研究成果

学会発表 2014年度(予定)

番号 概要
招待講演
発表者 K. Ikeda, Y. Kamimuta, Y. Moriyama, M. Ono, K. Usuda, M. Oda, T. Irisawa, D. Kosemura*, A. Ogura* and T. Tezuka
タイトル Mobility Enhancement of Uniaxially Strained Germanium Nanowire MOSFETs
学会名 2014 SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium
主催者 Electrochemical society
開催日,場所 2014/10/5, Cancun, Mexico
招待講演
発表者 T.Tezuka, K.Ikeda, Y.Kamata, Y.Kamimuta, K.Usuda, Y.Moriyama, M.Ono, M.Koike, M.Oda, T.Irisawa, K.Furuse, E.Kurosawa
タイトル Ge-on-insulator MOSFETs for high-performance and 3D-LSI applications
学会名 2014 SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium
主催者 Electrochemical society
開催日,場所 2014.10.5, Cancun, Mexico
発表者 富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
タイトル EBSP法を用いた微細構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布の応力評価
学会名 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.9.17, 札幌
発表者 山本章太郎、小瀬村 大亮、富田基裕、臼田宏治、小椋厚志
タイトル 全Ge濃度に渡るSiGexのフォノン変形ポテンシャル決定
学会名 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.9.17, 札幌
発表者 臼田宏治, 鎌田善己, 上牟田雄一, 森 貴洋, 小池正浩, 手塚 勉
タイトル FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Geジャンクションレスp-/n-MOSFETの実証
学会名 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.9.17, 札幌
招待講演
発表者 Shintaro Sato
タイトル Synthesis of multi-layer graphene and its application to LSI interconnects
学会名 International Conference on Diamond and Carbon Materials
主催者 ELSEVIER
開催日,場所 2014.9.7, Madrid, Spain
発表者 K.Yoshida, Y.Nakamura, S.Takeuchi, Y.Moriyama, T.Tezuka, A.Sakai
タイトル Electrical properties of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates with Al2O3/SiO2 buried oxide
学会名 The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
主催者 MRS-Japan
開催日,場所 2014.8.24, Fukuoka
発表者 D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
タイトル Universal curve of phonon deformation potentials on Ge concentration for SiGex
学会名 25th International Conference on Raman Spectroscopy (ICORS 2014)
主催者
開催日,場所 2014.8.12, イエナ/ドイツ
発表者 M.Tomita, D.Kosemura, K.Usuda, T. Tezuka, and A.Ogura
タイトル Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained SiGe Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy
学会名 25th International Conference on Raman Spectroscopy (ICORS 2014)
主催者
開催日,場所 2014.8.12, イエナ/ドイツ
発表者 Design Guidelines of Steep Subthreshold TFET to Minimize Energy of Logic Circuits
タイトル 更田 裕司、吉岡 和顕、福田 浩一、森 貴洋、太田 裕之、高宮 真、桜井 貴康
学会名 The International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
主催者 The organizing committee of ISLPED
開催日,場所 2014.8.11, California, USA
招待講演
発表者 Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K.Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, and T. Tezuka
タイトル Growth process for high performance of InGaAs MOSFETs
学会名 2014 DRC
主催者 IEEE
開催日,場所 2014.6.22, Santa Barbara, USA
発表者 森 貴洋、森田 行則、宮田 典幸、右田 真司、福田 浩一、昌原 明植、安田 哲二、太田 裕之
タイトル Band-to-Band Tunneling Current Enhancement Utilizing Isoelectronic Trap and its Application to TFETs
学会名 2014 VLSI symposia on technology and circuits
主催者 IEEE and JSAP
開催日,場所 2014.6.9, Honolulu, USA
招待講演
発表者 K.Ikeda, Y.Kamimuta, Y.Moriyama, M.Ono, M.Oda, T.Irisawa, T.Tezuka
タイトル Strained Germanium Nanowire MOSFETs
学会名 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
主催者 ISTDM commitee
開催日,場所 2014.6.2, シンガポール
招待講演
発表者 Y.Moriyama, Y.Kamimuta, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, Y. Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル Improvement of Current Drive of Ge-nMISFETs by Epitaxially Grown n+-Ge:P Source and Drain
学会名 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
主催者 ISTDM commitee
開催日,場所 2014.6.2, シンガポール
発表者 S.Yamamoto, D.Kosemura, Siti Norhidayah binti Che Mohd Yusoff,T.Kijima, R.Imai, K.Usuda, and A.Ogura
タイトル Excitations of LO/TO Phonons in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy
学会名 225th ECS Meeting
主催者 Electrochemical society
開催日,場所 2014.5.14, オーランド/アメリカ
招待講演
発表者 K.Ikeda, Y.Kamimuta, Y.Moriyama, M.Ono, M.Oda, T.Irisawa, T.Tezuka
タイトル Strained Germanium Nanowire MOSFET with Low-Parasitic Resistance Metal Source/Drain
学会名 225th ECS Meeting
主催者 Electrochemical society
開催日,場所 2014.5.11, オーランド/アメリカ
発表者 T.Maeda, Y.Kamimuta, Y.Moriyama, E.Mieda, W.Jevasuwan, Y.Kurashima, H.Takagi, M.Oda, T.Irisawa, K.Ikeda, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル Fabrication and demonstration of high performance tensile-strained GeOI nMOSFETs
学会名 2014 MRS Spring Meeting & Exhibit
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2014.4.21, San Francisco, USA

学会発表 2013年度

番号 概要
218 発表者 伊藤 正勝、富永 淳二、J.P.Fons
タイトル 薄膜におけるトポロジカル伝導状態の外部電場への応答:第一原理計算
学会名 日本物理学会 第69回年次大会
主催者 日本物理学会
開催日,場所 2014.3.27, 神奈川県平塚市
217 発表者 森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 合成電界効果によるフィン型トンネルFETの性能向上
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
216 発表者 中野 美尚、周 波、井 亜希子、近藤 大雄、林 賢二郎、高橋 慎、八木 克典、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル CVD成長多層グラフェンの20nm幅細線の作製と評価
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
215 発表者 森 貴洋、森田 行則、宮田 典幸、右田 真司、昌原 明植、安田 哲二、太田 裕之
タイトル 等電子トラップによるTFETのON電流増大の可能性検討
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
214 発表者 ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 宮田典幸, 小田穣, 入沢寿史, 手塚勉, 安田哲二
タイトル Ga2O3 and Al2O3 hybrid passivation for improving of HfO2/InGaAs MIS characteristics
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
213 発表者 右田 真司、森 貴洋、松川 貴、福田 浩一、森田 行則、水林 亘、田邊 顕人、遠藤 和彦、柳 永勛、大内 真一、昌原 明植、太田 裕之
タイトル Variation Behaviors of Tunnel-FETs and MOSFETs Compared on an SOI
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
212 発表者 黒澤昌志, 池上浩, 鎌田善己, 田岡紀之, 中塚理, 手塚勉4, 財満鎭明
タイトル 水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
211 発表者 吉田啓資,中村芳明,竹内正太郎,守山佳彦,池田圭司,上牟田雄一,手塚勉,酒井朗
タイトル Al2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
210 発表者 山本章太郎、小瀬村大亮、シティノルヒダヤー・ビンティ・チェ モハメドユソフ、木嶋隆浩、今井亮佑、臼田宏治、小椋厚志
タイトル 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
209 発表者 上牟田 雄一、守山 佳彦、三枝 栄子、前田 辰郎、Jevasuwan Wipakorn、高木 秀樹、小田 穣、入沢 寿史、池田 圭司、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル In-situ P doped SiGe ストレッサーを有する引張り歪みGeOI nMOSFET の高電流駆動力実証
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
208 発表者 富田 基裕、小瀬村 大亮、臼田 宏治、小椋 厚志
タイトル 超解像ラマン分光法による微細加工歪SiGe層に生じる応力緩和の高空間分解能2次元分布評価
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
207 発表者 池進一, 守山佳彦, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 今井康彦, 木村滋, 手塚勉, 財満鎭明
タイトル Ni/Snの熱処理によるGe(100)上へのエピタキシャルNiGe形成
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
206 発表者 小池 正浩、上牟田 雄一、守山 佳彦、鎌田 善己、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル Ni/Snの熱処理によるGe(100)上へのエピタキシャルNiGe形成
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
205 発表者 小池 正浩、上牟田 雄一、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル 二段階Pイオン注入による低コンタクト抵抗 (~3x10-8 Ωcm2) NiGe/n+Ge接合形成
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
204 発表者 入沢寿史, 小田 穣, 池田圭司, 守山佳彦, 三枝栄子, W.Jevasuwan, 前田辰郎, 市川 麿, 長田剛規, 秦 雅彦, 宮本恭幸, 手塚 勉
タイトル 高移動度(111)B面をチャネルに有する三角形状InGaAs-OI nMOSFET
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
203 発表者 小野 瑞城,手塚 勉
タイトル Ge及びIn0.53Ga0.47Asチャネル素子に於ける素子面積の低減
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
202 発表者 臼田宏治, 鎌田善己, 上牟田雄一, 森 貴洋, 小池正浩, 手塚 勉
タイトル FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
201 発表者 小田 穣, 入沢 寿史, 上牟田 雄一, W. Jevasuwan, 前田 辰郎, 市川 麿, 石原 敏雄, 長田 剛規, 手塚 勉
タイトル HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
200 発表者 守山 佳彦,上牟田 雄一, 鎌田 善己, 池田 圭司,竹内正太郎, 中村 芳明, 酒井 朗, 手塚 勉
タイトル Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
199 発表者 鎌田 善己,小池 正浩,上牟田 雄一,黒澤 悦男,手塚 勉
タイトル 単一金属ゲート電極を用いた多結晶ゲルマニウムノーマリーオフジャンクションレス p-&n-MISFETs
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
198 発表者 池田 圭司、守山 佳彦、上牟田 雄一、小野 瑞城、入沢 寿史、小田 穣、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル 1軸および2軸圧縮ひずみを有する(100)/〈100〉 GeOIチャネルメタルS/D pMOSFETの優位性実証
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
197 発表者 川端章夫、村上智、有井葵、二瓶瑞久、横山直樹
タイトル カーボンナノチューブサーマルインターフェイスマテリアルの開発
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
196 発表者 川邊 徹平、二瓶 瑞久、粟野 祐二
タイトル LSI 3次元実装のためのナノカーボンによる高放熱デバイスの数値解析
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
195 招待講演
発表者 佐藤 信太郎
タイトル ナノカーボンエレクトロニクスの現状と展望
学会名 第61回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.3.17, 神奈川県相模原市
194 招待講演
発表者 入沢 寿史、小田 穣、池田 圭司、守山 佳彦、三枝 栄子、ジェバスワン ウィパコーン、前田 辰郎、手塚 勉、市川 麿、長田 剛規、 秦 雅彦、宮本 恭幸
タイトル MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFET
学会名 電子デバイス研究会
主催者 電気学会
開催日,場所 2014.3.13, 日光
193 発表者 A. Takashima, Y. Izumi, E. Ikenaga, T. Ohkochi, M. Kotsugi, T. Matsushita, T. Muro, A. Kawabata, T. Murakami, M. Nihei, N. Yokoyama
タイトル Low-temperature catalyst activator: Mechanism study of CNT forest densification by “STEP” growth method using synchrotron radiation
学会名 第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
主催者 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
開催日,場所 2014.3.4, 東京
192 招待講演
発表者 S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Self-organizing graphene ribbon formation and electrical properties of graphene irradiated with He ions
学会名 IWEPNM2013
主催者 IWEPNM organizing committee
開催日,場所 2013.3.3, オーストリア・キルヒベルグ
191 発表者 S.Sakurai, M.Yamada, H.Nakamura, D.N.Futaba, K.Hata
タイトル Synthesis and transfer properties of single-walled carbon nanotubes array with semiconductor-type selectivity
学会名 The 46th Fullerenes-Nanotubes -Graphene General Symposium
主催者 The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society
開催日,場所 2014/3/3, Univ.Tokyo
190 発表者 A.Kawabata, T.Murakami, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル LSI Chip Package for Heat Removal using Carbon nanotube Thermal Interface Material
学会名 Materials for Advanced Metallization Conference 2014
主催者 Technische Universität Chemnitz
開催日,場所 2014/3/2, Chemnitz, Germany
189 招待講演
発表者 佐藤 元伸、高橋 慎、二瓶 瑞久、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル インプラント法によるカーボンナノチューブプラグの作製とスパッタアニール法による多層グラフェン配線の接合
学会名 「配線・実装技術と関連材料技術」研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014.2.28, 東京
188 招待講演
発表者 J.Tominaga
タイトル Reconsideration of switching energy in PRAM, and a proposal for entropy-controlled PRAM with topological insulating and spintronics functions
学会名 21st Korean Conference on Semiconductors (KCS 2014)
主催者 Hanyang University
開催日,場所 2014/2/25, Seoul, Korea
187 招待講演
発表者 入沢 寿史、小田 穣、池田 圭司、守山 佳彦、 三枝 栄子、W. Jevasuwan、前田 辰郎、市川 麿、長田 剛規、秦 雅彦、宮本 恭幸、手塚 勉
タイトル MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
学会名 シリコンテクノロジー分科会第167 回研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014/1/29, 東京
186 発表者 臼田 宏治、鎌田 善己、上牟田 雄一、森 貴洋、小池 正浩、手塚 勉
タイトル FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証
学会名 第19回ゲートスタック研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014/1/25, 静岡県熱海市
185 発表者 森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、松川 貴、遠藤 和彦、大内 真一、柳 永勛、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 合成電界効果によるFin型トンネルFETの性能向上
学会名 第19回ゲートスタック研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014/1/25, 静岡県熱海市
184 招待講演
発表者 右田 真司、森 貴洋、福田 浩一、森田 行則、水林 亘、田邊 顕人、松川 貴、遠藤 和彦、柳 永勛、大内 真一、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 急峻スロープトランジスタにおけるゲートスタック技術の重要性
学会名 第19回ゲートスタック研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014/1/25, 静岡県熱海市
183 発表者 守山 佳彦,上牟田 雄一,鎌田 善己,池田 圭司,竹内 正太郎,中村 芳明,酒井 朗,手塚 勉
タイトル エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上と接触抵抗低減によるGe-nMISFETの電流駆動力増大
学会名 第19回ゲートスタック研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014/1/25, 静岡県熱海市
182 発表者 小田 穣, 入沢 寿史, Wipakorn Jevasuwan, 前田 辰郎, 上牟田 雄一, 市川 磨, 石原 敏雄, 長田 剛規, 手塚 勉
タイトル HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上
学会名 第19回ゲートスタック研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2014/1/24, 静岡県熱海市
181 招待講演
発表者 林 賢二郎
タイトル Cu表面におけるグラフェンの形成過程と面配向依存性
学会名 九大グラフェン研究会
主催者 応用力学研究所
開催日,場所 2014/1/24, 九州大学
180 招待講演
発表者 池田 圭司、上牟田 雄一、小野 瑞城、守山 佳彦、鎌田 善己、入沢 寿史、臼田 宏治、小田 穣、古瀬喜代恵、小池 正浩、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル 低消費電力デバイス向けひずみGeナノワイヤチャネルMOSFET
学会名 超精密加工専門委員会 第67回研究会
主催者 精密工学会
開催日,場所 2014/1/16, 大阪
179 招待講演
発表者 T.Tezuka, K.Ikeda, Y.Kamata, Y.Kamimuta, K.Usuda, Y.Moriyama, M.Ono, M.Koike, M.Oda, T.Irisawa, K.Furuse, E.Kurosawa
タイトル Ge-on-insulator MOSFETs for high-performance and 3D stacking applications
学会名 IUMRS-ICA2013
主催者 International Union of Material Research Societies
開催日,場所 2013/12/19, Bangalore. India
178 発表者 山田綾香、張替真佐子、八木克典、佐藤信太郎
タイトル 自己集積化膜による二層グラフェンの分子ドーピング
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
177 発表者 森本悠介、勝又洋介、森田貴紀、新谷俊通、斎木敏治
タイトル フェムト秒レーザーパルスによるGeTeにおけるアモルファス/結晶周期構造の自己組織的形成
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
176 発表者 金子智昭、田島暢夫、大野隆央
タイトル ナノリボンのボトムアップ成長に関する第一原理解析
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
175 発表者 田島暢夫、金子智昭、奈良純、大野隆央
タイトル Cu-CVDグラフェン生成系におけるC-C結合反応に関する第一原理的解析
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
174 発表者 齋藤宏晃、沼田拓也、中村大輔 、嶽山正二郎、八木克典、林賢二郎、佐藤信太郎
タイトル 超強磁場下光透過測定によるCVDグラフェンのランダウ準位構造の同定
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
173 発表者 實宝 秀幸、大淵 真理
タイトル グラフェンのバンドギャップ制御に関する第一原理計算
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
172 発表者 関根和希、M.M.Uddin、H.W.Liu、K.F.Yang、長瀬勝美、CK.Gaspe、T.D.Mishima、M.B.Santos、平山祥郎
タイトル ALD絶縁膜を用いたInSb二次元系のゲート制御
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
171 発表者 黒澤昌志、鎌田善己、田岡紀之、竹内和歌奈、坂下満男、中塚 理、手塚 勉、財満 鎭明
タイトル Snを用いた多結晶Ge薄膜の低温結晶化
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
170 発表者 宮本恭幸 、藤松基彦 、大橋一水 、入沢寿史
タイトル タイプII型へテロ構造をソースとする縦型トンネルFETのメサ幅依存性
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
169 発表者 吉田啓資、中村芳明、竹内正太郎、守山佳彦、池田圭司、上牟田雄一、手塚勉、泉妻宏治、酒井朗
タイトル Al2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の作製と電気特性評価
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
168 発表者 富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治、手塚 勉、小椋厚志
タイトル 微細構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布の高空間分解能評価
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
167 発表者 小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治、手塚 勉、小椋厚志
タイトル 液浸ラマン分光法による高Ge濃度SiGeの定量歪測定
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
166 発表者 川邊 徹平、三澤 太一、粟野 祐二
タイトル ナノカーボン放熱構造のNumerical解析とフォノン輸送のモンテカルロ解析
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
165 発表者 高嶋明人、泉 雄大、小嗣真人、大河内拓雄、池永英司、室隆桂之、川端章夫 、村上 智、二瓶瑞久、横山直樹
タイトル 放射光分光法によるカーボンナノチューブの高密度成長メカニズムの解明
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
164 発表者 小川修一、川田麻由梨、尾白佳大、Jesko Radek、高桑雄二
タイトル 光電子制御プラズマCVDによるダイヤモンド薄膜の低温・低電力合成
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
163 発表者 青竹達也・田中和樹・勝田修平・荒谷直樹・山田容子
タイトル 有機化学合成によるナノカーボン材料形成に関する研究
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
162 発表者 長汐 晃輔
タイトル 高圧酸素アニールによる2層グラフェン上Y2O3トップゲートの超耐圧化
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
161 発表者 Lin Yen-Fu, Wenwu Li, Song-Lin Li, Yong Xu, Alex Aparecido-Ferreira, Katsuyoshi Komatsu, Huabin Sun, Shu Nakaharai, and Kazuhito Tsukagoshi
タイトル Charge injection mechanism at vertically stacked graphene-based heterostructures
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
160 発表者 小松克伊、中払 周、葛西伸哉、上野啓司、塚越一仁
タイトル 二次元原子膜における電荷およびスピン輸送
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
159 発表者 佐久間芳樹、伊藤京子、間野高明、三石和貴、田邊顕人、前田辰郎、太田裕之
タイトル ナノスケールヘテロ接合の形成とデバイス特性
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
158 発表者 大嶺 洋, Darius Hassan Zadeh, 角嶋 邦之, 岩井 洋
タイトル La2O3 gate dielectrics for InGaAs channel using ALD process
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
157 発表者 Darius Hassan Zadeh, 大嶺 洋, 角嶋 邦之, 岩井 洋
タイトル Highly Scalable La2O3/InGaAs Gate Stack with Low Interface State Density
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
156 発表者 Y.Deng, O.Nakatsuka, N.Taoka, S.Zaima
タイトル NiGe/Geコンタクトの結晶構造および界面電気伝導特性の制御
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
155 発表者 池 進一、守山佳彦、黒澤昌志、田岡紀之、中塚 理、今井康彦、木村 滋、手塚 勉、財満鎭明
タイトル Ge1-xSnx/Ge微細構造を用いた局所歪の形成と結晶物性評価
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
154 発表者 富永 淳二、リヒター ヤン、フォンス ポール、コロボフ アレキサンダー
タイトル 超格子型相変化メモリとそのトポロジカル絶縁性を利用した新しい磁気メモリへの展開
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
153 発表者 添谷 進、新谷 俊通、小高 貴浩、近藤 礼子、富永 淳二
タイトル SnTe/Sb2Te3超薄膜超格子の電力と動作メカニズム
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
152 発表者 新谷俊通 、斎木敏治
タイトル GeTe/Sb2Te3の非熱的記録メカニズムの検証
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
151 発表者 桜井俊介、山田真保、中村紘子、フタバドン、畠賢治
タイトル 半導体CNTの選択的成長技術開発
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
150 発表者 川端 章夫、村上 智、有井 葵、二瓶 瑞久
タイトル CNT/グラフェンの排熱応用
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
149 発表者 山口 淳一,佐藤 信太郎,田中 和樹,山田 容子,横山 直樹
タイトル ボトムアップ的手法によるグラフェンナノリボン形成
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
148 発表者 佐藤元伸, 高橋慎, 佐藤信太郎
タイトル スパッタアニール法による多層グラフェン配線とインプラント法によるカーボンナノチューブプラグの接合
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
147 発表者 近藤大雄、中野美尚、周波、井亜希子、林賢二郎、久保田一郎、佐藤元伸、高橋慎、八木克典、原田直樹、佐藤信太郎
タイトル 低抵抗グラフェン微細配線の電気特性
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
146 発表者 森田行則、森貴洋、右田真司、水林亘、田邊顕人、福田浩一、遠藤和彦、松川貴、大内真一、柳永勛、昌原明植、太田裕之
タイトル 合成電界効果により性能向上させた2層構造Tunnel FinFETの開発
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
145 発表者 右田 真司、森 貴洋、福田 浩一、松川 貴、森田 行則、水林 亘、田邊 顕人、遠藤 和彦、柳 永勛、大内 真一、昌原 明植、太田 裕之
タイトル トンネルトランジスタの特性ばらつき挙動の解析
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
144 発表者 田邊 顕人、太田 裕之
タイトル 酸化物半導体を用いた新規トンネルトランジスタの提案
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
143 発表者 守山 佳彦、上牟田 雄一、鎌田 善己、池田 圭司、手塚 勉
タイトル エピタキシャルn+-Ge:Pのドーパント活性化率向上と接触抵抗低減によるGe-nMISFETの電流駆動力増大
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
142 発表者 小池 正浩、上牟田 雄一、守山 佳彦、鎌田 善己、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル Ge(100) 基板上Ni/Sn層の熱処理による低コンタクト抵抗エピタキシャルNiGe/nGe形成
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
141 発表者 池田 圭司, 上牟田 雄一, 守山 佳彦, 小野 瑞城, 臼田 宏治, 小田 穣, 入沢 寿史, 古瀬 喜代恵, 手塚 勉
タイトル プラズマ酸化GeOx界面層挿入によるひずみGeナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
140 発表者 鎌田 善己、小池 正浩、上牟田 雄一、黒澤 悦男、手塚 勉
タイトル 3D-IC向けpoly-Ge junctionless p-&n-MISFETs
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
139 発表者 入沢寿史、小田 穣、上牟田雄一、守山佳彦、池田圭司、三枝栄子、W. Jevasuwan、前田辰郎、市川 麿、長田剛規、秦 雅彦、手塚 勉
タイトル 高移動度InGaAs/GeデュアルチャネルCMOSの3次元積層集積
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
138 発表者 入沢寿史、小田 穣、池田圭司、守山佳彦、三枝栄子、W. Jevasuwan、前田辰郎,、市川 麿、長田剛規 、秦 雅彦 、宮本恭幸、手塚 勉
タイトル 高移動度(111)B面をチャネルに有する三角形状InGaAs-OI nMOSFET
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
137 発表者 富永 淳二
タイトル 相変化材料におけるトポロジカル絶縁体の基礎研究及びデバイス応用
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
136 発表者 新谷 俊通
タイトル 消費電力1/100に向けた材料開発
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
135 発表者 畠 賢治
タイトル 半導体CNTの選択成長とトランジスタ応用
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
134 発表者 二瓶 瑞久
タイトル CNT/グラフェンの排熱応用
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
133 発表者 佐藤 信太郎
タイトル ナノカーボンの合成とトランジスタ・配線応用
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
132 発表者 太田 裕之
タイトル 新動作原理CMOSデバイスの研究開発
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
131 発表者 手塚 勉
タイトル 新材料・新構造CMOS技術の研究開発
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
130 発表者 横山 直樹
タイトル FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」
学会名 FIRST「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
主催者 産業技術研究所
開催日,場所 2013/12/17, 東京
129 招待講演
発表者 M.Sato, M.Takahashi, M.Nihei, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Multilayer Graphene Wires Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon, and their Transfer on Tungsten Plugs and Carbon Nanotubes Plugs for Carbon Interconnects
学会名 International Conference on Small Science (ICSS 2013)
主催者 OAHOST
開催日,場所 2013/12/17, Las Vegas, USA
128 発表者 Y.Kamimuta, Y.Moriyama, E.Mieda, T.Maeda, W.Jevasuwan, Y.Kurashima, H.Takagi, M.Oda, T.Irisawa, K.Ikeda, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル High performance strained GeOI nMOSFETs with in-situ doped epitaxial SiGe stressors
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/13, Maryland, USA,
127 発表者 Mizuki Ono and Tsutomu Tezuka
タイトル Suppression of Gate Induced Drain Leakage Current in Junctionless GOI MOSFETs
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/13, Maryland, USA,
126 発表者 M.Koike, Y.Kamimuta, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル NiGe/n+Ge Junctions with Record-low Contact Resistivity (~3x10-8 Ohmcm2) Formed by Two-step P-ion Implantation
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/13, Maryland, USA,
125 発表者 M.Oda, T.Irisawa, W.Jevasuwan, T.Maeda, Y.Kamimuta, O.Ichikawa, T.Ishihara, T.Osada, T.Tezuka
タイトル Electron mobility improvement due to GaOx passivation layer formed by pre-deposition annealing in HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFET with sub-0.8nm EOT
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/13, Maryland, USA,
124 発表者 D.Kondo, H.Nakano, B.Zhou, I.Kubota, K.Hayashi, K.Yagi, M.Takahashi, M.Sato, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Fabrication and Evaluation of 20-nm-Wide Intercalated Multi-Layer Graphene Interconnects and 3D Interconnects Composed of Graphene and Vertically Aligned CNTs
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/12, Maryland, USA
123 発表者 S.Migita, T.Mori, T.Matsukawa, K.Fukuda, Y.Morita, W.Mizubayashi, A.Tananbe, K.Endo, Y.Liu, S.O'uchi, M.Masahara, H.Ota
タイトル Large Variation of Tunnel-FETs in Comparison with MOSFETs Caused by Sensitivity to Fluctuation of Gate Stack Parameters
学会名 2013 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS2013)
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/12, Maryland, USA
122 発表者 Y.Morita, T.Mori, S.Migita, W.Mizubayashi, A.Tanabe, K.Fukuda, T.Matsukawa, K.Endo, S.O'uchi, Y.Liu, M.Masahara, H.Ota
タイトル Synthetic Electric Field Tunnel FinFET Achieving both High ON Current and Low Sub-Threshold Swing at Low Drain Voltage
学会名 2013 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS2013)
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/11, Maryland, USA
121 発表者 K.Usuda, Y.Kamata, Y.Kamimuta, T.Mori, M.Koike, T.Tezuka
タイトル High-performance poly-Ge p- and n-MOSFETs fabricated by flash lamp annealing
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/11, Maryland, USA
120 発表者 Y.Kamata, M.Koike, Y.Kamimuta, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル Normally-Off Poly-Germanium n- and p-MISFETs Featuring Single Metal Gate and Silicon Passivation Layer
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) 2013
主催者 International Semiconductor Device Research Symposium Inc.
開催日,場所 2013/12/11, Maryland, USA
119 発表者 K.Ikeda, Y. Moriyama, Y. Kamimuta, M. Ono, T. Irisawa, M. Oda, E. Kurosawa, T. Tezuka
タイトル Advantage of (001)/<100> oriented Channels in Biaxially- and Uniaxially Strained-Ge-on-Insulator pMOSFETs with NiGe Metal Source/Drain
学会名 2013 International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2013/12/11, Washington, DC
118 発表者 M. Sato, M. Takahashi, M. Nihei, S. Sato, N. Yokoyama
タイトル Novel Implantation Process of Carbon Nanotubes for Plugs and Vias, and their Integration with Transferred Multilayer Graphene Wire
学会名 2013 International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2013/12/11, Washington, DC
117 発表者 D. Hassan Zadeh, H. Oomine, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai
タイトル Low Dit High-k/In0.53Ga0.47As Gate Stack, with CET Down to 0.73 nm and Thermally Stable Silicide Contact by Suppression of Interfacial Reaction
学会名 2013 International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2013/12/9, Washington, DC
116 発表者 T.Irisawa, M.Oda, K.Ikeda, Y.Moriyama, E.Mieda, W.Jevasuwan, T.Maeda, O.Ichikawa, T.Osada, M.Hata, Y.Miyamoto, T.Tezuka
タイトル High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Growth on Narrow Fin Structures
学会名 2013 International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2013/12/9, Washington, DC
115 発表者 A.Yamada, K.Yagi, M.Harigae, J.Yamaguchi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Electron Doping of Graphene with Self – Assembled Monolayers
学会名 MRS Fall Meeting
主催者 MRS
開催日,場所 2013/12/5, Boston, USA
114 発表者 S.Sakurai, M.Yamada, H.Nakamura, D.Futaba, K.Hata
タイトル Preferential Synthesis of Semiconductor Single-Walled Carbon Nanotubes based on the catalyst control approach
学会名 MRS Fall Meeting
主催者 MRS
開催日,場所 2013/12/5, Boston, USA
113 発表者 S.Sato, H.Nakano, B.Zhou, D.Kondo, K.Hayashi, J.Yamaguchi, K.Yagi, A.Yamada, M.Takahashi, M.Sato, N.Yokoyama
タイトル Intercalated multi-layer graphene interconnects for future LSI
学会名 MRS Fall Meeting
主催者 MRS
開催日,場所 2013/12/4, Boston, USA
112 発表者 富永 淳二、J.Richter、齊藤 雄太、A.Kolobov、P.Fons、村上 修一
タイトル Spintronics using interfacial phase change memory, iPCM
学会名 第25回相変化研究会シンポジウム
主催者 相変化研究会
開催日,場所 2013/11/29, 宮城県仙台市
111 発表者 S.Soeya, T.Shintani, T.Odaka, R.Kondo, J.Tomonaga
タイトル Crystallographic Analysis of SnxTe100-x/Sb2Te3 Superlattice and Proposal of its Switching Mechanism
学会名 Phase Change Oriented Science 2013
主催者 The Society of Phase Change Oriented Science
開催日,場所 2013.11.29, Sendai
110 発表者 尾白佳大, 小川修一, 佐藤元伸, 二瓶瑞久, 高桑雄二
タイトル 光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェンの結晶性と電気特性:H2とArキャリアガスの比較
学会名 2013年真空・表面科学合同講演会
主催者 日本真空学会、日本表面科学会
開催日,場所 2013.11.26, つくば市
109 発表者 Naoki Yokoyama
タイトル Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
学会名 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.11.8, Tokyo
108 発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Impact of HfO2 Buffer Layers on SrHfO3 Perovskite Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors on Si Substrates
学会名 2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.11.7, Tokyo
107 発表者 H.Nakano, B.Zhou, D.Kondo, K.Hayashi, S.Nakaharai, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Intercalation of molecules into multi-layer graphene for LSI interconnects
学会名 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.11.7, Sapporo
106 招待講演
発表者 Shintaro Sato, Naoki Yokoyama
タイトル Application of Graphene to Transistors and Interconnects for Future LSIs
学会名 2013 International Graphene Conference
主催者 ITRI
開催日,場所 2013.11.5, Hsinchu, Taiwan
105 招待講演
発表者 太田 裕之、森田 行則、森 貴洋、右田 真司、福田 浩一、水林 亘、田邊 顕人、前田 辰郎、宮田 典幸、遠藤 和彦、柳 永勛、松川 貴、大内 真一、昌原 明植
タイトル 集積回路における急峻な立ち上がり特性の必要性とSi-MOSFETにおける現状
学会名 MNC 2013技術セミナー
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013/11/5, 札幌
104 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Li, K.Tsukagoshi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Field Effect Control of Carrier Conduction in Helium Ion Irradiated Graphene
学会名 AVS-60
主催者 AVS (American Vacuum Society)
開催日,場所 2013.10.31, Long Beach, U.S.A
103 招待講演
発表者 J.Tomonaga、P.Fons、A.Kolobov、S.Murakami
タイトル Entropy-controlled Phase Change Memory with an Extraordinary Small Switching Energy
学会名 224th ECS Meeting
主催者 Electrochemical Society
開催日,場所 2013/10/31, San Francisco, U.S.A
102 発表者 H.Oomine, D.H.Zadeh, K.Kakushima, Y.Kataoka, A.Nishiyama, N.Sugii, H.Wakabayashi, K.Tsutsui, K.Natori, H.Iwai
タイトル Electrical Characterization of Atomic Layer Deposited La2O3 Films on In0.53Ga0.47As Substrates
学会名 224th ECS Meeting
主催者 Electrochemical Society
開催日,場所 2013.10.30, San Francisco, U.S.A
101 招待講演
発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Extremely Short Channel Si-MOSFETs Prepared on SOI Substrates Using Anisotropic Wet Etching
学会名 224th ECS Meeting
主催者 Electrochemical Society
開催日,場所 2013.10.28, San Francisco, U.S.A
100 発表者 S.Ike, Y.Moriyama, M.Kurosawa, N.Taoka, O.Nakatsuka, Y.Imai, S.Kimura, T.Tezuka, S.Zaima
タイトル Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1−xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method
学会名 224th ECS Meeting
主催者 Electrochemical Society
開催日,場所 2013.10.27, San Francisco, U.S.A
99 招待講演
発表者 富永 淳二、P.Fons、A.Kolobov
タイトル 磁性元素を含まないGeSbTe 相変化メモリからの室温巨大磁気抵抗効果の出現
学会名 電子情報通信学会研究会
主催者 電子情報通信学会
開催日,場所 2013/10/24, 福岡
98 招待講演
発表者 長汐晃輔
タイトル グラフェン/金属コンタクトの理解と制御
学会名 グラフェンコンソーシアム第2回研究講演会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.10.16, 東京
97 発表者 Y. S. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima
タイトル Thermal Stability of Epitaxial NiGe Layers Formed on Ge(110) Substrate
学会名 Advanced Metallization Conference 2013 (ADMETA Plus 2013)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.10.9, Tokyo Univ.
96 発表者 H.Nakano, D.Kondo, B.Chou, K.Hayashi, K.Yagi, M.Takahashi, M.Sato, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Characterization of 10-layer graphene interconnects fabricated by 10-time transfer of single-layer CVD-grown graphene
学会名 Advanced Metallization Conference 2013 (ADMETA Plus 2013)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.10.8, Tokyo Univ.
95 発表者 M.Sato, M.Takahashi, M.Nihei, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Transfer Process and Contact Resistance of Multilayer Graphene Wires on Tungsten Plugs for Local Interconnects
学会名 Advanced Metallization Conference 2013 (ADMETA Plus 2013)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.10.8, Tokyo Univ.
94 招待講演
発表者 H.Irisawa, M.Oda, T.Tezuka, K.Ikeda, Y.Moriyama, Y.Kamimuta, T.Maeda, E.Mieda, J.Wipakorn, O.Ichikawa, T.Osada, M.Hata
タイトル 3D Integration of High Mobility InGaAs nFETs and Ge pFETs for Ultra Low Power and High Performance CMOS
学会名 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
主催者 IEEE
開催日,場所 2013.10.7, Monterey, U.S.A
93 招待講演
発表者 池田圭司
タイトル 低消費電力デバイス向けGeチャネルMOSFETの性能向上と将来動向
学会名 第29回低消費電力・高速LSI 技術懇談会
主催者 東京大学
開催日,場所 2013.10.3, 東京大学
92 発表者 Y.Morita, T.Mori, S.Migita, W.Mizubayashi, A.Tanabe, K.Fukuda, T.Matsukawa, K.Endo, S.O'uchi, Y.Liu, M.Masahara, H.Ota
タイトル CMOS-Compatible Mesa-Etched Ultrathin Epitaxial Channel Tunnel Field-Effect Transistors
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.27, Fukuoka
91 発表者 D.H.Zadeh, H.Oomine, K.Kakushima, Y.Kataoka, A.Nishiyama, N.Sugii, H.Wakabayashi, K.Tsutsui, K.Natori, H.Iwai
タイトル Scalable La-silicate Gate Dielectric on InGaAs Substrate with High Thermal Stability and Low Interface State Density
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
90 発表者 M.Oda, T.Irisawa, E.Mieda, Y.Kurashima, H.Takagi, W.Jevasuwan, T.Maeda, O.Ichikawa, T.Ishihara, T.Osada, Y.Miyamoto, T.Tezuka
タイトル Suppression of short channel effects in accumulation-type UTB-InGaAs-OI nMISFETs with raised S/D fabricated by gate-last process
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
89 発表者 D.Kondo, H.Nakano, B.Zhou, I.Kubota, K.Hayashi, J.Yamaguchi, T.Ohkochi, M.Kotsugi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Multi-layer graphene interconnects grown by CVD for future LSI
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
88 発表者 M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, Y.Takakuwa, M.Nihei, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Intercalated Multi-layer Graphene Wire and Metal/Multi-layer Graphene Hybrid Wire Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
87 発表者 M.Ono T.Tezuka
タイトル Shrinking Circuits Area with High-Mobility Channel MOSFETs
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
86 発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Synthesis of Perovskite Structure SrHfO3 Thin Films on Si Substrates Using RF Sputtering and Rapid Thermal Anneal
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
85 招待講演
発表者 J. Tominaga
タイトル Phase-change non-volatile memory equipped with topological insulating properties -Fusion of PCRAM and spintronics-
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
84 発表者 N.Harada, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Theoretical Investigation of Electrical Properties of MoS2 FETs with Strained Channel Layer
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.26, Fukuoka
83 発表者 S.Sakurai, M.Yamada, H.Nakamura, D.Futaba, K.Hata
タイトル Approach for the Preferential Synthesis of Semiconductor Single-Walled Carbon Nanotubes for Device Application
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.25, Fukuoka
82 発表者 M.Koike, Y.Kamimuta, Y.Moriyama, Y.Kamata, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル Formation of Epitaxial Nickel Monogermanide on Ge(100) by Annealing of Ni/Sn Bilayer
学会名 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.25, Fukuoka
81 招待講演
発表者 富永 淳二
タイトル GeTe/Sb2Te3 超格子相変化メモリに現れるトポロジカル絶縁性とスピントロニクスへの展開
学会名 日本物理学会2013年秋季大会
主催者 日本物理学会
開催日,場所 2013.9.25, 徳島
80 招待講演
発表者 Kazuhito Tsukagoshi
タイトル Atomically thin semiconducting channels for future nano-electronics
学会名 Graphene Brazil 2013
主催者
開催日,場所 2013.9.23, Rio de Janeiro, Brazil
79 発表者 小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治、手塚勉、小椋厚志
タイトル 液浸ラマン分光法による高Ge濃度圧縮歪SiGeメサ構造/Ge基板からLO,TOフォノンスペクトルの観測
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.20, 京都
78 発表者 S.J.Park, N.Uchida, T.Tada, Y.Moriyama, T.Tezuka, T.Kanayama
タイトル Study of electronic properties at near surface for high-doped Ge using HREELS
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.19, 京都
77 発表者 小池正浩, 上牟田雄一, 鎌田善己, 黒澤悦男, 手塚勉
タイトル n型不純物およびSがpoly-Ge中キャリア濃度に与える影響
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.19, 京都
76 発表者 福田 浩一、森 貴洋、水林 亘、森田 行則、田邊 顕人、昌原 明植、安田 哲二、右田 真司、太田 裕之
タイトル Tunnel FETの離散不純物バラツキに関する検討
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.19, 京都
75 発表者 守山佳彦, 池田圭司, 竹内正太郎, 上牟田雄一, 中村芳明, 酒井朗, 泉妻宏治, 手塚勉
タイトル 薄膜Al2O3/SiO2 BOX層を有するUTB-GeOI基板作製
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.19, 京都
74 発表者 守山佳彦、上牟田雄一、鎌田善己、池田圭司、竹内正太郎、中村芳明、酒井朗、手塚勉
タイトル エピタキシャル成長n+Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.19, 京都
73 発表者 鹿国強, 大嶺洋, Darius Zadeh, 角嶋邦之, 西山彰, 杉井信之, 片岡好則, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋
タイトル ALD堆積条件によるLa2O3/In0.53Ga0.47Asキャパシタの電気特性への影響
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.18, 京都
72 発表者 鎌田善己、上牟田雄一、池田圭司、古瀬喜代恵、小野瑞城、小田穣、守山佳彦、臼田宏治、小池正浩、入沢寿史、黒澤悦男、手塚勉
タイトル 3次元集積回路のための多結晶Ge junctionless tri-gateトランジスタ
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.18, 京都
71 発表者 臼田宏治, 池田圭司, 小瀬村大亮, 富田基裕,小椋厚志, 手塚勉
タイトル 高Ge濃度SGOIワイヤーの異方性ひずみ評価
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.18, 京都
70 発表者 池田圭司, 上牟田雄一, 守山佳彦, 小野瑞城, 臼田宏治, 小田穣, 入沢寿史, 古瀬喜代恵, 手塚勉
タイトル プラズマ酸化GeOx界面層挿入によるひずみGeナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.18, 京都
69 発表者 入沢寿史, 小田穣, 上牟田雄一, 守山佳彦, 池田圭司, 三枝栄子, W.Jevasuwan, 前田辰郎, 市川麿, 長田剛規, 秦雅彦, 手塚勉
タイトル 3次元積層集積化による高移動度InGaAs/Ge CMOSの動作実証
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.18, 京都
68 発表者 近藤 大雄、中野 美尚、周 波、久保田 一郎、高橋 慎、佐藤 元伸、林 賢二郎、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル エピタキシャル触媒薄膜を用いた多層グラフェン合成と触媒依存性
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.17, 京都
67 発表者 右田 真司、森田 行則、昌原 明植、太田 裕之
タイトル ペロブスカイト構造SrHfO3膜のSi基板上合成
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.17, 京都
66 発表者 近藤 大雄、中野美尚、周波、久保田 一郎、高橋 慎、佐藤 元伸、林 賢二郎、佐藤 信太郎 、横山 直樹
タイトル エピタキシャル触媒薄膜を用いた多層グラフェン合成と触媒依存性
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.17, 京都
65 発表者 山田綾香、八木克典、佐藤信太郎、横山直樹
タイトル 自己集積化膜によるグラフェンの分子ドーピング
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.16, 京都
64 発表者 高嶋明人, 泉雄大, 池永英司, 室隆桂之, 川端章夫, 村上智, 二瓶瑞久, 横山直樹
タイトル 高密度CNT成長用触媒の化学状態の加熱時間および下地金属依存性
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.16, 京都
63 発表者 川端章夫、村上智、二瓶瑞久、横山直樹
タイトル 温度勾配制御[STEP]成長で作製したCNT膜の評価
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.16, 京都
62 発表者 伊藤 正勝、、佐藤 信太郎、横山 直樹、クリスチャン ジョアシャン
タイトル 量子伝導計算による GNRFET でのゲート静電制御の解析
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.16, 京都
61 発表者 中野美尚、久保田一郎、周波、近藤大雄、林賢二郎、高橋慎、佐藤元伸、八木克典、中払周、佐藤信太郎、横山直樹
タイトル CVD成長多層グラフェン配線へのインターカレーション
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.16, 京都
60 発表者 山口 淳一、佐藤信太郎、田中和樹、山田容子、横山直樹
タイトル ボトムアップ形成グラフェンナノリボンのin situ STM観察
学会名 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.9.16, 京都
59 発表者 Kenjiro Hayashi, Ayaka Yamada, Shintaro Sato and Naoki Yokoyama
タイトル Island shape and Domain Structure of Graphene Grown on Copper Foil by Chemical Vapor Deposition
学会名 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2013.9.17, Kyoto
58 発表者 吉岡 和顕, 更田 裕司, 福田 浩一, 森 貴洋, 太田 裕之, 高宮 真, 桜井 貴康|
タイトル トンネルFETを用いたSRAMにおけるマージン改善手法の提案
学会名 電子情報通信学会 ソサイエティ大会
主催者 電子情報通信学会
開催日,場所 2013.9.17, 福岡
57 発表者 W.Mizubayashi, K.Fukuda, T.Moro, K.Endo, Y.Liu, T.Matsukawa, S.O'uchi, Y.Ishikawa, S.Migita, Y.Morita, A.Tanabe, J.Tsukada, H.Yamauchi, M.Masahara, H.Ota
タイトル Guidelines for Symmetric Threshold Voltage in Tunnel FinFETs with Single and Dual Metal Gate Electrodes
学会名 43rd European Solid-State Device Research Conference
主催者 IEEE
開催日,場所 2013.9.17, Bucharest, Romania
56 発表者 Y.Morita, T.Mori, S.Migita, W.Mizubayashi, A.Tanabe, K.Fukuda, K.Endo, T.Matsukawa, S.O'uchi, Y.Liu, M.Masahara, H.Ota
タイトル Performance Limit of Parallel Electric Field Tunnel FET and Improvement by Modified Gate and Channel Configurations
学会名 43rd European Solid-State Device Research Conference
主催者 IEEE
開催日,場所 2013.9.17, Bucharest, Romania
55 発表者 Y.Kamata, Y.Kamimuta, K.Ikeda, K.Furuse, M.Ono, M.Oda, Y.Moriyama, K.Usuda, M.Koike, T.Irisawa, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル Poly Germanium Junctionless Tri-gate FET for Future Stacked 3-D Circuits Integration
学会名 E-MRS 2013 FALL MEETING
主催者 European Material Science Society
開催日,場所 2013.9.17, Warsaw, Poland
54 発表者 Y.Moriyama, Y.Kamimuta, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル In-situ P-doped Ge-rich SiGe selective epitaxy for strained Ge-nMISFETs
学会名 E-MRS 2013 FALL MEETING
主催者 European Materials Research Society
開催日,場所 2013.9.16, Warsaw, Poland
53 発表者 K.Hayashi, A.Yamada, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Analysis of individual graphene islands grown on copper foil by chemical vapor deposition
学会名 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013)
主催者 RPGR Organizing Committee
開催日,場所 2013.9.13, Tokyo
52 発表者 Y. Ojiro, S. Ogawa, M. Sato, M. Nihei, Y. Takakuwa
タイトル Career gas effect on the CVD growth kinetics and electric properties of multilayer graphene and networked nanographite: Ar versus H2
学会名 The 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research
主催者 The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society
開催日,場所 2013/9/12, Tokyo
51 発表者 D.Kondo, H.Nakano, B.Zhou, K.Hayashi, I.Kubota, K.Yagi, M.Takahashi, M.Sato, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Multi-layer graphene synthesized on various metal catalyst films and its electrical properties
学会名 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013)
主催者 RPGR Organizing Committee
開催日,場所 2013.9.12, Tokyo
50 発表者 Shu Nakaharai, Tomohiko Iijima, Shinichi Ogawa, Song-Lin Li, Kazuhito Tsukagoshi, Shintaro Sato, Naoki Yokoyama
タイトル Defect-Induced Localization of Carriers in Graphene and its Applications to Electronics
学会名 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013)
主催者 RPGR Organizing committee
開催日,場所 2013.9.12, Tokyo
49 発表者 Song-Lin Li, Katsunori Wakabayashi, Kazuhito Tsukagoshi
タイトル Thickness-Dependent Interfacial Coulomb Scattering in Atomically Thin MoS2 Field-Effect Transistors
学会名 Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013)
主催者 RPGR Organizing committee
開催日,場所 2013.9.12, Tokyo
48 発表者 Yen-Fu Lin, Wenwu Li, Song-Lin Li, Yong Xu, Alex Aparecido-Ferreira, Katsuyoshi Komatsu, Huabin Sun, Shu Nakaharai, Kazuhito Tsukagoshi
タイトル Barrier inhomogeneities at vertically stacked graphene-based heterostructures
学会名 Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013)
主催者 RPGR Organizing committee
開催日,場所 2013.9.11, Tokyo
47 発表者 K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura and A. Toriumi
タイトル DOS estimation of graphene in the contact structre by quantum capacitance measurment
学会名 Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013)
主催者 RPGR Organizing committee
開催日,場所 2013.9.11, Tokyo
46 発表者 T.Shintani, T.Saiki
タイトル Electric and Optical Studies on Non-thermal Recording Mechanism of GeTe/Sb2Te3 Superlattice Phase Change Material
学会名 EPCOS 2013 Symposium
主催者 EPCOS Committee
開催日,場所 2013.9.10, Berlin, Germany
45 招待講演
発表者 J.Tominaga, A.Kolobov, P.J.Fons, S.Wang, J.H.Richter, Y.Saito, T.Nakano
タイトル Spin-strage mechanism in interfacial phase-change memory(iPCM)
学会名 EPCOS 2013 Symposium
主催者 Himex Energy Solutions, Foundation - Micron Technology, Inc.
開催日,場所 2013.9.9, Berlin, Germany
44 招待講演
発表者 K.Tsukagoshi
タイトル Atomically thin semiconducting channels for future nano-electronics
学会名 Crystal & Graphene Science Symposium-2013 on 'Crystal Engineering to Graphenes, Fullerenes, Carbon Nanotubes & Semiconductors'
主催者 GeneExpression Systems & Appasani Research Conferences of USA
開催日,場所 2013.9.5, Boston, USA
43 発表者 T. Misawa, S. Oki and Y. Awano
タイトル Quasi-Self-consistent Monte Cario Particle Simulation of Local Heating Properties in Nano-scale Gallium Nitride FETs
学会名 The International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
主催者 SISPAD
開催日,場所 2013/9/3, Glasgow, Scotland, UK
42 発表者 池 進一
タイトル 歪GeチャネルMOSFETに向けた埋め込みGe1-xSnx/Ge微細構造の局所歪評価
学会名 第1回TIAナノエレクトロニクス・サマースクール
主催者 つくばイノベーションアリーナ推進本部
開催日,場所 2013.8.29, つくば
41 招待講演
発表者 S.Sato, D.Kondo and N.Yokoyama
タイトル Application of Graphene to Transistors and Interconnects for Future LSIs
学会名 35th International Symposium on Dry Process (DPS2013)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.8.29, Jeju, Korea
40 招待講演
発表者 Shintaro Sato and Naoki Yokoyama
タイトル APPLICATION OF GRAPHENE AND CARBON NANOTUBES TO TRANSISTORS AND INTERCONNECTS FOR FUTURE LSI
学会名 15th ASIAN CHEMICAL CONGRESS 2013
主催者 Singapore National Institute of Chemistry
開催日,場所 2013.8.20, Singapore
39 招待講演
発表者 長汐晃輔
タイトル 金属電極直下のグラフェンは本当にグラフェンか?
学会名 筑波大学プレ戦略イニシアティブ講演会
主催者 筑波大学
開催日,場所 2013.8.12, つくば
38 招待講演
発表者 森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、松川 貴、遠藤 和彦、大内 真一、柳 永勛、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第163回研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.8.7, 東京
37 招待講演
発表者 鎌田 善己、上牟田雄一、池田圭司、古瀬喜代恵、小野瑞城、小田穣、守山佳彦、臼田宏治、小池正浩、入沢寿史、黒澤悦男、手塚勉
タイトル 積層型3次元IC向け多結晶ゲルマニウムジャンクションレストライゲート p-MISFETs
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第163回研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.8.7, 東京
36 招待講演
発表者 入沢 寿史、小田 穣、上牟田 雄一、守山 佳彦、池田 圭司、三枝 栄子、W. Jevaswan、前田 辰郎、市川 磨、長田 剛規, 秦 雅彦, 手塚 勉
タイトル 3次元積層集積化による高移動度InGaAs/Ge CMOSインバータの動作実証
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第163回研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.8.7, 東京
35 招待講演
発表者 池田 圭司, 上牟田 雄一, 守山 佳彦, 小野 瑞城, 臼田 宏治, 小田 穣, 入沢 寿史, 古瀬喜代恵, 手塚 勉
タイトル プラズマ酸化GeOx界面層挿入によるひずみGeナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第163回研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.8.7, 東京
34 招待講演
発表者 森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、松川 貴、遠藤 和彦、大内 真一、柳 永勛、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上
学会名 シリコン材料・デバイス研究会 -低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
主催者 電子情報通信学会
開催日,場所 2013.8.1, 金沢大学
33 招待講演
発表者 K.Tsukagoshi
タイトル Atomically thin semiconducting channels for future nano-electronics
学会名 Nano KOREA 2013
主催者 NANO KOREA Organizing Committee
開催日,場所 2013.7.10, Seoul, Korea
32 招待講演
発表者 富永淳二、A.Kolobov、P.Fons、村上修一
タイトル 磁性元素無添加カルコゲン化合物超格子薄膜からの巨大磁気抵抗効果
-構造相転移によるトポロジカル絶縁性とラシュバ効果の発現-
学会名 日本磁気学会第191回研究会/第45回スピンエレクトロニクス専門研究会
主催者 日本磁気学会
開催日,場所 2013.7.9, 東京
31 招待講演
発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Atomic Layer Deposition and Solid Phase Epitaxial Growth of HfO2 Films on Si Substrates for MOSFET Applications
学会名 2013 NIMS Conference
主催者 NIMS
開催日,場所 2013.7.1, つくば
30 発表者 D.Kondo, H.Nakano, B.Zhou, I.Kubota, J.Yamaguchi, K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Synthesis of multi-layer graphene on epitaxially-grown metal catalyst film and its electrical properties
学会名 NT13: The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
主催者 NT13 Organize Committee
開催日,場所 2013.6.27, Espoo, Finland
29 発表者 K.Hayashi, A.Yamada, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Domain structure in graphene islands grown on copper foil by chemical vapor deposition
学会名 NT13: The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
主催者 NT13 Organize Committee
開催日,場所 2013.6.27, Espoo, Finland
28 招待講演
発表者 H.Ota, Y.Morita, T.Mori, S.Migita, K.Fukuda, W.Mizubayashi, A.Tanabe, T.Maeda, N.Miyata, K.Endo, Y.Liu, T.Matsukawa, S.O'uchi, M.Masahara
タイトル Device Design Consideration in Tunnel Field-Effect Transistors for Improved Current Drivability
学会名 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
主催者 IEEK & IECIE
開催日,場所 2013.6.27, Seoul
27 招待講演
発表者 A.Sakai, S.Yamasaka, Y.Moriyama, J.Kikkawa, S.Takeuchi, Y.Nakamura, T.Tezuka, K.Izunome
タイトル Semiconductor Wafer Bonding
-Structural and Electrical Characteristics of GeOI Substrates-
学会名 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
主催者 IEEK & IECIE
開催日,場所 2013.6.26, Seoul
26 招待講演
発表者 新谷 俊通, 添谷 進, 斎木敏治
タイトル 超格子相変化メモリ
学会名 STRJ-MRD
主催者 STRJ
開催日,場所 2013.6.26, 早稲田大学
25 発表者 D.Kondo, H.Nakano, B.Zhou, I.Kubota, K.Hayashi, K.Yagi, M.Takahashi, M.Sato, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Intercalated multi-layer graphene grown by CVD for LSI interconnects
学会名 2013 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC 2013)
主催者 IEEE Electron Devices Society
開催日,場所 2013.6.15, Kyoto
24 発表者 T.Kawanabe, A.Kawabata, T.Murakami, M.Nihei, Y.Awano
タイトル Numerical Simulations of High Heat Dissipation Technology in LSI 3-D Packaging Using Carbon Nanotube Through Silicon Via (CNT-TSV) and Thermal Interface Material (CNT-TIM)
学会名 2013 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC 2013)
主催者 IEEE Electron Devices Society
開催日,場所 2013.6.14, Kyoto
23 発表者 Y.Morita, T.Mori, S.Migita, W.Mizubayashi, A.Tanabe, K.Fukuda, T.Matsukawa, K.Endo, S.O'uchi, Y.X.Liu, M.Masahara, H.Ota
タイトル Synthetic electric field tunnel FETs: drain current multiplication demonstrated by wrapped gate electrode around ultrathin epitaxial channel
学会名 2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits
主催者 IEEE JSAP
開催日,場所 2013.6.13, Kyoto
22 発表者 Y.Kamata, Y.Kamimuta, K.Ikeda, K.Furuse, M.Ono, M.Oda, Y.Moriyama, K.Usuda, M.Koike, T.Irisawa, E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル Superior Cut-Off Characteristics of Lg=40nm Wfin=7nm Poly Ge Junctionless Tri-gate FET for Stacked 3D Circuits Integration
学会名 2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits
主催者 IEEE JSAP
開催日,場所 2013.6.12, Kyoto
21 発表者 T. Irisawa, M. Oda, Y. Kamimuta, Y. Moriyama, K. Ikeda, E. Mieda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa*, T. Osada*, M. Hata*, and T. Tezuka
タイトル Demonstration of InGaAs/Ge Dual Channel CMOS Inverters with High Electron and Hole Mobility Using Staked 3D Integration
学会名 2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits
主催者 IEEE JSAP
開催日,場所 2013.6.11, Kyoto
20 発表者 K.Ikeda, Y.Kamimuta, Y.Moriyama, M.Ono, K.Usuda, M.Oda, T.Irisawa, K.Furuse, T.Tezuka
タイトル Enhancement of Hole Mobility and Cut-off Characteristics of Strained Ge Nanowire pMOSFETs by using Plasma Oxidized GeOx Inter-Layer for Gate Stack
学会名 2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits
主催者 IEEE JSAP
開催日,場所 2013.6.11, Kyoto
19 招待講演
発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル MOSFET Scaling to 3-nm-Long and 1-nm-Thick Channel
学会名 2013 Silicon Nanoelectronics Workshop
主催者 JSAP and IEEE EDS
開催日,場所 2013.6.9, Kyoto
18 発表者 K.Fukuda, T.Mori, W.Mizubayashi, Y.Morita, A.Tanabe, M.Masahara, T.Yasuda, S.Migita, H.Ota
タイトル A Compact Model for Wire-Type Tunnel FETs Considering Tunneling Path Lengths
学会名 International Workshop on Computational Electonics
主催者 IEEE EDS
開催日,場所 2013.6.7, Nara
17 発表者 Potential of GeSn and GeSiSn for Future Nanoelectronic Device Applications
タイトル S. Zaima
学会名 JSPS Core-to-Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
主催者 JSPS Core-to Core Program
開催日,場所 2013.6.6, Fukuoka
16 発表者 M.Ono, T.Tezuka
タイトル SNM Improvement for SRAMs Composed of High Mobility Channel MOSFETs
学会名 International Workshop on Computational Electronics
主催者 IEEE, EDS
開催日,場所 2013.6.5, Nara
15 発表者 S.Ike, Y.Moriyama, M.Kurosawa, N.Taoka, O.Nakatsuka, Y.Imai, S.Kimura, T.Tezuka, S.Zaima
タイトル Formation and Characterization of Locally Strained Ge1-xSnx/Ge Microstructures
学会名 The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
主催者 Organizers of the ISCSI-IV
開催日,場所 2013.6.4, Kyushu Univ.
14 発表者 Y.Moriyama, S.Takeuchi, K.Ikeda, Y.Kamimuta, A.Sakai, K.Izunome, T.Tezuka
タイトル Quantitative Evaluation of Bonding Strength of hybrid-BOX GeOI
学会名 The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
主催者 Organizers of the ISCSI-IV
開催日,場所 2013.6.4, Kyushu Univ.
13 発表者 K.Usuda, D.Kosemura, K.Ikeda, H.Hashiguti, M.Tomita, A.Ogura, T.Tezuka
タイトル Characterization of anisotropic strain relaxation of Ge-rich SGOI nanowire formed by the two-step Ge-condensation technique with high-NA and oil-immersion Raman spectroscopy
学会名 The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
主催者 Organizers of the ICSI-8
開催日,場所 2013.6.4, Kyushu Univ.
12 発表者 Y.Moriyama, Y.Kamimuta, Y.Kamata, K.Ikeda, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル Reduction of Contact Resistance of Metal / n+-Ge by In-situ Phosphorus-doped Ge Epitaxy
学会名 The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)
主催者 Organizers of the ICSI-8
開催日,場所 2013.6.3, Kyushu Univ.
11 発表者 K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura, and A. Toriumi
タイトル Estimation of DOS in graphene in contact with metals by quantum capacitance measurment
学会名 The 40th Int. Symp. on Compound Semiconductors
主催者 CSW2013 Committee
開催日,場所 2013.5.22, Kobe
10 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, K.Tsukagoshi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Current On-Off Operation of Graphene Transistor with Dual Gates and He Ion Irradiated Channel
学会名 ISCS2013
主催者 CSW2013 Committee
開催日,場所 2013.5.22, Kobe
9 招待講演
発表者 長汐晃輔
タイトル Si集積化の限界を超える - グラフェンFET実現へ向けて -
学会名 SEMI FORUM
主催者 SEMIジャパン
開催日,場所 2013.5.21, 大阪
8 発表者 A.Toriumi, K.Nagashio, T.Moriyama, R.Ifuku
タイトル Graphene underneath Metals
学会名 223rd ECS Meeting
主催者 The Electrochmical Society
開催日,場所 2013.5.15, Toronto, Canada
7 発表者 M.Tomita, D.Kosemura, K.Usuda, A.Ogura
タイトル Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate
学会名 223rd ECS Meeting
主催者 The Electrochmical Society
開催日,場所 2013.5.14, Toronto, Canada
6 招待講演
発表者 Shintaro Sato and Naoki Yokoyama
タイトル Graphene Nanoribbon Growth and Dual-Gated Graphene Transistors
学会名 223rd ECS Meeting
主催者 The Electrochmical Society
開催日,場所 2013.5.13, Toronto, Canada
5 発表者 W.Mizubayashi, K.Fukuda, T.Mori, K.Endo, Y.X.Liu, T.Matsukawa, S.O'uchi, Y.Ishikawa, S.Migita, Y.Morita, A.Tanabe, J.Tsukada, H.Yamauchi, M.Masahara, H.Ota
タイトル Analysis of Threshold Voltage Shifts in Double Gate Tunnel FinFETs: Effects of Improved Electrostatics by Gate Dielectrics and Back Gate Effects
学会名 2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
主催者 ITRI、IEEE EDS
開催日,場所 2013.4.23, Hsinchu, Taiwan
4 発表者 Y.Kamimuta, K.Ikeda, K.Furuse, T.Irisawa, T.Tezuka
タイトル Short Channel Poly-Ge Junction-less p-type FinFETs for BEOL Transistors
学会名 2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
主催者 ITRI、IEEE EDS
開催日,場所 2013.4.23, Hsinchu, Taiwan
3 発表者 J.Tominaga, A.V.Kolobov, P.Fons, M.Hase, S.Murakami
タイトル Spin Storage in Interfacial Phase Change Memory Using Topological Insulating Property
学会名 2013 MRS Spring Meeting & Exhibits
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2013.4.4, San Francisco, U.S.A
2 発表者 J.H.Richter, P.Fons, A.Kolobov, J.Tominaga, T.Nakano, X.Wang, K.Mitrofanov, H.Osawa, M.Suzuki
タイトル Nanometer Resolution XANES Imaging of In situ Switched Individual PC-RAM Devices
学会名 2013 MRS Spring Meeting & Exhibits
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2013.4.4, San Francisco, U.S.A
1 発表者 A.Kolobov, P.J.Fons, J.Tominaga
タイトル Crucial Role of Te Lone-pair Electrons in GeSbTe Phase Change Memory Alloys
学会名 2013 MRS Spring Meeting & Exhibits
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2013.4.4, San Francisco, U.S.A
*:招待講演