研究成果

平成23年度

平成23年度における研究の実施状況

低電圧動作CMOS

III-V CMOSに関し、Ni合金メタルSDコンタクトプロセス開発を行うとともに、Al2O3/HfO2積層ゲート絶縁膜を用い、十分薄いEOTと低界面準位密度を両立させた。Ge-CMOSに関しNiGe/Geコンタクト抵抗の低減や、high-k/GeO2界面層等の改善と並行し、Si基板上に、立体チャネル・完全空乏型のGeナノワイヤp-FETを実現、高い正孔移動度・電流値を達成した。新動作原理CMOSでは、従来CMOSスイッチング急峻性理論限界を凌駕するTFET(SS=33mV/dec)の開発に成功した。各テーマ計画通りに進んでいる。

ナノカーボン材料の開発と応用

水分と水素の量を制御することにより半導体CNTの選択成長が可能である事を示すとともに、グラフェン成長では、300mmシリコン基板上で単層グラフェンの合成を実現、電子・正孔とも3000cm2/Vs程度の移動度が得られるようになった。デバイス応用では、リーク電流を低減するためのP-I-N接合デバイスを世界で初めて提案し、米国物理学会のプレス会議に招待されるなど、それぞれ世界をリードする成果を出している。配線応用では、従来CNT膜比10倍となる高密度CNT(1.4g/cm3)を実現、排熱応用の研究開発も開始した。

バックエンドデバイス

第一原理計算によりSnTe、HfTe2を用いた超格子相変化新材料が低消費電力化に有望である事を見出すとともに、超格子材料GeTe/Sb2Te3がトポロジカル絶縁性を示し、室温において世界最高となる巨大磁気抵抗値2000%を示すこと発見した。本サブテーマの研究は2011年度で終了予定であったが、これら想定外の成果を発展させるため2012年度以降も継続する事とした。ナノカーボングループとの連携を強化し、グラフェンと超格子相変化材料の組み合わせによる新物性発現の研究も開始した。

収支状況の概要

(単位:円)
助成金の受領状況(累計) 合計 経費A 経費B 経費C
(1)交付決定額 4,583,000,000 3,850,000,000 156,000,000 577,000,000
(2)既受領額(前年度迄の累計) 1,304,000,000 1,100,000,000 40,000,000 164,000,000
(3)当該年度受領額 1,087,000,000 910,000,000 39,000,000 138,000,000
(4)(=(1)-(2)-(3))未受領額(累計) 2,192,000,000 1,840,000,000 77,000,000 275,000,000
(5)既返納額(前年度迄の累計) 0 0 0 0
(単位:円)
当該年度の収支状況 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費A (1)収入 1,470,494,285 619,410,085 22,219,781 384,113,265 444,751,154
(2)執行額 1,267,163,844 591,251,397 21,804,939 256,362,986 397,744,522
(3)(=(1)-(2))未執行額 203,330,441 28,158,688 414,842 127,750,279 47,006,632
経費B (1)収入 49,121,029 3,615,288 6,579,510 23,224,577 15,701,654
(2)執行額 38,580,104 1,395,245 475,681 27,261,107 9,448,071
(3)(=(1)-(2))未執行額 10,540,925 2,220,043 6,103,829 -4,036,530 6,253,583
経費C (1)収入 138,000,000
(2)執行額 138,000,000
(3)(=(1)-(2))未執行額 0
総収入(経費A+B+Cの(1)の合計) 1,657,615,314
総執行額(経費A+B+Cの(2)の合計) 1,443,743,948
総未執行額(経費A+B+Cの(3)の合計) 213,871,366
(単位:円)
当該年度返納額 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費Aにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Bにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Cにおける返納額 0
総返納額 0