番号 概要
128 招待講演
発表者 近藤 大雄
タイトル Graphene and device applications
学会名 ISEN2012
主催者 北陸先端大
開催日,場所 2012/3/28, 北陸先端大
127 発表者 小瀬村 大亮(明治大)、富田 基裕(明治大)、臼田 宏治、小椋 厚志(明治大)
タイトル 液浸ラマン分光法による歪SiGeの異方性応力評価
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/18, 早稲田大学
126 発表者 富田 基裕(明治大)、小瀬村 大亮(明治大)、臼田 宏治、小椋 厚志(明治大)
タイトル 有限要素法による微細構造歪SiGe層の異方性応力緩和評価
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/18, 早稲田大学
125 発表者 入沢 寿史、小田 穣、手塚 勉
タイトル 微細メタルS/D InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金層の形成とその熱的安定性
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/18, 早稲田大学
124 招待講演
発表者 長汐晃輔 鳥海明
タイトル メタル直下のグラフェン電子輸送特性の理解とコンタクト抵抗への影響
学会名 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/17, 早稲田大学(東京)
123 発表者 小田 穣、入沢 寿史、上牟田 雄一、手塚 勉
タイトル Al/HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As MISCAPにおける界面特性とEOTに対するAl2O3膜厚の影響
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/17, 早稲田大学
122 発表者 中払 周、飯島 智彦、小川 真一、宮崎久生(NIMS)、黎松林(NIMS)、塚越一仁(NIMS)、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル ゲート制御されたP-I-N接合を有するグラフェンナノリボン素子
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/17, 早稲田大学
121 発表者 山田 綾香、林 賢二郎、八木 克典、原田 直樹、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル グラフェンのグレインサイズ、方位の成長条件依存性
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/17, 早稲田大学
120 発表者 佐藤 元伸、高橋 慎、中野 美尚、村上 智、川端 章夫、二瓶 瑞久、横山 直樹
タイトル スパッタアモルファスカーボンの熱処理により成膜した多層グラフェン配線
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/17, 早稲田大学
119 発表者 吉岡和顕(東大)、上口光(東大)、新谷 俊通、森川 貴博、竹内健(東大)
タイトル 温度制御による相変化メモリの低電力書込み手法
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/16, 早稲田大学
118 発表者 森 貴洋、福田 浩一、田邊 顕人、前田 辰郎、水林 亘、大内 真一、柳 永勛、昌原 明植、安田 哲二、太田 裕之
タイトル TFET 特性へのゲートリーク電流の影響-シミュレーションによる検討
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/16, 早稲田大学
117 発表者 森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、昌原 明植、太田 裕之
タイトル Siエピタキシャル成長による急峻トンネル接合を用いたTFETの形成
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/16, 早稲田大学
116 発表者 林 賢二郎、佐藤 信太郎、池田 稔(富士通)、金田 千穂子(富士通)、横山 直樹
タイトル Cu双晶表面を用いた自己組織化的グラフェンリボン成長
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/16, 早稲田大学
特記事項 応用物理学会「講演奨励賞」受賞
115 発表者 中野 美尚、高橋 慎、川端 章夫、佐藤 元伸、二瓶 瑞久、村上 智、横山 直樹
タイトル ReRAMにおける電極微細化の効果と抵抗変化領域の解析
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/16, 早稲田大学
114 発表者 右田 真司、太田 裕之
タイトル ショットキーソース型トンネルトランジスタにおけるシリサイド結晶相と接合位置の重要性
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/16, 早稲田大学
113 発表者 鈴木佑哉、細井隆司、Darius Zade、角嶋邦之、Parhat Ahmet、西山彰、杉井信之、筒井一生、片岡好則、名取研二、服部健雄、岩井洋 (全て東工大)
タイトル In0.53Ga0.47As表面窒化がLa2O3/ In0.53Ga0.47Asキャパシタの電気特性に及ぼす影響
学会名 第59回応用物理関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/15, 早稲田大学
112 招待講演
発表者 横山 直樹
タイトル 最先端研究開発支援プログラム「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」
学会名 第59回 応用物理学関係連合講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/15, 早稲田大学
111 発表者 N.Yokoyama
タイトル FIRST Program: Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
110 発表者 T.Tezuka, T.Irisawa, M.Oda, K.Ikeda, K.Usuda, Y.Kamimuta, M.Ono, M.Koike, Y.Moriyama, Y.Kamata, K.Furuse, E.Kurosawa
タイトル Research and Development of High-Mobility and Non-Planar Channel CMOS Technologies
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
109 発表者 H.Ota
タイトル Research and Development of Steep Slope CMOS Devices
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
108 発表者 K.Hata
タイトル Synthesis and Device Application of CNT
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
107 発表者 Shintaro Sato, Kenjiro Hayashi, Shu Nakaharai, Ayaka Yamada, Katsunori Yagi, Junichi Yamaguchi, Masakatsu Ito, Daiyu Kondo, Naoki Harada
タイトル Synthesis and Transistor Application of Graphene
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
106 発表者 M.Nihei, M.Sato, H.Nakano, M.Takahashi, T.Murakami, A.Kawabata
タイトル CNT/Graphene Interconnects
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
105 発表者 J.Tominaga
タイトル Development of Low Power Superlattice Phase-Change Materials
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
104 発表者 T.Shintani
タイトル Development of Processing Technology for Low Power Superlattice Phase-Change Devices
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
103 発表者 T.Irisawa, M.Oda, T.Tezuka
タイトル Formation of Extremely Thin and Uniform Ni-InGaAs Alloyed Contact for Scaled Metal S/D InGaAs MOSFETs
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
102 発表者 M.Oda, T.Irisawa, Y.Kamimuta, T.Tezuka
タイトル Effects of Al2O3 Layer Thickness on Electrical Characteristics of Al/HfO2 /Al2O3 / In0.53Ga0.47As MISCAP
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
101 発表者 (Nagoya Univ.) O.Nakatsuka, T.Asano, J.Yokoi, Y.Shimura, S.Zaima
タイトル Epitaxial Growth and Metal Germanidation Technology on Ge(110) Substrates for Ge Nanoelectronics
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
100 発表者 (Tokyo Inst.Tech.) K.Kakushima, D.Zade, T.Kawanago, H.Iwai
タイトル High-k Gate Dielectrics for InGaAs Substrates
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
99 発表者 M.Tomita (Meiji Univ.), D.Kosemura (Meiji Univ.), K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura (Meiji Univ.)
タイトル Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layers by FEM Simulation
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
98 発表者 D.Kosemura (Meiji Univ.), M.Tomita (Meiji Univ.), K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura (Meiji Univ.)
タイトル Biaxial Stress Measurements in Mesa-Shaped Strained Si Layers by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
97 発表者 T.Mori, K.Fukuda, A.Tanabe, T.Maeda, W.Mizubayashi, S. O’uchi, Y.Liu, M.Masahara, T.Yasuda, H.Ota
タイトル Impacts of EOT Scaling on SOI Tunnel FETs and Demonstration of 33mV/decade Subthreshold Slope
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
96 発表者 S.Migita, H.Ota
タイトル Fabrication of Silicon Tunnel-FETs Using Epitaxial NiSi2 Schottky Source Junctions and Dopant Segregation Technique
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
95 発表者 K.Fukuda, T.Mori, W.Mizubayashi, Y.Morita, A.Tanabe, M.Masahara, T.Yasuda, S.Migita, H.Ota
タイトル TCAD-Based Modeling of Tunnel FETs
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
94 発表者 S.Sakurai, M.Yamada, H.Nakamura, D.Futaba, K.Hata
タイトル Control of the Metal/Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes Ratio through Pre-annealing Catalyst Nanoparticle
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
93 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, H.Miyazaki, S.Li, K.Tsukagoshi, S.Sato
タイトル Gate-Controlled P-I-N Junction Switching Device with Graphene Nanoribbon
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
92 発表者 K.Hayashi, S.Sato
タイトル Anisotropic Graphene Growth and Step Bunching on Copper Surface
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
91 発表者 A.Yamada, K.Hayashi, M.Tsukahara, S.Ogawa, S.Sato
タイトル Dependence of Graphene Grain Sizes on CVD Growth Conditions
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
90 発表者 H. S. Song, S. L. Li, H. Miyazaki, S. Sato, K. Hayashi, A. Yamada, N.Yokoyama, K.Tsukagoshi
タイトル Investigation to low transport mobility of graphene grown through chemical vapor deposition
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
89 発表者 K. Nagashio and A. Toriumi
タイトル Electrical Transport in graphene underneath the metal electrode
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
88 発表者 N.Abe, A.Yamada, K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama, Y.Niida, K.Nagase, Y.Hirayama
タイトル Low Temperature Transport Characteristics of CVD Grown Graphene
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
87 発表者 A.Mohamad, N.Harada,Y.Awano
タイトル Monte Carlo Simulations of High Carrier Velocity Acceleration in Graphene Field Effect Transistors by Local Channel Width Modulation
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
86 発表者 A.Kawabata, H.Nakano, M.Takahashi, M.Sato, M.Nihei
タイトル Carbon Nanotube and Graphene Contact Structure Analysis by using Cross Sectional TEM-EELS
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
85 発表者 M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, T.Murakami, A.Kawabata, M.Nihei
タイトル Fabrication of Graphene Directly on SiO2 without Transfer Processes by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
84 発表者 H.Nakano, M.Takahashi, T.Murakami, A.Kawabata, M.Sato, M.Nihei
タイトル Pico-Ampere Switching ReRAM with Vertically Contacted 5 nm-diameter Carbon Nanotube Electrodes for BEOL-Based Memory
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
83 発表者 S.Ogawa(Tohoku Univ.), Y.Ojiro(Tohoku Univ.), M.Inukai(JASRI), M.Sato, E.Ikenaga(JASRI), T.Muro(JASRI), M.Nihei, Y.Takakuwa(Tohoku Univ.), N.Yokoyama
タイトル Initial Growth Mechanism of Multilayer Graphene on SiO2/Si Substrates Using Photoemission-Assisted Plasma-Enhanced CVD
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
82 発表者 T.Muro(JASRI), I.Manabu(JASRI), E.Ikenaga(JASRI), S.Ogawa(Tohoku Univ.), Y.Ojiro(Tohoku Univ.), Y.Takakuwa(Tohoku Univ.), M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル "Spectroscopic Analysis of Multilayer Graphene Films at SPring-8 for Realizing Nanocarbon Interconnects of Future Low Power LSI"
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
81 発表者 T.Odaka, T.Shintani, T.Morikawa, J.Tominaga, H.Itoh
タイトル AFM Study for Electric Characteristics of Phase Change Superlattice Film
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
80 発表者 S.Soeya, T.Shintani
タイトル Crystalline structure of GeTe layer in the GeTe/Sb2Te3 superlattice
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
79 発表者 K.Takeuchi, K.Johguchi, T.Morikawa, K.Yoshioka, T.Shintani
タイトル Temperature Controlling Set Method for Multi-Level Cell Phase Change Memories: x10 Fast Write, 80% Energy Saving
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
78 発表者 J.Tominaga, P.Fons, A.V.Kolobov
タイトル Entropy-Controlled Phase-Change Memory
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
77 発表者 J.H.Richter, P.Fons, A.Kolobov, X.Wang, M.Krbal, J.Tominaga
タイトル Functional Phase Change Memory Superlattices and Single Device Studies
学会名 International Symposium on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
主催者 AIST
開催日,場所 2012/3/14, Tokyo
76 招待講演
発表者 右田 真司、水林 亘、森田 行則、太田 裕之
タイトル メタルソース/ドレインのためのシリサイド接合技術
学会名 シリコンテクノロジー分科会 第146研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012/3/9, 東京工業大学
75 発表者 林 賢二郎、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル Anisotropic Graphene Growth along Bunched Steps on Copper Surface
学会名 第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
主催者 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
開催日,場所 2012/3/8, 東京大学
74 発表者 近藤 大雄、佐藤 信太郎、八木 克典、二瓶 瑞久、横山 直樹
タイトル Synthesis of a novel nanocarbon structure: multi-layer graphene formed at the both sides ofcatalyst metal film on a substrate
学会名 第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
主催者 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
開催日,場所 2012/3/8, 東京大学
73 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル Application of graphene to transistors: CVD growth, nanoribbon formation, and electrical properties
学会名 第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
主催者 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
開催日,場所 2012/3/8, 東京大学
72 発表者 S.Sakurai, M.Yamada, H.Nakamura, D.Futaba, K.Hata
タイトル Catalyst control for the preferential growth of semiconducting single-walled carbon nanotubes
学会名 第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
主催者 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
開催日,場所 2012/3/6, 東京大学
71 招待講演
発表者 尾白佳大 (東北大)、小川修一 (東北大)、犬飼学 (JASRI)、佐藤 元伸、池永英司 (JASRI)、室隆桂之 (JASRI)、二瓶 瑞久、高桑雄二 (東北大)、横山 直樹
タイトル ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究
学会名 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
主催者 電子情報通信学会
開催日,場所 2012/3/5, 東京
70 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, H.Miyazaki (NIMS), S.-L.Li (NIMS), K.Tsukagoshi (NIMS), S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Gate-Controlled P-I-N Junction Switching Device with Graphene Nanoribbon
学会名 APS March Meeting
主催者 The American Physical Society (APS)
開催日,場所 2012/2/27, Boston, USA
特記事項 注目論文としてプレス発表に選定(グラフェン関連約600件中3件)
69 招待講演
発表者 中払 周、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル グラフェンのトランジスタ応用
学会名 通研共同プロジェクト研究会
主催者 東北大学電気通信研究所
開催日,場所 2012/2/23, 東北大学
68 招待講演
発表者 右田 真司、太田 裕之、森 貴洋、田邊 顕人、福田 浩一、水林 亘、森田 行則
タイトル Steep-Slope Deviceに関する研究開発動向とグリーン・ナノエレクトロニクスセンターでの開発状況
学会名 STRJ WG6会議
主催者 JEITA半導体技術ロードマップ専門委員会
開催日,場所 2012/2/9, 東京
67 発表者 右田 真司、太田 裕之
タイトル HfO2エピタキシャル膜を埋め込み酸化膜層とするSOI構造の試作
学会名 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第17回)
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
開催日,場所 2012/1/21, 三島
66 発表者 小田 穣、入沢 寿史、上牟田 雄一、手塚 勉
タイトル Al/HfO2/Al2O3/InGaAs-MISCAPにおける界面特性向上とEOT低減へ与えるAl2O3膜厚の影響
学会名 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第17回)
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
開催日,場所 2012/1/21, 三島
65 発表者 臼田 宏治、手塚 勉、小瀬村 大亮(明治大)、富田 基裕(明治大)、小椋 厚志(明治大)
タイトル Sub-μmサイズひずみSOI層の液浸Ramanによる異方性ひずみ緩和評価
学会名 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第17回)
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催
開催日,場所 2012/1/21, 三島
64 招待講演
発表者 太田 裕之、森 貴洋、田邊 顕人、福田 浩一、水林 亘、右田 真司、森田 行則
タイトル CMOS低電圧化に向けた新原理CMOSの開発
学会名 JEITA省電力エレクトロニクス技術分科会
主催者 電子情報技術産業協会
開催日,場所 2012/1/6, 東京
63 発表者 S.Migita, H.Ota
タイトル Fabrication of Silicon Tunnel-FETs Using Epitaxial NiSi2 Schottky Junctions and Dopant Segregation Technique
学会名 International Semiconductor Device Research Symposium
主催者 IEEE
開催日,場所 2011/12/7, Univ. Maryland, USA
62 発表者 (Univ.Tokyo) K.Nagashio, T.Moriyama, R.Ifuku, T.Yamashita, T.Nishimura, A.Toriumi
タイトル Is Graphene Contacting with Metal Still Graphene?
学会名 2011 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2011)
主催者 IEEE
開催日,場所 2011/12/5, Washington DC, USA
61 招待講演
発表者 M.Nihei, A.Kawabata. M.Sato, H.Nakano, M.Takahasi, T.Murakami, D.Kondo, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル CNT/Graphene Technologies for Advanced LSI Interconnects
学会名 International Symposium on Advanced Nanodevices and Nano technology (ISANN)
主催者 Japan Society for Promotion of Science
開催日,場所 2011/12/4, Hawaii, USA
60 発表者 S.Sato, K.Hayashi, K.Yagi, A.Yamada, D.Kondo, N.Yokoyama
タイトル Self-Organizing Formation of Graphene Nanoribbons
学会名 2011 MRS Fall Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2011/11/28, Boston, USA
59 招待講演
発表者 森 貴洋
タイトル トンネルトランジスタの研究状況
学会名 2011年度第4回ポストSiスケーリング材料・デバイス技術
主催者 電子情報技術産業協会
開催日,場所 2011/11/21, 東京
58 招待講演
発表者 S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Application of graphene to transistors: CVD growth, nanoribbon formation, and electrical properties
学会名 Trends in Nanotechnology (TNT2011)
主催者 Phantoms Foundation
開催日,場所 2011/11/21, Tenerife, Spain
57 発表者 A.Tachibana(Kyoto Univ.), M.Senami(Kyoto Univ.), T.Shintani
タイトル First principles calculations for conditions of CVD crystal growth of GeSbTe
学会名 PCOS 2011
主催者 The Society of Phase Change Recording
開催日,場所 2011/11/19, Atami
56 発表者 T.Odaka, T.Shintani, T.Morikawa, J.Tomina, H.Itoh(AIST)
タイトル AFM Study for Electic Characteritics of GeTe-Sb2Te3 Phase-Change Superlattice Film
学会名 PCOS 2011
主催者 The Society of Phase Change Recording
開催日,場所 2011/11/18, Atami
55 発表者 J.Richter, M.Krabal, A.Kolobov, P.Fons, J.Tominaga
タイトル An in situ phase-change memory cell study using nanometer scale x-ray optics
学会名 PCOS 2011
主催者 The Society of Phase Change Recording
開催日,場所 2011/11/18, Atami
54 発表者 J.Tominaga, P.Fons、M.Hase、A.V.Kolobov
タイトル Magnetic properties of phase-change films hidden in the structures
学会名 PCOS 2011
主催者 The Society of Phase Change Recording
開催日,場所 2011/11/17, Atami
53 発表者 M.Hase, K.Makino, J.Tominaga
タイトル Ultrafast dynamics of phase change in Ge-Sb-Te materials studied by coherent phonon spentroscopy
学会名 PCOS 2011
主催者 The Society of Phase Change Recording
開催日,場所 2011/11/17, Atami
52 発表者 P.Fons, A.V.Kolobov, M.Krbal, J.Tominaga, T.Matsunaga (Panasonic), N.Yamada (Panasonic)
タイトル Simultaneous Measurements of Short and Long-range order in GeTe
学会名 PCOS 2011
主催者 The Society of Phase Change Recording
開催日,場所 2011/11/17, Atami
51 発表者 N.Yokoyama
タイトル Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
学会名 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
主催者 Nanoscirnce and Nanotechnology Alliance, Osaka Univ.
開催日,場所 2011/11/11, Osaka Univ.
50 発表者  (Tokyo Inst.Tech) Y.Suzuki, D.Zade, R.Hosoi, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
タイトル Electrical characteristics of La2O3/In0.53Ga0.47As capacitors with surface nitridation
学会名 The 15th International Conference on Thin Films 2011
主催者 The Vacuum Society of Japan
開催日,場所 2011/11/9,京都
49 発表者 K.Johguchi (Univ.Tokyo), T.Shintani, T.Morikawa, K.Yoshioka (Univ.Tokyo), K.Takeuchi (Univ.Tokyo)
タイトル Temperature Controlling Set Method for Multi-Level Cell Phase Change Memories: x10 Fast Write, 80% Energy Saving
学会名 Non-Volatile Memory Technology 2011
主催者 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
開催日,場所 2011/11/9, Shanghai
48 招待講演
発表者 A.V.Kolobov, P.Fons, M.Krbal, J.Tominaga
タイトル Amorphisation of GeTe-Based Phase-Change Memory
学会名 Non-Volatile Memory Technology 2011
主催者 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
開催日,場所 2011/11/9, Shanghai
47 招待講演
発表者 J.Tominaga, P.Fons, A.V.Kolobov
タイトル Entropy-Controlled Phase-Change Memory
学会名 Non-Volatile Memory Technology 2011
主催者 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
開催日,場所 2011/11/9, Shanghai
46 招待講演
発表者 N.Yokoyama
タイトル Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
学会名 The 2nd Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems
主催者 University of California, Berkeley
開催日,場所 2011/11/3, University of California, Berkeley
45 発表者 D.Kondo, S.Sato, K.Yagi, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Synthesis of a novel carbon structure: multi-layer graphene formed at the both sides of catalyst film on a substrate
学会名 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2011/10/24, Kyoto
44 発表者  (Tokyo Inst.Tech) D.H.Zadeh, R.Hosoi, Y.Suzuki, K.Kakushima, P.Ahmet, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Tsutsui, K.Natori, T.Hattori, H. Iwai
タイトル Characterization of metal Schottky junction for InGaAs substrate
学会名 G-COE PICE International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
主催者 JSPS Global COE Program PICE and European FP7 Project NEMSIC, and IEEE EDS Japan Chapter
開催日,場所 2011/10/4, Tokyo Inst.Tech.
43 発表者  (Tokyo Inst.Tech) R.Hosoi, Y.Suzuki, D.H.Zadeh, K.Kakushima, P.Ahmet, A.Nishiyama, N.Sugii, K. sutsui, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
タイトル A novel interpretation of frequency dispersed capacitances in InGaAs capacitor by conductance method
学会名 G-COE PICE International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
主催者 JSPS Global COE Program PICE and European FP7 Project NEMSIC, and IEEE EDS Japan Chapter
開催日,場所 2011/10/4, Tokyo Inst.Tech.
42 招待講演
発表者 T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi
タイトル Electrical Conductance in Graphene Contacting with Metal
学会名 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/30、愛知県産業労働センター
41 発表者 Y.Ojiro(Tohoku Univ.), S.Ogawa(Tohoku Univ.), Y.Takakuwa(Tohoku Univ.), M.Inukai(JASRI), E.Ikenaga(JASRI), T.Muro(JASRI), M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Initial Growth Observation of Multilayer Graphene on SiO2/Si substrates Using Raman Spectroscopy and XPS
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/29、愛知県産業労働センター
40 発表者 M.Sato, M.Inukai(JASRI), E.Ikenaga(JASRI), T.Muro(JASRI), S.Ogawa(Tohoku Univ.), Y.Takakuwa(Tohoku Univ.), H.Nakano, A.Kawabata, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Fabrication of Graphene Directly on SiO2 without Transfer Processes by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/29、愛知県産業労働センター
39 発表者 (Nagoya Univ.) J.Yokoi, O.Nakatsuka, S.Zaima
タイトル Formation and Properties of Epitaxial NiGe/Ge(110) Contacts
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
38 発表者 (Nagoya Univ.) T.Asano, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima
タイトル Strain and Dislocation Structures of Ge1−xSnx Heteroepitaxial Layers Grown on Ge(110) Substrates
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
37 発表者 T.Irisawa, Y.Oda, T.Tezuka
タイトル Formation of Ultra-thin and Uniform Ni-InGaAs Alloyed Contact for Scaled Metal S/D InGaAs MOSFETs
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
36 発表者 S.Migita, H.Ota
タイトル Silicon-On-Insulator Fabrication with Si/HfO2/Si Epitaxial Structure
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 The Japan Society of APPLIED PHYSICS
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
特記事項 SSDM-2012注目論文(899件中14件)に選定
35 発表者 D.Kosemura(Meiji Univ.), M.Tomita(Meiji Univ), K.Usuda, A.Ogura(Meiji Univ.)
タイトル Measurements of Anisotropic Stress State in SSOI by Raman Spectroscopy
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
34 発表者 H.Nakano, M.Takahashi, A.Kawabata, M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama, T.Murakami
タイトル Pico-Ampere Switching ReRAM with Vertically Contacted 5 nm-diameter Carbon Nanotube Electrodes for BEOL-Based Memory
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
特記事項 SSDM-2012注目論文(899件中14件)に選定
33 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, H.Miyazaki(NIMS), S.-L.Li(NIMS), K.Tsukagoshi(NIMS), S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Gating Operation of Transport Current in Graphene Nanoribbon Fabricated by Helium Ion Microscope
学会名 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/9/28、愛知県産業労働センター
32 招待講演
発表者 K. Nagashio, A. Toriumi
タイトル Understanding of interface properties in graphene FETs
学会名 Advanced Metallization Conference 2012 (ADMETA)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2011/9/15, Shibaura Inst. Tech.
31 発表者 原田 直樹、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル 単層グラフェン中の電子速度シミュレーション
学会名 電子情報通信学会ソサイエティ大会
主催者 電子情報通信学会
開催日,場所 2011/9/13, 北海道大学
30 発表者 佐藤新谷 俊通、森川 貴博、小高 貴浩
タイトル Properties of Low-Power Phase-Change Device with GeTe/Sb2Te3 Super-lattice Material
学会名 European Phase Change and Ovonic Symposium
主催者 EPCOS Committee
開催日,場所 2011/9/6, スイス
29 発表者 富永 淳二、Fons James Paul、長谷 宗明、Kolobov Alexander
タイトル Topological insulating state in interfacial phasechange
学会名 European Phase Change and Ovonic Symposium
主催者 EPCOS Committee
開催日,場所 2011/9/5, スイス
28 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、林 賢二郎、八木克典、山田 綾香、近藤 大雄、中払 周、原田 直樹、横山 直樹
タイトル Large-area CVD synthesis of graphene and its application to transistors
学会名 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
主催者 IEICE Electronics Society
開催日,場所 2011/8/31、岐阜
27 発表者 尾白佳大(東北大)、小川修一(東北大)、高桑雄二(東北大)、犬飼学(SPring-8)、池永英司(SPring-8)、室隆桂之(SPring-8)、佐藤 元伸、二瓶 瑞久、横山 直樹
タイトル 光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(12):膜質の成長時間依存
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/31、山形大学小白川キャンパス
26 発表者 犬飼学(SPring-8)、池永英司(SPring-8)、室隆桂之(SPring-8)、尾白佳大(東北大)、小川修一(東北大)、高桑雄二(東北大)、佐藤 元伸、二瓶 瑞久、横山 直樹
タイトル 高輝度放射光によるLSI配線用カーボン薄膜の化学状態・配向性分析
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/31、山形大学小白川キャンパス
25 発表者 佐藤 元伸、中野 美尚、川端 章夫、室隆桂之(SPring-8)、高桑雄二(東北大)、二瓶 瑞久、横山 直樹
タイトル スパッタアモルファスカーボンの熱処理を用いた転写不要グラフェン形成プロセス
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/31、山形大学小白川キャンパス
24 発表者 森山喬史(東大),長汐晃輔(東大),西村知紀(東大),鳥海 明(東大)
タイトル 金属と接触するグラフェンの電気伝導特性
学会名 第72回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011年8月29日, 山形大学(山形)
23 発表者 長汐晃輔,鳥海明
タイトル 異なる表面構造を有するSiO2基板/グラフェン相互作用に対する理解と制御 ー製膜後に転写する基板をどう選ぶかー
学会名 第72回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011年8月29日, 山形大学(山形)
22 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、林 賢二郎、八木 克典、山田 綾香、近藤 大雄、中払 周、原田 直樹、横山 直樹
タイトル CVDグラフェンのグレインの解析とデバイスへの応用
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/29、山形大学小白川キャンパス
21 発表者 中払 周、飯島 智彦、小川 真一、宮崎久生 (NIMS)、黎松林 (NIMS)、塚越一仁 (NIMS)、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル ヘリウムイオン顕微鏡により作製したグラフェンナノリボンにおける電流のオン・オフ特性
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/29、山形大学小白川キャンパス
20 発表者 川端 章夫、中野美尚、高橋慎、佐藤元伸、二瓶瑞久、横山直樹
タイトル 断面TEM-EELSによるカーボンナノチューブ/グラフェンコンタクト構造解析
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/29、山形大学小白川キャンパス
19 発表者 中野 美尚、高橋 慎、川端 章夫、佐藤 元伸、二瓶 瑞久、横山 直樹、村上 智
タイトル 垂直接合カーボンナノチューブを電極とした低電流動作ReRAM
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/29、山形大学小白川キャンパス
18 発表者 小瀬村大亮(明治大)、富田基裕(明治大)、臼田宏治、小椋厚志(明治大)
タイトル 異方的SSOI層の軸分解ラマン測定
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/29、山形大学小白川キャンパス
17 発表者 鈴木佑哉(東工大)、細井隆司(東工大)、Darius Zade(東工大)、角嶋邦之(東工大)、Parhat Ahmet(東工大)、筒井一生(東工大)、西山彰(東工大)、杉井信之(東工大)、名取研二(東工大)、服部健雄(東工大)、岩井洋(東工大)
タイトル high-k/ In0.53Ga0.47As MOS キャパシタの容量-電圧特性の解析
学会名 第72回 応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2011/8/29、山形大学小白川キャンパス
16 発表者 D.Kondo, M.Nihei, M.Mishima(Fujitsu), Y.Awano(Fujitsu), S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Electrical Properties of the Composite Consisting of Multi-Layer Graphene and Multi-Walled Carbon Nanotubes
学会名 NT11 International Conference on the Science and Application of Nanotubes
主催者 NT11 Local Organizing Committee
開催日,場所 2011/7/11, Cambridge, UK
15 発表者 A.Kawabata, H.Nakano, M.Takahashi, A.Kawabata, M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Carbon nanotube and graphene contact structure analysis by using cross sectional TEM-EELS
学会名 NT11 International Conference on the Science and Application of Nanotubes
主催者 NT11 Local Organizing Committee
開催日,場所 2011/7/9, Cambridge, UK
14 招待講演
発表者 横山直樹
タイトル つくばナノテク拠点への期待とグリーン・ナノエレクトロニクス最先端研究支援プログラム
学会名 半導体界面制御技術 第154委員会
主催者 日本学術振興会
開催日,場所 2011/7/8, 名古屋
13 招待講演
発表者 K. Nagashio
タイトル Graphene devices: from experimental viewpoints
学会名 Third international conf. on Microelectronics and Plasma Technology
主催者 Dalian Unv. Tech.
開催日,場所 2011/7/4, Dalian, China
12 招待講演
発表者 長汐晃輔,鳥海明
タイトル グラフェントランジスタの接合とその界面に対する理解と制御
学会名 第30回電子材料シンポジウム
主催者 EMS30実行委員会
開催日,場所 2011/7/11,滋賀
11 招待講演
発表者 S.Sato, K.Hayashi, K.Yagi, D.Kondo,A.Yamada N.Harada, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Application of Graphene and Carbon Nanotubes to Transistors and Interconnects
学会名 Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors III
主催者 IEEE ED/SSC Hong Kongなど
開催日,場所 2011/6/27, Hong Kong
10 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル グラフェンの合成とトランジスタへの応用
学会名 SEMI FORUM 2011
主催者 SEMI
開催日,場所 2011/5/31、大阪市
9 発表者 田邊 顕人、福田 浩一
タイトル HyENEXSSによる新動作原理デバイスのシミュレーションと課題
学会名 TCADアカデミック委員会研究会
主催者 TCADアカデミック委員会
開催日,場所 2011/5/23、東京
8 発表者 S. Ogawa(Tohoku Univ.), Y. Ojiro(Tohoku Univ.), M. Inukai(JASRI), T. Kaga(Tohoku Univ.), M. Sato, E. Ikenaga(JASRI), T. Muro(JASRI), M. Nihei and Y. Takakuwa(Tohoku Univ.)
タイトル Raman spectroscopy, hard X-ray photoemission spectroscopy, and infrared spectroscopy studies of networked nanographite grown by photoemission-assisted plasma-enhanced CVD
学会名 8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '11
主催者 Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
開催日,場所 2011/5/22-27, Olympic Parktel, Seoul, Republic of Korea
7 招待講演
発表者 N.Yokoyama, T.Kanayama, T.Tezuka, H.Ota, K,Hata, S.Sato, M.Nihei, T.Shintani, J.Tominaga
タイトル Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics
学会名 The Seventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7)
主催者 The College of Nanoscale Science and Engineering
開催日,場所 2011/5/18, Albany, USA
6 発表者 佐藤元伸, 小川修一(東北大), 犬飼学(JASRI), 池永英司(JASRI), 室隆桂之(JASRI), 高桑雄二(東北大), 二瓶瑞久, 横山直樹
タイトル Mechanism of Resistivity Decrease in Networked-Nanographite Wires for Multi-layer Graphene Interconnects
学会名 IITC/MAM 2011
主催者 International Interconnect Technology Conference(IITC)/Material Advanced Metallization(MAM)
開催日,場所 2011/5/11 ドレスデン, ドイツ
5 招待講演
発表者 S.Sato, K.Yagi, D.Kondo, K.Hayashi, A.Yamada, N.Harada, N.Yokoyama
タイトル Large-area synthesis of graphene by chemical vapor deposition and transfer-free fabrication of field-effect transistors
学会名 219th ECS Meeting
主催者 The Electrchemical Society
開催日,場所 2011/5/1, Montreal, Canada
4 発表者 S.E.Robert, J.Tominaga, K.Milos, K.Alexander, F.J.Paul
タイトル Enhanced Phase Change Through Crystallization Templates
学会名 2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2011/4/28, San Francisco, USA
3 発表者 K.Milos, J.Tominaga, K.Alexander, F.J.Paul, S.E.Robert, T. Uruga (SPring-8), S.R.Elliott (Univ. Cambridge)
タイトル An insight into phase change materials on the atomic scale: Composite alloys versus superlattice structures
学会名 2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2011/4/28, San Francisco, USA
2 発表者 K. Nagashio, T. Yamashita, T. Nishimura, K. Kita, and A. Torium
タイトル Transport properties of graphene on SiO2 with specific surface structures
学会名 2011 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2011/4/27, San Francisco
1 発表者 K. Hayashi, S.Sato, D.Kondo, K. Yagi, A. Yamada, N.Harada, N.Yokoyama
タイトル Pressure-depnedent nucleation and growth of graphene islands on Cu by chemical vapor deposition
学会名 Graphene2011
主催者 ImagineNano
開催日,場所 2011/4/11, Bilbao, Spain
*:招待講演