材料において、Ge原子の配位数を変えるだけの小さな電力で動作する、新たな相変化記録方式を提案しており、GeTe/Sb2Te3超格子構造において、従来材料の1/10の電力で動作することを実証しました。またこの超格子構造では、磁場の有無で電気抵抗が2000%も変化するという、室温では世界最大の磁気抵抗効果も見出されており、これはトポロジカル絶縁体という新奇な物性に起因すると考えられます。
今後更に低い電力で動作する材料の発掘と、新奇な物性の基礎の確立及び応用研究を続けてまいります。