研究成果

平成24年度

平成24年度における研究の実施状況

低電圧動作CMOS

GeナノワイヤpMOSFETの特性改善を進めた結果、ゲート長45 nmでオン電流800 μA/μmが得られ、電流値に関する最終目標値を達成した。世界で初めて、Ge-pMOSFETとInGaAs-nMOSFETを積層したCMOSインバーターを試作し、電源電圧1 Vから0.2 Vの範囲で正常な伝達特性を確認した。最終目標である0.4 V未満動作のCMOS実証に道筋をつけた。0.2 V未満動作CMOSを狙ったSi系新構造TFETを開発し、従来構造比で10倍以上のオン電流増大の実証に成功するとともに、TFETのSPICE用コンパクトモデルを開発し、精密なTFETのLSI回路アプリケーションの探索を可能とした。

ナノカーボン材料の開発と応用

グラフェン配線層に異種分子をドーピングする技術を開発し、抵抗値として銅に匹敵する4.8 μΩcmが得られ、ほぼ最終目標値を達成した。トランジスタ用グラフェン高品質化を進めた結果、6,000 cm2/Vsの移動度が得られ年度の目標を達成した。グラフェンにヘリウムイオンを照射することにより、トランスポートギャップを形成できることを世界で初めて見出し、室温でオン・オフ比2桁のグラフェンFETの試作に成功した。高品質で長尺のCNTを成長する技術を開発し、TIM材料として熱伝導改善効果があることを実証し企業事業部との連携を深めた。

バックエンドデバイス

SnxTe100-x/Sb2Te3超格子相変化材料のx値の低減によって従来材料の1/1500の消費電力を実現、最終目標値を一年前倒しで達成した。今後高信頼化をめざす。GeTe/Sb2Te3 系超格子相変化薄膜のバンド構造を第一原理計算で調べた結果、Γ点にシングルのディラックコーンを持つ非自明なトポロジカル絶縁体であることがわかるとともに、電場によるわずかなGe原子の移動でディラックコーンが壊れバンドギャップが現れると共に、スピン縮退が解けRashba効果が出現することが確かめられ、これが巨大磁気抵抗効果を発現させる原因であることが明らかとなった。

収支状況の概要

(単位:円)
助成金の受領状況(累計) 合計 経費A 経費B 経費C
(1)交付決定額 4,583,000,000 3,850,000,000 156,000,000 577,000,000
(2)既受領額(前年度迄の累計) 2,391,000,000 2,010,000,000 79,000,000 302,000,000
(3)当該年度受領額 1,217,000,000 1,040,000,000 39,000,000 138,000,000
(4)(=(1)-(2)-(3))未受領額(累計) 975,000,000 800,000,000 38,000,000 137,000,000
(5)既返納額(前年度迄の累計) 0 0 0 0
(単位:円)
当該年度の収支状況 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費A (1)収入 1,243,341,030 278,158,688 30,425,431 397,750,279 537,006,632
(2)執行額 1,005,829,907 329,450,956 28,678,852 255,236,969 392,463,130
(3)(=(1)-(2))未執行額 237,511,123 -51,292,268 1,746,579 142,513,310 144,543,502
経費B (1)収入 49,542,055 5,220,043 9,104,959 18,963,470 16,253,583
(2)執行額 45,897,578 542,646 335,270 27,307,240 17,712,422
(3)(=(1)-(2))未執行額 3,644,477 4,677,397 8,769,689 -8,343,770 -1,458,839
経費C (1)収入 138,000,000
(2)執行額 138,000,000
(3)(=(1)-(2))未執行額 0
総収入(経費A+B+Cの(1)の合計) 1,430,883,085
総執行額(経費A+B+Cの(2)の合計) 1,189,727,485
総未執行額(経費A+B+Cの(3)の合計) 241,155,600
(単位:円)
当該年度返納額 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費Aにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Bにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Cにおける返納額 0
総返納額 0