研究成果

公開特許

産業財産権の出願(出願中で未登録)

番号 概 要
19 名称 半導体記憶装置およびその製造方法
発明者 森川 貴博、新谷 俊通
権利者 産総研 種類、番号 US-2013-0221310-A1
出願年月日 H25.2.22 国内外の別 国外(米国)
18 名称 抵抗変化メモリ
発明者 中野 美尚
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-197172
出願年月日 H24.3.16 国内外の別 国内
17 名称 スピン電子メモリ及びスピン電子回路
発明者 富永 淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul
権利者 産総研 種類、番号 (公開)201336051
出願年月日 H24.11.28 国内外の別 国外(台湾)
16 名称 スピン電子メモリ及びスピン電子回路
発明者 富永 淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul
権利者 産総研 種類、番号 WO2013/125101
出願年月日 H24.11.2 国内外の別 国外(PCT)
15 名称 素子形成用基板及びその製造方法
発明者 池田 圭司
権利者 産総研 種類、番号 (公開)201330272
出願年月日 H24.11.15 国内外の別 国外(台湾)
14 名称 半導体装置およびその製造方法
発明者 小池 正浩、上牟田 雄一、手塚 勉
権利者 産総研 種類、番号 (公開)201330272
出願年月日 H24.11.22 国内外の別 国外(台湾)
13 名称 相変化メモリ
発明者 新谷 俊通、小高 貴浩、森川 貴博
権利者 産総研 種類、番号 US-2013-0048938-A1
出願年月日 2012.8.20 国内外の別 国外(米国)
12 名称 電子装置
発明者 原田 直樹、佐藤 信太郎
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-046028
出願年月日 H23.8.26 国内外の別 国内
11 名称 相変化メモリ
発明者 新谷 俊通、小高 貴浩、森川 貴博
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-045954
出願年月日 H23.8.25 国内外の別 国内
10 名称 不揮発性半導体記憶装置
発明者 小高 貴浩、新谷 俊通、森川 貴博
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-045892
出願年月日 H23.8.24 国内外の別 国内
9 名称 グラフェンの合成方法並びに半導体装置及びその製造方法
発明者 近藤 大雄
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-021149
出願年月日 H23.7.12 国内外の別 国内
8 名称 化合物半導体装置の製造方法
発明者 入沢 寿史、小田 穣、手塚 勉
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-008832
出願年月日 H23.6.24 国内外の別 国内
7 名称 グラフェンリボンの製造方法
発明者 林 賢二郎
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-006742
出願年月日 H23.6.24 国内外の別 国内
6 名称 半導体装置及びその製造方法
発明者 中払 周
権利者 産総研 種類、番号 特開2013-004718
出願年月日 H23.6.16 国内外の別 国内
5 名称 炭素膜の形成装置、及び炭素膜の形成方法
発明者 中野 美尚
権利者 産業技術総合研究所 種類、番号 特開2012-246193
出願年月日 H23.5.30 国内外の別 国内
4 名称 電子デバイス及びその製造方法
発明者 佐藤 信太郎
権利者 産業技術総合研究所 種類、番号 特開2012-212877
出願年月日 H24.3.16 国内外の別 国内
3 名称 トンネルトランジスタの製造方法
発明者 森 貴洋、堀川 剛
権利者 産業技術総合研究所 種類、番号 特開2012-204583
出願年月日 H23.3.25 国内外の別 国内
2 名称 固体メモリ
発明者 富永淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul、新谷俊通、小高貴浩、森川貴博
権利者 産業技術総合研究所 種類、番号 特開2012-182242
出願年月日 H23.2.28 国内外の別 国内
1 名称 固体メモリ
発明者 富永淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul、新谷俊通、小高貴浩、森川貴博
権利者 産業技術総合研究所 種類、番号 WO2012/117773A1
出願年月日 H24.1.25 国内外の別 国外 (PCT)

産業財産権の出願(登録済み)

番号 名称 発明者 権利者 種類、番号 出願年月日 国内外の別