番号 概 要
80 査読
著者 M.Koike, Y.Kamimta. E.Kurosawa, T.Tezuka
タイトル NiGe/n+Ge Junctions with Ultralow Contact Resistivity Formed by Two-step P-ion Implantation
誌名 APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻・号(年)頁 in press
79 査読
著者 M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, Y.Takakuwa, M.Nihei, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Intercalated Multilayer Graphene Wires and Metal/Multilayer Graphene Hybrid Wires Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
誌名 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻・号(年)頁 Vol.53 (2014) pp. 04EB05
78 査読
著者 Shu Nakaharai, Tomohiko Iijima, Shinichi Ogawa, Song-Lin Li, Kazuhito Tsukagoshi, Shintaro Sato, and Naoki Yokoyama
タイトル Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors
誌名 IEEE Transactions on Nanotechnology
巻・号(年)頁 in press
77 査読
著者 J. Wipakorn, T. Maeda, N. Miyata, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Yasuda
タイトル Self-Limiting Growth of Ultrathin Ga2O3 for the Passivation of Al2O3/InGaAs Interfaces
誌名 APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻・号(年)頁 Vol. 7 No.1 (2013) pp.011201-1
76 査読
著者 J.Tominaga, A.V.Kolobov, P.Fons, T.Nakano, S.Murakami
タイトル Ferroelectric Order Control of the Dirac-Semimetal Phase in GeTe-Sb2Te3 Superlattices
誌名 Advanced Materials Interfaces
巻・号(年)頁 in press
75 査読
著者 Katsunori Yagi, Ayaka Yamada, Kenjiro Hayashi, Naoki Harada, Shintaro Sato and Naoki Yokoyama
タイトル Dependence of Field-Effect Mobility of Graphene Grown by Thermal Chemical Vapor Deposition on its Grain Size
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 52 (2013) pp. 110106
74 査読
著者 T.Mori, T.Yasuda, K.Fukuda, Y.Morita, S.Migita, A.Tanabe, T.Maeda, W.Mizubayashi, S.O’uchi, Y.Liu, M.Masahara, N.Miyata, H.Ota
タイトル Unexpected equivalent-oxide-thickness dependence of the subthreshold swing in tunnel field-effect transistors
誌名 APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻・号(年)頁 Vol. 7 (2014) pp. 024201
73 査読
著者 N.Harada, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Computational study on electrical properties of transition metal dichalcogenide field-effect transistors with strained channel
誌名 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻・号(年)頁 Vol. 115 (2014) pp. 034505
72 査読
著者 H. Nakano, M. Takahashi, M. Sato, M. Kotsugi, T. Ohkochi, T. Muro, M. Nihei, and N. Yokoyama
タイトル Picoampere Resistive Switching Characteristics Realized with Vertically Contacted Carbon Nanotube Atomic Force Microscope Probe
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 (2013) pp.110104
71 査読
著者 Yen-Fu Lin, W.Li, S.-L.Li, Y. Xu, A.Aparecido-Ferreira, K.Komatsu, H.Sun, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Barrier inhomogeneities at vertically stacked graphene-based heterostructures
誌名 Nanoscale
巻・号(年)頁 Vol. 6 No.2 (2014) pp. 795
70 査読
著者 M.Sato, S.Ogawa, M.Inukai, E.Ikenaga, T.Muro, Y.Takakuwa, M.Nihei, N. Yokoyama
タイトル Electrical Properties and Reliability of Networked-Nanographite Wires Grown on SiO2 Dielectric without Catalysts for Multi-layer Graphene Interconnects
誌名 MICROELECTRONIC ENGINEERING
巻・号(年)頁 Vol. 112 (2013) pp.110
69 査読
著者 T.Shintani, T.Saiki
タイトル Dependence of Switching Characteristics of GeTe/Sb2Te3 Superlattice Phase Change Materials on Electric Pulse Width and Optical Polarization Direction
誌名 APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻・号(年)頁 Vol.6 (2013) pp.111401
68 査読
著者 K.Fukuda, T.Mori, W.Mizubayashi, Y.Morita, A.Tanabe, M.Masahara, T.Yasuda, S.Migita, H.Ota
タイトル A compact model for tunnel field-effect transistors incorporating nonlocal band-to-band tunneling
誌名 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻・号(年)頁 Vol.114 (2013) pp.144512
67 査読
著者 A. Kawabata, T. Murakami, M. Nihei and N. Yokoyama
タイトル Long Length, High-Density Carbon Nanotube Film Grown by Slope Control of Temperature Profile for Applications in Heat Dissipation
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 (2013) pp.110117
66 査読
著者 H.Oomine, D.H.Zadeh, K.Kakushima, Y.Kataoka, A.Nishiyama, N.Sugii, H.Wakabayashi, K.Tsutsui, K.Natori, H.Iwai
タイトル Electrical characterization of atomic layer deposited La2O3 films on In0.53Ga0.17As substrates
誌名 ECS Transactions
巻・号(年)頁 Vol.58 No.7 (2013) pp.385
65 査読
著者 H.S.Song, S.-L.Li, L.Gao, Y. Xu, K.Ueno, Y.B.Cheng, K.Tsukagosh
タイトル High-Performance Top-Gated Monolayer SnS2 Field-Effect Transistors and Their Integrated Logic Circuits
誌名 Nanoscale
巻・号(年)頁 Vol.5 No.20 (2013) pp. 9666-9670
64 査読
著者 M.-Y. Chan, K. Komatsu, S.-L.Li, Y.Xu, P.Darmawan, H.Koramochi, S.Nakaharai, K.Watanabe, T.Taniguchi, K.Tsukagoshi
タイトル Suppression of thermally activated carrier transport in atomically thin MoS2 on crystalline hexagonal Boron Nitride substrates
誌名 Nanoscale
巻・号(年)頁 Vol.5 No.20 (2013) pp. 9572
63 査読
著者 N.Harada, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Theoretical Investigation of Graphene Nanoribbon FETs Designed for Digital Applications
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 (2013) pp.094301
62 査読
著者 R.Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
タイトル The density of states of graphene underneath a metal electrode and its correlation with the contact resistivity
誌名 Appl. Phys. Lett.
巻・号(年)頁 Vol. 103 No. (2013) pp. 033514
61 査読
著者 T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
タイトル Carrier density modulation in graphene underneath the Ni electrode
誌名 J. Appl. Phys.
巻・号(年)頁 Vol. 114 No. (2013) pp. 024503
60 査読
著者 S.-L. Li, K.Wakabayashi, Y.Xu, Y.-F.Lin. M.Y.Chen, K.Komatsu, S.Nakaharai, A.Aparecido-Ferreira, W.W. Li, K.Tsukagoshi
タイトル Thickness-Dependent Interfacial Coulomb Scattering in Atomically Thin Field-Effect Transistors
誌名 Nano Letters
巻・号(年)頁 Vol.13 No.8 (2013) pp. 3546
59 査読
著者 W.Li, S-L.Li, K.Komatsu, A.A-Ferreira, Y-F. Lin, Y.Xu, M.Osada, T.Sasaki, K.Tsukagoshi
タイトル Realization of graphene field-effect transistor with high-j HCa2Nb3O10 nanoflake as top-gate dielectric
誌名 Applied Physics Letters
巻・号(年)頁 Vol.7 No.7 (2013) pp.7381
58 査読
著者 S-L.Li, H.Miyazaki, H.Song, H.Kuramochi, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Quantitative Raman Spectrum and Reliable Thickness Identification for Atomic Layers on Insulating Substrates
誌名 ACS NANO
巻・号(年)頁 Vol.7 No.7 (2013) pp.7381
57 査読
著者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Suzuki, S-L. Li, K.Tsukagoshi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Conduction Tuning of Graphene Based on Defect-Induced Localization
誌名 ACS NANO
巻・号(年)頁 Vol.7 No.7 (2013) pp.5694
56 査読
著者 Y Takagaki, A Giussani, J Tominaga, U Jahn, R Calarco
タイトル Transport properties in a Sb–Te binary topological-insulator system
誌名 Journal of Physics: Condensed Matter
巻・号(年)頁 Vol.25 (2013) pp.345801
55 査読
著者 S.Soeya, T.Shintani, T.Odaka, R.Kondou, J.Tominaga
タイトル Ultra-low switching power, crystallographic analysis, and switching mechanism for SnXTe100-X/Sb2Te3 diluted superlattice system
誌名 Applied Physics Letters
巻・号(年)頁 Vol.103 (2013) pp.053103
54 査読
著者 M.Inukai, E.Ikenaga, T.Muro , S.Ogawa, Y.Ojiro, Y.Takakuwa, M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Spectroscopic Analysis of Graphitization and Grain Orientation of Carbon Films Grown by Photoemission-Assisted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 52 (2013) pp. 065503
53 査読
著者 K. Tanaka, N. Aratani, D. Kuzuhara, S. Sakamoto, T. Okujima, N. Ono, H. Uno, H. Yamada
タイトル A soluble bispentacenequinone precursor for creation of directly 6,6′-linked bispentacenes and a tetracyanobipentacenequinodimethane
誌名 RSC Adv.
巻・号(年)頁 Vol. 3 No. (2013) pp. 15310
52 査読
著者 N. Nagamura, K. Horiba, S. Toyoda, S. Kurosumi, T. Shinohara, M. Oshima, H. Fukidome, M. Suemitsu, K. Nagashio, A. Toriumi
タイトル Direct observation of charge transfer region at interfaces in graphene devicve
誌名 Appl. Phys. Lett.
巻・号(年)頁 Vol. 102 No. (2013) pp. 241604
51 査読
著者 Y. Morita, S. Migita, W. Mizubayashi, M. Masahara, and H. Ota
タイトル Two-step annealing effects on ultrathin EOT higher-k (k = 40) ALD-HfO2 gate stacks
誌名 Solid-State Electronics
巻・号(年)頁 Vol.84 (2013) pp.58
50 査読
著者 K.Usuda, T.Tezuka, D.Kosemura, M.Tomita, A.Ogura
タイトル Characterization of anisotropic strain relaxation after isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method
誌名 Solid-State Electronics
巻・号(年)頁 Vol.83 (2013) pp.46
49 査読
著者 Y.Moriyama, K.Ikeda, Y.Kamimuta, M.Oda, T.Irisawa, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers
誌名 Solid-State Electronics
巻・号(年)頁 Vol. 83 (2013) pp.42
48 査読
著者 Y. Morita, T. Mori, S. Migita, W. Mizubayashi, A. Tanabe, K. Fukuda, M. Masahara, H. Ota
タイトル Tunnel Field-Effect Transistor with Epitaxially Grown Tunnel Junction Fabricated by Source/Drain-First and Tunnel-Junction-Last Processes
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 (2013) pp.04CC25
47 査読
著者 M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, T.Muro, Y.Takakuwa, S.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル High-Current Reliability and Growth Conditions of Multilayer Graphene Wire Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 No.4 (2013) pp.04CB07
46 査読
著者 A.Kawabata, T.Murakami, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Growth of Dense, Vertical and Horizontal Graphene and its Thermal Property
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 No.4 (2013) pp.04CB06
45 査読
著者 M.Tomita, M.Nagasaka, D.Kosemura, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 No.4 (2013) pp.04CA06
44 査読
著者 D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Measurements of Anisotropic Biaxial Stresses in Si1-xGex/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 No.4 (2013) pp.04CA05
43 査読
著者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Fabrication and Demonstration of 3-nm-Channel-Length Junctionless Field-Effect Transistors on Silicon-On-Insulator Substrates Using Anisotropic Wet Etching and Lateral Diffusion of Dopants
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.52 No.4 (2013) pp.04CA01
42 査読
著者 Junichi Yamaguchi, Kenjiro Hayashi, Shintaro Sato, and Naoki Yokoyama
タイトル Passivating chemical vapor deposited graphene with metal oxides for transfer and transistor fabrication processes
誌名 Applied Physics Letters
巻・号(年)頁 Vol.102 No.14 (2013) pp.143505
41 査読
著者 M.Krbal, A.V.Kolobov, P.Fons, K.V.Mitrofanov, Y.Tamenori, J.Hegedüs, S.R.Elliott, J.Tominaga
タイトル Selective detection of tetrahedral units in amorphous GeTe-based phase change alloys using Ge L3-edge x-ray appearance near-edge structure spectroscopy
誌名 APPLIED PHYSICS LETTERS
巻・号(年)頁 Vol.102 (2013) pp.111904
40 査読
著者 K.Johguchi, T.Shintani, T.Morikawa, K.Yoshioka, K.Takeuchi
タイトル x10 Fast Write, 80% Energy Saving Temperature Controlling Set Method for Multi-Level Cell Phase Change Memo-ries to Solve the Scaling Blockade
誌名 Solid-State Electronics
巻・号(年)頁 Vol. 81 (2013), pp. 78
39 査読
著者 T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
タイトル Influence of Sn Incorporation and Growth Temperature on Crystallinity of Ge1-xSnx Layers Heteroepitaxially Grown on Ge(110) Substrates
誌名 Thin Solid Films
巻・号(年)頁 Vol531 (2013) pp.504-508
38 査読
著者 K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Anisotropic graphene growth accompanied with step bunching on a dynamic copper surface
誌名 NANOTECHNOLOGY
巻・号(年)頁 Vol.24 No.2 (2013) pp.025603
37 査読
著者 A.Sakai, S.Yamasaka, J.Kikkawa, S.Takeuchi, Y.Nakamura, Y.Moriyama, T.Tezuka, K.Izunome
タイトル Ge-on-insulator, wafer bonding, MOSFET, mobility, interface state density
誌名 ECS Transaction
巻・号(年)頁 Vol.50 (2013) pp.709-725
36 査読
著者 A.A.Ferreira, H.Miyazaki, S.Li, K.Komatsu, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Enhanced current-rectification in bilayer graphene with an electrically tuned sloped bandgap
誌名 NANOSCALE
巻・号(年)頁 Vol.4 No.24 (2012) pp.7842
35 査読
著者 D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, A.Ogura
タイトル Investigation of Phonon Deformation Potentials in Si1-xG0ex by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
誌名 APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻・号(年)頁 Vol.5 (2012) pp.111301
34 査読
著者 J.Tominaga, X.Wang, A.V.Kolobov, P.Fons
タイトル A reconsideration of the thermodynamics of phase-change switching
誌名 Physica Status Solidi (b)
巻・号(年)頁 Vol. 249 No.10 (2012) pp.1932
33 査読
著者 S.Li, H.Miyazaki, H.Song, H.Kuramochi, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Quantitative Raman Spectrum and Reliable Thickness Identification for Atomic Layers on Insulating Substrates
誌名 ACS NANO
巻・号(年)頁 Vol.6 No.8 (2012) pp.7381
32 査読
著者 B.Sa, J.Zhou, Z.Sun, J.Tominaga, R.Ahuja
タイトル Topological Insulating in GeTe/Sb2Te3 Phase-Change Superlattice
誌名 PHYSICAL REVIEW LETTERS
巻・号(年)頁 Vol.109 No.9 (2012) pp.096802
31 査読
著者 S.Soeya, T.Shintani
タイトル Crystalline structure of GeTe layer in GeTe/Sb2Te3 superlattice for phase change memory
誌名 Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.112 (2012) pp.034301
30 査読
著者 K.Hayashi, S.Sato, M.Ikeda, C.Kaneda, N.Yokoyama
タイトル Selective graphene formation on copper twin crystals
誌名 Journal of the American Chemical Society
巻・号(年)頁 Vol.134 No.30 (2012) pp.12492
29 査読
著者 M.V. Lee, H.Hiura, H.Kuramochi, K.Tsukagoshi
タイトル Concerted Chemical-Mechanical Reaction in Catalyzed Growth of Confined Graphene Layers into Hexagonal Disks
誌名 Journal of Physical Chemistry C
巻・号(年)頁 Vol. 116 No.16 (2012) pp.9106-9113
28 査読
著者 H.Miyazaki, S.Li, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Unipolar transport in bilayer graphene controlled by multiple p-n interfaces
誌名 APPLIED PHYSICS LETTERS
巻・号(年)頁 Vol.100 No.16 (2012) pp.163115
27 査読
著者 M.Sato, M.Inukai, E.Ikenaga, T.Muro, S.Ogawa, Y.Takakuwa, H.Nakano, A.Kawabata, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Fabrication of Graphene Directly on SiO2 without Transfer Processes by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 51 (2012) pp.04DB01
26 査読
著者 M.Aizuddin(Keio Univ.), N.Harada, Y.Awano(Keio Univ.)
タイトル Monte Carlo Simulations of High Carrier Velocity Acceleration in Graphene Field Effect Transistors by Local Channel Width Modulation
誌名 Applied Physics Express
巻・号(年)頁 Vol. 5 (2012) pp.045102
25 査読
著者 H. S. Song, S. L. Li, H. Miyazaki, S. Sato, K. Hayashi, A. Yamada, N. Yokoyama, K. Tsukagoshi
タイトル Origin of the relatively low transport mobility of graphene grown through chemical vapor deposition
誌名 Scientific Report
巻・号(年)頁 Vol. 2 (2012) pp. 337/1-6
24 査読
著者 D.Kosemura, K.Usuda, M.Tomita, A.Ogusu
タイトル Evaluation of Anisotropic Strain Relaxation in SSOI Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopys
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.51 No.2 (2012) pp.02BA03
23 査読
著者 H.Miyazaki, S.-L.Li, H.Hiura, K.Tsukagoshi, A.Kanda
タイトル Observation of tunneling current in semiconducting graphene p-n junctions
誌名 Journal of Physical Society of Japan
巻・号(年)頁 Vol.81 No.1 (2012) pp.014708
22 査読
著者 Y.Shimura (Nagoya Univ.), T.Asano (Nagoya Univ.), O.Nakatsuka (Nagoya Univ.), and S.Zaima (Nagoya Univ.)
タイトル Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn
誌名 Applied Physics Express
巻・号(年)頁 Vol.5 No. (2012) pp.015501
21 査読
著者 H.Kuramochi, S.Odaka, K.Morita, S.Tanaka, H.Miyazaki, M.V.Lee, H.Hiura, K.Tsukagoshi
タイトル Role for Atomic Terraces and Steps of Epitaxial Graphene in Electron Transport Properties
誌名 AIP advances
巻・号(年)頁 Vol. 2 No. 1 (2012) pp. 012115/1-10
20 査読
著者 R.E.Simpson, P.Fons, A.V.Kolobov, M.Krabel, J.Tominaga
タイトル Enhanced crystallization of GeTe from an Sb2Te3 template
誌名 APPLIED PHYSICS LETTERS
巻・号(年)頁 Vol.100 (2012) pp.021911
19 査読
著者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, H.Miyazaki(NIMS), S.-L.Li(NIMS), K.Tsukagoshi(NIMS), S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Gate-Controlled P-I-N Junction Switching Device with Graphene Nanoribbon
誌名 APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻・号(年)頁 Vol.5 (2012) pp.015101
18 著者 二瓶 瑞久、川端 章夫、佐藤 元伸、近藤 大雄、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル カーボンナノチューブ/グラフェンによる電気インターコネクション技術
誌名 電子情報通信学会誌
巻・号(年)頁 平成23年12月号
17 査読
著者 H.Miyazaki, S.-L.Li, H.Hiura, K.Tsukagoshi, A.Kanda
タイトル Observation of tunneling current in semiconducting graphene p-n junctions
誌名 Journal of Physical Society of Japan
巻・号(年)頁 Vol. 81 No.1 (2012) pp. 014708/1-7
16 査読
著者 M.V.Lee, H.Hiura, A.Tyurnina, K.Tsukagoshi
タイトル Controllable Gallium Melt-Assisted Interfacial Graphene Growth on SiC
誌名 Diamond and Related Materials
巻・号(年)頁 Vol. 24 (2012) pp.34-38
15 査読
著者 D. Zade (TIT), T. Kanda (TIT), K. Yamashita (TIT), K. Kakushima (TIT), P. Ahmet (TIT), K. Tsutsui (TIT), A. Nishiyama (TIT), N. Sugii (TIT), K. Natori (TIT), T. Hattori (TIT), H. Nohira (TIT), H. Iwai (TIT)
タイトル Capacitance-voltage characterization of La2O3 metal-oxide-semiconductor structures on In0.53Ga0.47As substrate with different surface treatment methods
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 50 (2011) pp. 10PD03
14 査読
著者 J.Tominaga, R E.Simpson, P.Fons, A.V.Kolobov
タイトル Electrical-field induced gaint magnetoresistivity in (non-magnetic) phase change films
誌名 APPLIED PHYSICS LETTERS
巻・号(年)頁 Vol.99 (2011) pp.152105
13 査読
著者 R.E.Simpson, P.Fons, A.V.Kolobov, T.Fukaya, M.Krbal, T.Yagi, J.Tominaga
タイトル Interfacial phase-change memory
誌名 nature nanotechnology
巻・号(年)頁 Vol.6 (2011) pp.501–505
12 査読
著者 C.M.Orofeo(Kyushu Univ.), H.Ago(Kyushu Univ.), B.Hu(Kyushu Univ.), M.Tsuji(Kyushu Univ.)
タイトル Synthesis of large-area, homogeneous, single layer graphene by annealing amorphous carbon on Co and Ni
誌名 Nano Res.
巻・号(年)頁 Vol.4, 531-540 (2011)
11 査読
著者 S.-L.Li(NIMS), H.Miyazaki(NIMS), M.V.Lee(NIMS), C.Liu(NIMS), A.Kanda(Univ. Tsukuba), K.Tsukagoshi(NIMS)
タイトル Complementary-like Semiconducting Graphene Logic Gates Controlled by Electrostatic Doping
誌名 Small
巻・号(年)頁 VOl. 7, 1552-1556 (2011)
10 査読
著者 K. Nagashio, T. Yamashita, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi
タイトル Electrical transport properties of graphene on SiO2 with specific surfacestructures
誌名 Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 110 (2011) pp. 024513
9 査読
著者 K.Nagashio(Univ. Tokyo), A.Toriumi(Univ. Tokyo)
タイトル Density-of-States Limited Contact Resistance in Graphene Field-Effect Transistors
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 50 (2011) 070108
8 査読
著者 D.Zade(TIT), K.Kakushima(TIT), T.Kanda(TIT), Y.C.Lin(Chiao Tung Univ.), P.Ahmet(TIT), K.Tsutsui(TIT), A.Nishiyama(TIT), N.Sugii(TIT), E.Y.Chang(Chiao Tung Univ.), K.Natori(TIT), T.Hattori(TIT), H.Iwai(TIT)
タイトル Improving electrical characteristics of W/HfO2/In0.53Ga0.47As gate stacks by altering deposition techniques
誌名 Microelectronic Engineering
巻・号(年)頁 Vol. 88, pp. 1109-1112 (2011)
7 査読
著者 T.Mori, T.Yasuda, T.Maeda, W.Mizubayashi, S.Ouchi, Y.Liu, K.Sakamoto, M.Masahara, H.Ota
タイトル Tunnel field effect transistors with extremely low off-current using shadowing effect in drain implantation
誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol. 50 (2011) 06GF14
6 査読
著者 N.Harada, Y.Awano(慶大), S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Monte Carlo simulation of electron transport in a graphene diode with a linear energy band dispersion
誌名 Journal of Applied Physics
巻・号(年)頁 Vol.109 104509 (2011)
5 査読
著者 S.Sato, K.Yagi, D.Kondo, K.Hayashi, A.Yamada, N.Harada, N.Yokoyama
タイトル Large-Area Synthesis of Graphene by Chemical Vapor Deposition and Transfer-Free Fabrication of Field-Effect Transistors
誌名 ECS Transactions
巻・号(年)頁 Vol. 35 No. 3 (2011) pp. 219
4 査読
著者 T.Kanda(TIT), D.Zade(TIT), Y.–C.Lin(TIT), K.Kakushima(TIT), P.Ahmet(TIT), K.Tsutsui(TIT), A.Nishiyama(TIT), N.Sugii(TIT), E.Y.Chang(TIT), K.Natori(TIT), T.Hattori(TIT), H.Iwai(TIT)
タイトル Annealing Effect on the Electrical Properties of La2O3/InGaAs MOS Capacitors
誌名 ECS Transactions
巻・号(年)頁 Vol. 34, pp. 483-487 (2011)
3 著者 佐藤元伸,小川修一(東北大),池永英司(JASRI),高桑雄二(東北大),二瓶瑞久,横山直樹
タイトル 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線
誌名 電子情報通信学会技術研究報告
巻・号(年)頁 SDM2010-222 pp.37-42
2 査読
著者 S.-L.Li(NIMS), H.Miyazaki(NIMS), H.Hiura(NIMS), C.Liu(NIMS), K.Tsukagoshi(NIMS)
タイトル Enhanced Logic Performance with Semiconducting Bilayer Graphene Channels
誌名 ACS nano
巻・号(年)頁 Vol.5, 500-506 (2011)
1 査読
著者 H.Ago(Kyushu Univ.), Y.Ito(Kyushu Univ.), N.Mizuta(Kyushu Univ.), K.Yoshida(Kyushu Univ.), B.Hu(Kyushu Univ.), C.M.Orofeo(Kyushu Univ.), M.Tsuji(Kyushu Univ.), K.Ikeda(Kyushu Univ.), S.Mizuno(Kyushu Univ.)
タイトル Epitaxial chemical vapor deposition growth of single-layer graphene over cobalt film crystallized on sapphire
誌名 ACS Nano
巻・号(年)頁 Vol.4, 7407-7414 (2010)