研究成果

平成25年度

平成25年度における研究の実施状況

低電圧動作CMOS

InGaAs-nMOSFETとGe-pMOSFETにおいて、0.4 V未満動作で、45 nm世代のSi MOSFETと同等の真性遅延時間を持たせるための移動度とSS値を両立して得ることに成功した。SiGe-OIとInGaAs-OIトランジスタによるインバーター動作を、電源電圧0.2 Vまで確認した。Si系としては世界最高のオン電流と、世界最高のオン電流/オフ電流比を持つTFETの開発に成功、デバイスシミュレーションにより、さらなるEOTの低減により、0.2 V未満動作が可能であることを示した。

ナノカーボン材料の開発と応用

多層グラフェン層に異種分子をドーピングする技術を開発し、8 nm線幅のグラフェン配線において、微細Cu配線よりも低い抵抗率(3.2 μΩcm)を得ることに成功した。CNTビアとグラフェン配線の接続部を選択的に電子線照射することにより、低抵抗3次元配線を実現した。2層グラフェンに対し分子ドーピングによりバンドギャップが形成できることを確認、移動度として2500 cm²/Vsと良好な値が得られた。CNTをTIMとして実装実験を行い、InをTIM材料とする従来法と比べて、熱抵抗を49.6%低減できることがわかった。

バックエンドデバイス

SnTe/Sb2Te3超格子相変化材料の積層サイクル数を低減することにより、消費電力を1/10000に削減することができた。窒素をドープしたGeTe/Sb2Te3超格子において、消費電力が1/100で、セット化温度が従来の合金材料よりも40℃程度高くなることがわかった。GeTe/Sb2Te3超格子において、GeTe層の厚みを最適化することにより、ディラック半金属になり、巨大磁気抵抗が発生することがわかった。SET状態では、空間反転対称性が失われているため、磁気メモリ効果も発現することがわかった。

収支状況の概要

(単位:円)
助成金の受領状況(累計) 合計 経費A 経費B 経費C
(1)交付決定額 4,583,000,000 3,850,000,000 156,000,000 577,000,000
(2)既受領額(前年度迄の累計) 3,608,000,000 3,050,000,000 118,000,000 440,000,000
(3)当該年度受領額 975,000,000 800,000,000 38,000,000 137,000,000
(4)(=(1)-(2)-(3))未受領額(累計) 0 0 0 0
(5)既返納額(前年度迄の累計) 0 0 0 0
(単位:円)
当該年度の収支状況 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費A (1)収入 1,037,511,123 148,707,732 26,746,579 412,513,310 449,543,502
(2)執行額 1,037,499,504 194,177,207 25,681,515 244,143,465 573,497,317
(3)(=(1)-(2))未執行額 11,619 -45,469,475 1,065,064 168,369,845 -123,953,815
経費B (1)収入 41,644,477 6,177,397 11,769,689 18,656,230 5,041,161
(2)執行額 41,336,742 397,310 506,110 27,462,098 12,971,224
(3)(=(1)-(2))未執行額 307,735 5,780,087 11,263,579 -8,805,868 -7,930,063
経費C (1)収入 137,000,000
(2)執行額 137,000,000
(3)(=(1)-(2))未執行額 0
総収入(経費A+B+Cの(1)の合計) 1,216,155,600
総執行額(経費A+B+Cの(2)の合計) 1,215,836,246
総未執行額(経費A+B+Cの(3)の合計) 319,354
(単位:円)
当該年度返納額 合計 物品費 旅費 謝金・人件費等 その他
経費Aにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Bにおける返納額 0 0 0 0 0
経費Cにおける返納額 0
総返納額 0