過去のトピックス

2013年12月20日

GNC最終成果報告会を開始しました

FIRSTプログラムの最終年度に当たり、GNCに於ける4年間の研究成果の集大成を報告します。意見交換会も行いますので、是非ご参加ください。

※ 当日は約400名の参加者があり、活発な議論が交わされました。
多数の方のご参加に感謝いたします。
写真レポートを掲載しましたのでご覧ください。

日 時:
2013年12月17日(火) 10:00-18:00
場 所:
イイノホール&カンファレンスセンター
(東京都千代田区内幸町2-1-1 飯野ビルディング4階)
参加費:
無料(意見交換会参加費:3000円)
グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会  2013年12月17日(火)イイノホール & カンファレンスセンター

[http://www.gnc-sympo.jp/]GNC最終成果報告会へ

2013年6月21日

Geナノワイヤトランジスタで世界最高移動度達成

圧縮ひずみを導入したGeナノワイヤpMSOFETを試作し、Siの約12倍にあたる1900cm²/Vsの正孔移動度を達成しました。Al2O3ゲート絶縁膜とGeとの間に、プラズマ酸化による極薄Ge酸化膜を挿入したことがポイント。その結果、ゲート絶縁膜界面の品質が向上し、移動度が向上するとともに、オフリーク電流が1/100程度に減少しました。これらの特性向上は、CMOSの低電圧動作による消費電力低減に大きく寄与することが期待されます。

図 Geナノワイヤトランジスタで世界最高移動度達成グラフ

2013年6月20日

GNCの研究成果3件を報道発表しました

試作したチャネル長3 nmのトランジスタの電子顕微鏡像

多結晶ゲルマニウムトランジスタ

FETの材料を多結晶のGeとすることで、FETを積み重ねた3次元集積回路の実現に新たな道を開きました。

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GeとInGaAsを積層したCMOSインバーター

GeとInGaAsを積層したCMOSインバーター

n型InGaAsとp型GeのFETを積み重ねることで、SiのFETよりも小型で消費電力の小さいLSIが実現できることを実証しました。

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新構造トンネルFET

新構造トンネルFET

チャネルの周囲にゲート電極を配置した立体構造とすることで、従来の10~100倍の電流が流せるトンネルFETが実現できました。

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多層グラフェンを用いた微細配線作製技術

多層グラフェンを用いた微細配線作製技術

化学気相合成した多層グラフェンの層間に異種分子を挟み込むことにより、これまでの1/10の抵抗率が得られました。

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2013年3月25日

GNC成果報告会を開催しました

当日は約350名の参加者があり、盛況のうちに終了しました。
多数の方のご参加ありがとうございました。

写真報告ページを更新しましたので、ご覧下さい。
成果報告会 開催報告ページ


日 時:
2013年3月13日(水) 10:00~18:00
場 所:
一橋講堂
(東京都千代田区一ツ橋2-1-2 学術総合センター内)
参加費:
無料(意見交換会参加費:3000円)
2013年 成果報告会 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 2013年3月13日(水) 一橋講堂

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2012年12月13日

GNCの研究成果2件を報道発表しました

試作したチャネル長3 nmのトランジスタの電子顕微鏡像

チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功

シリコン結晶をアルカリ溶液で溶解したときにできるV型の溝を利用して、非常に小さなトランジスタを作成しました。

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試作したチャネル長3 nmのトランジスタの電子顕微鏡像

新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発

グラフェンにヘリウムイオンを照射することで、まったく新しい動作原理のトランジスタを開発しました。

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2012年10月24日

GNCの研究成果2件を報道発表

トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発

トンネル効果のような強い電界下での電子の挙動を予想するシミュレーションモジュールを開発しました。

関連記事:主要研究実績
詳しくはこちら[産総研ウェブサイトへ]


グラフェンの新しい伝導制御技術を開発

これまで難しかったグラフェンのオン・オフ動作を、ヘリウムイオンを照射するという簡単な方法で実現しました。

関連記事:主要研究実績
詳しくはこちら[産総研ウェブサイトへ]

2012年8月29日

GNCの投稿論文がSSDM2012の注目論文に選定

9月25-27日に京都で行われるSSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials) 2012において、GNCの中払周(なかはらい・しゅう)研究員が投稿した下記の論文が、注目論文に選ばれました。是非ご聴講ください。

詳しくはこちら

論文タイトル Room Temperature On-Off Operation of Current in He Ion Irradiated Graphene
発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Suzuki, H.Miyazaki, S.Li, K.Tsukagoshi, S.Sato and N.Yokoyama
開催日 2012年9月25日〜27日
開催場所 国立京都国際会館
主催 SSDM 2012 [http://www.ssdm.jp/]

2012年6月15日

GNCで高性能歪ゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現

GNCでは、ナノワイヤトランジスタのGeチャネルに大きな圧縮ひずみを入れることで、正孔移動度がSiトランジスタの約8倍と、世界最高レベルの高い電流駆動力を持つトランジスタを実現しました。このトランジスタはチャネルに不純物をドープしないため、特性のばらつきも抑制され、 LSIの大幅な消費電力低減に寄与すると期待されます。

詳しくはこちら

トピックス 図1トピックス 図2

2011年12月6日

GNC国際シンポジウムを開催しました!

日時:2012年3月14日(水) 10:00~18:00
場所:日本科学未来館 (7階 みらいCANホール)
シンポジウム参加費:無料 (懇親会参加費:3000円)

GNCの中間報告に加えて、国内外の招聘者の講演と討論会を交えた国際シンポジウムを開催しました。

詳しくは下記バナーをクリック
Networking Reception

当日の講演資料と、写真レポートを掲載しました。

2011年10月18日

相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現

GNCの相変化メモリー(バックエンドデバイス)の研究の中から、常温で巨大な磁気抵抗効果が発見されました。ゲルマニウム-テルル合金と、アンチモン-テルル合金との超格子型相変化メモリー構造により、磁性材料を一切使わずとも、室温で2000%以上の磁気抵抗効果が発現されています。

詳細はこちらをご覧ください

図 超格子相変化膜を備えたPCRAMデバイスのスイッチ動作 Copyright: American Institute of Physics

2011年9月12日

受賞者 近藤大雄、佐藤信太郎、八木克典、原田直樹、佐藤元伸、二瓶瑞久、横山直樹
論文タイトル Low-Temperature Synthesis of Graphene and Fabrication of Top-Gated Field Effect Transistors without Using Transfer Processes
掲載号 Appl. Phys. Express 3 (2010) 025102