研究成果

平成22年度

平成22年度における研究の実施状況

産業界22名、産総研28名からなる研究チームを発足させるとともに、7大学、2公的研究機関との共同研究体制を構築した。産業界が使用していた設備と産総研所有設備との融合・一体化をはかり、研究環境を整備した。震災により装置稼動停止となったが、復興作業を進めている。

「低電圧動作CMOS」では、III-Vチャネルトランジスタ試作のための環境立ち上げと、要素プロセス技術の開発を行った。ALDによるhigh-kゲート絶縁膜の製膜を開始するとともに、超薄膜・低抵抗なNi-InGaAs合金コンタクト層を開発した。新原理動作デバイスの候補であるTFETにつき、ソース・ドレインの不純物プロファイルの急峻性が、低電圧動作化のための鍵となる事が分かった。新原理構造のIMOSを提案し、低電圧特性を得るためのデバイス構造を明らかにした。

「ナノカーボン材料の開発と応用」では、CNT成長前に触媒塗布した基板へ微少量の水分を曝露させることにより、半導体CNTが選択的に成長することが示唆された。単層/数層のグラフェンを安定的に形成する手法として銅触媒の使用がほぼ必須である事、グラフェンの真空アニールが特性向上に役立つこと、自然酸化されたアルミの蒸着膜、酸化シリコンの蒸着膜がグラフェンの保護膜と成りえる事が分かった。CNT縦方向配線を利用したReRAMを試作して不揮発性スイッチング動作を確認した。

「バックエンドデバイス」第一原理計算によって二種類の新奇相変化材料を発見するとともに、従来の相変化材料に比較して1/10以下の動作電流を確認した。相変化CVD計算は、気相状態での原料のダイマー・ラジカル生成の可能性まで考慮し、各反応のエネルギーレベルを算出した。新材料向けシステム検討については、印加電圧パルス制御によって高速化・多値化の可能性を見出した。

収支状況の概要

(単位:円)
助成金の受領状況(累計) 合計 経費A 経費B 経費C
(1)交付決定額 4,583,000,000 3,850,000,000 156,000,000 577,000,000
(2)既受領額(前年度迄の累計) 502,000,000 400,000,000 20,000,000 82,000,000
(3)当該年度受領額 802,000,000 700,000,000 20,000,000 82,000,000
(4)(=(1)-(2)-(3))未受領額(累計) 3,279,000,000 2,750,000,000 116,000,000 413,000,000
(5)既返納額(前年度迄の累計) 0 0 0 0
(単位:円)
当該年度の収支状況 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費A (1)収入 1,100,000,000 512,500,000 13,230,000 188,310,000 385,960,000
(2)執行額 539,505,715 112,829,915 6,770,219 146,866,735 273,038,846
(3)(=(1)-(2))未執行額 560,494,285 399,670,085 6,459,781 41,443,265 112,921,154
経費B (1)収入 40,000,000 4,000,000 4,000,000 22,000,000 10,000,000
(2)執行額 29,881,121 3,384,712 422,640 21,755,423 4,298,346
(3)(=(1)-(2))未執行額 10,118,879 615,288 3,577,360 224,577 5,701,654
経費C (1)収入 164,000,000
(2)執行額 164,000,000
(3)(=(1)-(2))未執行額 0
総収入(経費A+B+Cの(1)の合計) 1,304,000,000
総執行額(経費A+B+Cの(2)の合計) 733,386,836
総未執行額(経費A+B+Cの(3)の合計) 570,613,164
(単位:円)
当該年度返納額 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費Aにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Bにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Cにおける返納額 0
総返納額 0