番号 概要
215 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル Application of graphene to transistors: CVD growth, nanoribbon formation, and electrical properties
学会名 第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
主催者 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
開催日,場所 2012/3/8, 東京大学
214 発表者 M. Ito, S.Sato, N.Yokoyama, C.Joachim
タイトル Coarse-grained quantum transport simulation for analyzing leakage-mobility antagonism in GNRFET
学会名 APS March Meeting 2013 
主催者 American Physical Society
開催日,場所 2013.3.19, Baltimore, U.S.A
213 発表者 近藤大雄、林賢二郎、山口淳一、中野美尚 、久保田一郎 、周波、佐藤信太郎 、横山直樹
タイトル 結晶性金属触媒を用いた多層グラフェン合成とその電気特性
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.30, 神奈川工科大学
212 発表者 林 賢二郎,山田 綾香, 佐藤 信太郎, 横山 直樹
タイトル Cu ホイル表面におけるグラフェン島形成
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.30, 神奈川工科大学
211 発表者 大嶺 洋, Darius Zade,鈴木 佑哉,角嶋 邦之,Parhat Ahmet,片岡 好則,西山 彰,杉井 信之,筒井 一生,服部 健雄,名取 研二,岩井 洋
タイトル 原子層堆積 (ALD) 法を用いたLa2O3/In0.53Ga0.47As界面特性の向上
学会名 2013年春季第60回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.29, 神奈川工科大学
210 発表者 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海明
タイトル レジストフリーコンタクト形成プロセスに基づくグラフェン/金属界面の理解
学会名 2013年春季第60回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.29, 神奈川工科大学
209 発表者 井福亮太, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明
タイトル 金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明
学会名 2013年春季第60回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.29, 神奈川工科大学
208 発表者 富田基裕、瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
タイトル 微細構造歪SiGe 層に生じる応力緩和分布のテンソル評価
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.29, 神奈川工科大学
207 発表者 森貴洋、宮田典幸、福田浩一、森田行則、前田辰郎、大内真一、柳永勛、昌原明植、安田哲二、太田裕之
タイトル TFET におけるトンネル機構の考察:サブスレッショルド特性の温度変化
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.29, 神奈川工科大学
206 発表者 森田行則、森貴洋、右田真司、水林亘、田邊顕人、福田浩一、昌原明植、太田裕之
タイトル Si Epi-channel TFET での縦方向トンネルによる電流増大効果の実証
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.29, 神奈川工科大学
205 発表者 高嶋明人、池永英司、室隆桂之、川端章夫、村上 智、二瓶瑞久、横山直樹
タイトル カーボンナノチューブ成長用Fe/Ti, Fe/Al触媒膜における化学状態のその場温度依存性分析
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
204 発表者 池田圭司、守山佳彦、小野瑞城、上牟田雄一、入沢寿史、鎌田善己、酒井 朗、手塚 勉
タイトル Thin-BOX GOI-pMOSFET のバックゲートバイアスによるしきい値変調
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
203 発表者 川端章夫、村上智、二瓶瑞久、横山直樹
タイトル 温度勾配制御[STEP]成長による長尺・高密度CNT 成長
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
202 発表者 右田真司、森田行則、昌原明植、太田裕之
タイトル 異方性ウェットエッチングを利用して作製したチャネル長3 nm の接合レス型トランジスタの動作
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
201 発表者 中払 周、飯島智彦、小川真一、塚越 一仁、佐藤信太郎、横山直樹
タイトル デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
200 発表者 小田 穣、入沢寿史、上牟田雄一、W.Jevasuwan、前田辰郎、市川 麿、手塚 勉
タイトル High-k/In0.53Ga0.47As 界面層が反転層電子移動度に与える影響
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
199 発表者 ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 宮田典幸, 小田穣, 入沢寿史, 手塚勉, 安田哲二
タイトル Improvement of Al2O3/InGaAs Interfaces by Ultrathin Ga Oxide Passivation
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.28, 神奈川工科大学
198 発表者 池進一、守山佳彦、黒澤昌志、田岡紀之、中塚理、今井康彦、木村滋、手塚勉、財満鎭明
タイトル Ge1−xSnx/Ge微細構造による局所歪構造の形成と評価
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.27, 神奈川工科大学
197 発表者 入沢寿史、小田 穣、守山佳彦、池田圭司、三枝栄子、W.Jevasuwan、前田辰郎、市川 麿、石原敏雄、秦 雅彦、手塚 勉
タイトル Junction-less InGaAs-OI Tri-gate nMOSFETs における高移動度実現
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.27, 神奈川工科大学
196 発表者 小池正浩、上牟田雄一、手塚勉
タイトル S 導入したNiGe/Ge とNiSi/Si のショットキーバリアハイト変調の比較検討
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.27, 神奈川工科大学
195 発表者 中野美尚、久保田一郎、周波、近藤大雄、佐藤信太郎、横山直樹
タイトル 多層グラフェン配線へのインターカレーション
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.27, 神奈川工科大学
194 発表者 水林 亘、福田浩一、森貴洋、遠藤和彦、柳 永勛、松川 貴、大内真一、石川由紀、田真司、森田行則、田邊顕人、塚田順一、山内洋美、昌原明植、太田裕之
タイトル 4端子トンネルFinFETs におけるセカンドゲートを用いたVth 調整
学会名 第60回応用物理学会春季学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.27, 神奈川工科大学
193 招待講演
発表者 S.Nakaharai
タイトル Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors
学会名 Functionality-Enhanced Devices Workshop(FED'13)
主催者 Ecole polytechnique fédérale de Lausanne
開催日,場所 2013.3.25, Lausanne, Switzerland
192 発表者 田中和樹、荒谷直樹、山田容子
タイトル 新規ペンタセンダイマー誘導体の合成
学会名 2013年日本化学会第93春季年会
主催者 日本化学会
開催日,場所 2013.3.23, 滋賀立命館大学
191 発表者 S.Migita, T.Matsukawa, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Variability of Short Channel Junctionless Field-Effect Transistors Caused by Fluctuation of Dopant Concentration
学会名 International Conference on Ultimate Integration on Silicon
主催者 IEEE
開催日,場所 2013.3.19, Univ. Warwick, UK
190 発表者 Junji Tominaga
タイトル Band Structures of GeTe/Sb2Te3 and SnTe/Sb2Te3 Phase-change Superlattices
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
189 発表者 Jan Richter
タイトル Band Structure of Bi2Te3 Topological Insulator Systems
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
188 発表者 森田 貴紀、北村 成章、勝又 洋介、新谷 俊通 、斎木 敏治
タイトル フェムト秒レーザパルスによって形成されたGeSbTeアモルファス相の多角的物性・構造評価
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
187 発表者 新谷 俊通、北村 成章、斎木 敏治
タイトル フェムト秒レーザによる超格子相変化材料の光学スイッチング
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
186 発表者 新谷 俊通、添谷 進、小高 貴浩
タイトル SnTe/Sb2Te3超格子の電気特性
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
185 発表者 添谷 進、小高貴浩、新谷俊通
タイトル SnTe/Sb2Te3超格子の結晶構造解析と動作原理
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
184 発表者 桜井 俊介、山田 真保、中村 紘子、畠 賢治
タイトル 半導体CNTの選択的成長技術開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
183 発表者 大木 秀祐、川邊 徹平、三澤 太一、粟野 祐二
タイトル ナノカーボン材料の熱伝導とフォノンエンジニアリングのための理論的研究
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
182 発表者 高嶋 明人、泉 雄大、小嗣 真人、大河内 拓雄、池永 英司、室 隆桂之、 川端 章夫 、村上 智 、二瓶 瑞久 、横山 直樹
タイトル 配線・排熱用カーボン材料の評価
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
181 発表者 小川 修一、川田 麻由梨、尾白 佳大、高桑 雄二
タイトル 排熱の高効率化に向けた炭素薄膜形成技術の開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
180 発表者 川端 章夫、村上 智、二瓶 瑞久
タイトル CNT/グラフェンの排熱応用
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
179 発表者 中村 大輔、斎藤 宏晃、Zhou Weihang、松田 康弘、嶽山 正二郎、八木 克典、林賢 二郎、佐藤 信太郎
タイトル 石英上CVDグラフェンの超強磁場下でのサイクロトロン共鳴
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
178 発表者 N.Abe, Y.Hirayama, K.Nagase, A.Yamada, K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Low-Temperature Magneto-Transport Characteristics of CVD Graphene
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
177 発表者 實宝 秀幸、大淵 真理
タイトル エッジ修飾されたアームチェア型グラフェンナノリボンの第一原理計算
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
176 発表者 金子 智昭、大野 隆央
タイトル 第一原理計算によるグラフェン・デバイスの低接触抵抗への設計指針
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
175 発表者 田中 和樹、勝田 修平、荒谷 直樹、山田 容子
タイトル 有機化学合成によるナノカーボン材料形成に関する研究
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
174 発表者 長汐 晃輔
タイトル グラフェン/金属界面の理解と制御
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
173 発表者 W.Li、S.Li、K.Komatsu、M.Osada、T.Sasaki、K.Tsukagoshi
タイトル 制御成長グラフェンの基礎特性評価と特性向上のための研究
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
172 発表者 小松 克伊、葛西 伸哉、高橋 有紀子、渡邊 賢司、谷口 尚、中払 周、塚越 一仁
タイトル グラフェンスピントロニクスデバイス
~最長スピン伝導距離とスピンロジックデバイスを目指して~
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
171 発表者 林 賢二郎、近藤 大雄、八木 克典、山田 綾香、佐藤 信太郎
タイトル CVD法によるグラフェン、グラフェンナノリボンの合成
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
170 発表者 近藤 大雄、中野 美尚、周波、久保田 一郎、高橋 慎、佐藤 元伸、八木 克典、林賢 二郎、佐藤 信太郎
タイトル 多層グラフェンの合成と配線への応用
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
169 発表者 中払 周、飯島 智彦、小川 真一、塚越 一仁、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
168 発表者 右田 真司、森田 行則、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 低電圧動作デバイスを目指した極短チャネルトランジスタの開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
167 発表者 森田 行則、森 貴洋、右田 真司、水林 亘、田邊 顕人、福田 浩一、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 縦方向トンネルによる電流増倍機構をもつトンネルFETの形成
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
166 発表者 福田 浩一、森 貴洋、水林 亘、森田 行則、田邊 顕人、昌原 明植、安田 哲二、右田 真司、太田 裕之
タイトル TFETのコンパクトモデル
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
165 発表者 角嶋 邦之、大嶺 洋、鈴木 佑哉、D. Zadeh、岩井 洋
タイトル 希土類系高誘電体薄膜を中心とした
III-V族化合物半導体基板用絶縁膜の探索的研究
-La2O3ゲート絶縁膜で低界面準位密度と耐熱性の実現-
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
164 発表者 富田 基裕、小瀬村 大亮、臼田 宏治、手塚 勉、小椋 厚志
タイトル 電子線後方散乱回折および超解像ラマンを用いた歪SiGeメサ構造における高空間分解応力評価
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
163 発表者 小瀬村 大亮、富田 基裕、臼田 宏治、手塚 勉、小椋 厚志
タイトル 液浸ラマン分光法による歪SiGeの異方性応力評価
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
162 発表者 池 進一、守山 佳彦、黒澤 昌志、田岡 紀之、中塚 理、今井 康彦、木村 滋、手塚 勉、財満 鎭明
タイトル ひずみGeチャネル立体微細FETのための金属/Geコンタクト界面物性評価
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
161 発表者 薄膜埋込み酸化膜Ge-On-Insulator pMOSFETの1V以下のバックバイアスによるしきい値電圧変調
タイトル 守山 佳彦、池田 圭司、小野 瑞城、上牟田 雄一、入沢 寿史、鎌田 善己、手塚 勉
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
160 発表者 高移動度Tri-gate InGaAs junctionless nMOSFETの作製と動作実証
タイトル 入沢 寿史、小田 穣、守山 佳彦、池田 圭司、 三枝 栄子、W.Jevaswan、前田 辰郎、市川 麿、石原 敏雄、秦 雅彦、手塚 勉
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
159 発表者 池田 圭司、小野 瑞城、臼田 宏治、小田 穣、上牟田 雄一、入沢 寿史、守山 佳彦、手塚 勉
タイトル ひずみGeナノワイヤpMOSFETにおける高移動度・高電流駆動力実証
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
158 発表者 J. Tominaga
タイトル 相変化材料におけるトポロジカル絶縁体の基礎研究およびデバイス応用
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
157 発表者 新谷 俊通、添谷 進、小高 貴浩
タイトル 消費電力1/100に向けた材料開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
156 発表者 畠 賢治、桜井 俊介、Shisheng Li、山田 真保、中村 紘子
タイトル 半導体CNTの選択的成長とトランジスタ応用
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
155 発表者 二瓶 瑞久、川端 章夫、村上 智
タイトル CNT/グラフェンの排熱応用
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
154 発表者 長汐 晃輔
タイトル グラフェン/金属界面の理解と制御
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
153 発表者 佐藤 信太郎、中払 周、原田 直樹、伊藤 正勝、林賢 二郎、山口 淳一、山田 綾香、八木 克典、近藤 大雄、佐藤 元伸、中野 美尚、高橋 慎、周波、久保田 一郎
タイトル ナノカーボンの合成と トランジスタ・配線応用
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
152 発表者 太田 裕之、右田 真司、森田 行則、水林 亘、福田 浩一、森 貴洋、前田 辰郎、田邊 顕人、入沢 寿史、遠藤 和彦、松川 貴、柳 永勛、大内 真一 宮田 典幸、多田 哲也、昌原 明植
タイトル 新動作原理CMOSデバイスの研究開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
151 発表者 角嶋 邦之、大嶺 洋、鈴木 佑哉、D. Zadeh、岩井 洋
タイトル 希土類系高誘電体薄膜を中心としたIII-V族化合物半導体基板用絶縁膜の探索的研究
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
150 発表者 手塚 勉、入沢 寿史、小野 瑞城、小田 穣、守山 佳彦、上牟田 雄一、小池 正浩、鎌田 善己、臼田 宏治、池田 圭司、古瀬 喜代恵、黒澤 悦男、 Wipakorn Jevasuwan、三枝 栄子
タイトル 新材料・新構造CMOS技術の研究開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
149 発表者 横山 直樹
タイトル グリーン・ナノエレクトロニクスの コア技術開発
学会名 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発
2013年 成果報告会
主催者 産業技術総合研究所
開催日,場所 2013.3.13, 東京
148 発表者 A.Kawabata, T.Murakami, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル High density CNT growth by controlling the slope of temperature profile
学会名 Materials for Advanced Metallization
主催者 IMEC
開催日,場所 2013.3.10, Leuven, Belgium
147 招待講演
発表者 長汐晃輔,井福亮太,森山喬史,西村知紀,鳥海明
タイトル グラフェン/金属コンタクト形成に対する理解と制御
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー第158回研究会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2013.3.7, 東京
146 招待講演
発表者 Shintaro Sato, Naoki Yokoyama
タイトル Self-organizing graphene ribbon formation and electrical properties of graphene irradiated with He ions
学会名 IWEPNM2013
主催者 IWEPNM organizing committee
開催日,場所 2013.3.3, Kirchberg in Tirol - Austria
145 招待講演
発表者 横山 直樹
タイトル グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 —最先端研究開発支援プログラム(FIRST)のご紹介—
学会名 先端・ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会
主催者 日本学術振興会
開催日,場所 2013.2.4, 東京大学
144 招待講演
発表者 川端 章夫、二瓶 瑞久、村上 智、佐藤元信、横山 直樹
タイトル 排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価
学会名 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
主催者 電子情報通信学会
開催日,場所 2013.2.4, 東京
143 招待講演
発表者 長汐晃輔,井福亮太,森山喬史,西村知紀,鳥海明
タイトル 本質的なグラフェン/金属界面特性
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第154回研究集会
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
開催日,場所 2013.1.30, 東京
142 発表者 右田 真司、森田 行則、昌原 明植、太田 裕之
タイトル チャネル長を3nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第154回研究集会
主催者 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
開催日,場所 2013.1.30, 東京
141 発表者 右田 真司、森田 行則、昌原 明植、太田 裕之
タイトル 接合レス型トランジスタに用いるゲートスタック技術の設計指針
学会名 ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―(第18回)
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
開催日,場所 2013.1.26, 静岡県
140 発表者 山口 淳一、林 賢二郎、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル 酸化物保護膜/CVDグラフェンの分光および電気伝導特性
学会名 ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―(第18回)
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
開催日,場所 2013.1.25, 静岡県
139 招待講演
発表者 池田 圭司、小野 瑞城、小瀬村 大亮、臼田 宏治、小田 穣、上牟田 雄一、入沢 寿史、守山 佳彦、小椋 厚志、手塚 勉
タイトル 不純物注入レスプロセスにより形成した高性能ひずみGeナノワイヤトランジスタ
学会名 ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―(第18回)
主催者 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
開催日,場所 2013.1.25, 静岡県
138 招待講演
発表者 富永 淳二
タイトル エントロピー制御による相変化メモリの省エネ化
学会名 半導体界面制御技術第154委員会薄膜第131委員会
主催者 日本学術振興会
開催日,場所 2013.1.18, 東京
137 発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Impact of Atomic-scale Structure Design on Ultra-Short Channel (3 nm) MOSFETs
学会名 IEEE INEC 2013
主催者 IEEE
開催日,場所 2013.1.2, Singapore
136 発表者 浅野孝典、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
タイトル Ge1-xSnx/Ge(110)エピタキシャル層の結晶成長および転位構造
学会名 第12回日本表面科学会中部支部 学術講演会
主催者 日本表面科学会
開催日,場所 2012.12.22, 名城大学
135 発表者 横井淳,中塚理,田岡紀之,坂下満男,財満鎭明
タイトル NiGe/Ge(110)コンタクトにおける電気伝導特性の評価
学会名 第12回日本表面科学会中部支部 学術講演会
主催者 日本表面科学会
開催日,場所 2012.12.22, 名城大学
134 招待講演
発表者 K. Nagashio, R. Ifuku, T. Moriyama, T. Nishimura, and A. Toriumi
タイトル Intrinsic graphene/metal contact
学会名 2012 IEEE International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.12.10, San Francisco, USA
133 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Suzuki, K.Tsukagoshi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel: Toward Reconfigurable CMOS Applications
学会名 IEDM2012
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.12.10, San Francisco, USA
132 発表者 M.Nihei, A.Kawabata, T.Murakami, M.Sato, N.Yokoyama
タイトル Improved Thermal Conductivity by Vertical Graphene Contact Formation for Thermal TSV
学会名 2012 IEEE International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.12.10, San Francisco, USA
131 発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Electrical Performances of Junctionless-FETs at the Scaling Limit (LCH = 3 nm)
学会名 2012 IEEE International Electron Devices Meeting
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.12.10, San Francisco, USA
130 発表者 J.Wipakorn, T.Maeda, N.Miyata, M.Oda, T.Irisawa, T.Tezuka, T.Yasuda
タイトル Self-limiting growth of ultrathin Gaoxide layer for passivating Al2O3/InGaAs interfaces
学会名 The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
主催者 IEEE Electron Devices Society
開催日,場所 2012.12.8, San Diego, USA
129 発表者 J.Yamamguchi, K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Electric Transport and Spectroscopic Studies on CVD Graphene Transistors fabricated by using Oxide Passivations
学会名 2012 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS2012)
主催者 2012 Society for Micro- and Nanoelectronics
開催日,場所 2012.12.5, Hawaii, USA
128 招待講演
発表者 N.Yokoyama
タイトル Challenges in green nanoelectronics: Growing expectations for the Tsukuba Innovation Arena in Japan
学会名 2012 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS2012)
主催者 2012 Society for Micro- and Nanoelectronics
開催日,場所 2012.12.3, Hawaii, USA
127 招待講演
発表者 原田 直樹
タイトル グラフェン・トランジスタの研究動向
学会名 Microwave Workshops and Exhibition
主催者 電子情報通信学会APMC委員会
開催日,場所 2012.11.30, 横浜
126 発表者 S.Soeya, T.Odaka, T.Morikawa, S.Shintani, J.Tominaga
タイトル Low-Power Switching in Phase-Change Memory using New Superlattice:SnTe/Sb2Te3 System
学会名 The 24th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS2012)
主催者 The Society of Phase Change
開催日,場所 2012.11.30, Hamamatsu, Shizuoka
125 招待講演
発表者 K.Tsukagoshi
タイトル Band engineering in graphene for future electronics
学会名 2012 Energy, Materials and Nanotechnology (EMN2012) fall meeting
主催者 OAHOST
開催日,場所 2012.11.29, Las Vegas, USA
124 発表者 T.Shintani, T.Morikawa, T.Odaka
タイトル Effect of TiN Underlayer for Fabricating Interfacial Phase Change Memories
学会名 The 24th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS2012)
主催者 The Society of Phase Change
開催日,場所 2012.11.29, Hamamatsu, Shizuoka
123 発表者 S.Sato, K.Hayashi, M.Ikeda, A.Yamada, J.Yamaguchi, C.Kaneda, N.Yokoyama
タイトル Selective graphene ribbon formation on Cu twin crystals
学会名 2012 MRS Fall Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.11.26, Boston, USA
122 発表者 T.Kawabe, M.Nihei, Y.Awano
タイトル Numerical Simulations of High Heat Dissipation Technology in LSI 3-D packaging using CNT Through Silicon Via (TSV) and Thermal Interface Material (TIM)
学会名 2012 MRS Fall Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.11.25, Boston, USA
121 発表者 A.Mohamad, N.Harada, Y.Awano
タイトル A new graphene FET structure for enhancing high-speed performance and possible bandgap introduction
学会名 MJIIT-JUC Joint Symposium (MJJS 2012)
主催者 Universiti Teknologi Malaysia
開催日,場所 2012.11.21, Kuala Lumpur, Malaysia
120 招待講演
発表者 長汐晃輔, 鳥海明
タイトル グラフェンデバイスにおける界面の理解と制御
学会名 第32回表面科学学術講演会 シンポジウム講演
主催者 日本表面科学会
開催日,場所 2012.11.21, 東北大学
119 招待講演
発表者 S.Sato
タイトル Growth and TEM observation of CVD graphene and its application to transistors
学会名 2012 International Graphene Workshop
主催者 ITRI and National Tsing Hua University, Taiwan
開催日,場所 2012.11.19, Hsinchu, Taiwan
118 発表者 Y.Moriyama, K.Ikeda, Y.Kamimuta, M.Oda, T.Irisawa, S.Takeuchi, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル Structural- and electrical characteristics of GeOI/BOX interfaces of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers
学会名 The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
主催者 The 145th Committee of The Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
開催日,場所 2012.11.19, Hawaii, USA
117 発表者 K.Usuda, D.Kosemura, M.Tomita, A.Ogura, T.Tezuka
タイトル Evaluation of strain relaxation at mesa edge of strained SiGe layer on Si by oil-immersion Raman spectroscopy, NBD, and FEM simulation
学会名 The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
主催者 The 145th Committee of The Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
開催日,場所 2012.11.19, Hawaii, USA
116 発表者 D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Anisotropic Biaxial Stress Evaluation in SiGe/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
学会名 The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
主催者 The 145th Committee of The Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
開催日,場所 2012.11.19, Hawaii, USA
115 発表者 M.Tomita, D.Kosemura, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation
学会名 The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
主催者 The 145th Committee of The Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
開催日,場所 2012.11.19, Hawaii, USA
114 発表者 福田 浩一、森 貴洋、水林 亘、森田 行則、田邊 顕人、昌原 明植、安田 哲二、右田 真司、太田 裕之
タイトル Tunnel FETの非局所モデリング -デバイスモデルと回路モデル-
学会名 シリコン材料・デバイス研究会
主催者 シリコン材料・デバイス研究会
開催日,場所 2012.11.16, 東京
113 発表者 S.Norhidayah C.M.Yusoff, M.Tomita, D.Kosemura, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Thickness dependence of anisotropic strain relaxation in strained silicon-on-insulator nanostructure evaluated by oil-immersion Raman spectroscopy
学会名 Malaysia-Japan Academic Scholar Seminar 2012
主催者 MJASS 2012 Committee
開催日,場所 2012.11.10, Waseda Univ.
112 発表者 浅野孝典,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
タイトル Ge(110)基板上GeSnエピタキシャル層の転位構造およびそのSn組成依存性
学会名 第1回結晶工学未来塾(研究ポスター発表会)
主催者 応用物理学会結晶工学分科会
開催日,場所 2012.11.8, 学習院創立百周年記念会館
111 招待講演
発表者 K.Tsukagoshi
タイトル Band engineering in graphene for future electronics
学会名 he International Symposium on Graphene Devices (ISGD2012)
主催者 Synchrotron SOLEIL
開催日,場所 2012.11.8, Saint Aubin, France
110 招待講演
発表者 J.Tominaga, A.Kolobov, J.P.Fons
タイトル Interfacial Phase Change Memory with Topological Insulator Characteristics
学会名 12th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2012)
主催者 Data Storage Institute
開催日,場所 2012.11.1, Singapore
109 発表者 H.Nakano, M.Takahashi, M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Structural Analysis of TiO2/Ti Film Resistive Switched by AFM Probes
学会名 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.10.31, Kobe
108 招待講演
発表者 M.Nihei, A.Kawabata, T.Murakami, M.Sato, N.Yokoyama
タイトル CNT/graphene technologies for future carbon-based interconnects
学会名 International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.10.30, Xi'an, China
107 発表者 A.A.Ferreira, H.Miyazaki, S.-L.Li, K.Komatsu, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Enhanced current-rectification in bilayer graphene with an electrically tuned sloped band gap
学会名 2012 A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Environments
主催者 Tohoku University
開催日,場所 2012.10.29, Sendai
106 招待講演
発表者 Shintaro Sato, Mizuhisa Nihei, Naoki Yokoyama
タイトル Synthesis of Nanocarbon Materials and their Interconnect Application
学会名 ADMETA2012
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.10.25, Univ.Tokyo
105 招待講演
発表者 横山 直樹
タイトル LSIの低消費電力化に向けたコア技術開発
ー最先端研究開発支援プログラム(FIRST)のご紹介ー
学会名 半導体界面制御技術第154委員会
主催者 日本学術振興会
開催日,場所 2012.10.24, 東京大学
104 発表者 Y. Deng, J. Yokoi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
タイトル Formation and Stress Characterization of NiGe/Ge(110) and Ge(001) Contacts
学会名 Advanced Metallization Conference 2012: The 22nd Asian Session
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.10.23, Tokyo
103 発表者 T.Kawabe, M.Nihei, Y.Awano
タイトル Numerical Simulations of High Heat Dissipation Technology in LSI 3-D Packaging Using CNT Through Silicon Via (TSV) and Thermal Interface Material (TIM)
学会名 ADMETA2012
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.10.24, Tokyo Univ.
102 招待講演
発表者 A.Sakai, S.Yamasaka, J.Kikkawa, Y.Nakamura, Y.Moriyama, T.Tezuka, S.Takeuchi, K.Izunome
タイトル GOI substrates - Fabrication and Characterization -
学会名 ECS meeting
主催者 The Electrochemical Society
開催日,場所 2012.10.10, Hawaii, USA
101 発表者 Y. Suzuki, D. Zadeh, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, and H. Iwai
タイトル Effect of In0.53Ga0.47As surface Nitridation on Electrical Characteristics of High-k/ Capacitors
学会名 PRiME 2012, 222nd ECS meeting
主催者 ECS,The Electrochemical Society of Japan
開催日,場所 2012.10.7, Hawaii, USA
100 発表者 K.Ikeda, Y.Moriyama, M.Ono, Y.Kamimuta, T.Irisawa, Y.Kamata, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル First Demonstration of Threshold Voltage Control by Sub-1V Back-gate Biasing for Thin Body and Buried-oxide (TBB) Ge-on-Insulator (GOI) MOSFETs for Low-power Operation
学会名 2012 IEEE International SOI Conference
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.10.4, California, USA
99 発表者 T.Irisawa, M.Oda, K.Ikeda, Y.Moriyama, E.Mieda, W.Jevasuwan, T.Maeda, O.Ichikawa, T.Ishihara, M.Hata, T.Tezuka
タイトル High Mobility p-n Junction-less InGaAs-OI Tri-gate nMOSFETs with Metal Source/Drain for Ultra-low-power CMOS Applications
学会名 2012 IEEE International SOI Conference
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.10.4, California, USA
98 招待講演
発表者 T.Mori
タイトル Impact of high-k/metal gate technology on TFETs : subthreshold characteristics and gate leakage
学会名 9th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology
主催者 SEMATECH
開催日,場所 2012.10.3, NY, USA
97 発表者 M.Koike, Y.Kamimuta, T.Tezuka,
タイトル Comparative Study of Schottky Barrier Height Modulation in S-introduced NiGe/Ge and NiSi/Si Junctions
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.27, Kyoto International Conference Center
96 発表者 M.Tomita, M.Nagasaka, D.Kosemura, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.27, Kyoto International Conference Center
95 発表者 D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Measurements of Anisotropic Biaxial Stresses in x = 0.15 and 0.30 Si1-xGex on Si Nanostructures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.27, Kyoto International Conference Center
94 発表者 R. Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi
タイトル Estimation of Metal-graphene Interaction Strength Through Quantum Capacitance Extraction of Graphene in Contact with Metal
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, kyoto
93 発表者 K.Yagi, A.Yamada, K.Hayashi, N.Harada, M.Tsukahara, S.Ogawa, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Dependence of field effect mobility of CVD graphene on its grain size
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
92 発表者 Y.Morita, T.Mori, S.Migita, W.Mizubayashi, A.Tanabe, K.Fukuda, M.Masahara, H.Ota
タイトル Tunnel Field Effect Transistor with Epitaxially Grown Steep Tunnel Junction by Source/Drain-first and Tunnel-Junction-last Processes
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
91 発表者 J.Yamaguchi, K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Efficient CVD Graphene Transfer Techniques by using Oxide Passivations
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
90 発表者 S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Suzuki, S.Li, H.Miyazaki, K.Tsukagoshi, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Room Temperature On-Off Operation of Current in He Ion Irradiated Graphene Sheet
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
89 発表者 M.Oda, T.Irisawa, Y.Kamimuta, O.Ichikawa, T.Tezuka
タイトル Effects of interfacial layer between high-k gate dielectric and InGaAs surface on its inversion layer electron mobility
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
88 発表者 K.Fukuda, T.Mori, W.Mizubayashi, Y.Morita, A.Tanabe, M.Masahara, T.Yasuda, S.Migita, H.Ota
タイトル A Physics-Based Compact Model of Tunnel-FETs Considering Nonlocal Effects
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
87 発表者 T.Mori, K.Fukuda, T.Yasuda, A.Tanabe, T.Maeda, S.O'uchi, Y.Liu, W.Mizubayashi, M.Masahara, H.Ota
タイトル EOT Scaling in Tunnel Field-Effect Transistors : Trade-off between Subthreshold Steepness and Gate Leakage
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.26, Kyoto International Conference Center
86 発表者 Y.Ojiro, S.Ogawa, M.Satou, M.Nihei, Y.Takakuwa, N.Yokoyama
タイトル Initial Growth Observation of Networked Nano Graphite on SiO2 (90nm)/Si dependent on Process Gas Concentration
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.25, Kyoto International Conference Center
85 発表者 M.Sato, H.Nakano, M.Takahashi, T.Muro, Y.Takakuwa, S.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Annealing Condition Optimization of Sputtered Amorphous Carbon for Large-grain, Multi-layer Graphene
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.25, Kyoto International Conference Center
84 発表者 S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
タイトル Fabrication and Demonstration of Atomically Thin SOI MOSFETs (AT-FET) Using Anisotropic Wet Etching and Lateral Dopant Diffusion
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.25, Kyoto International Conference Center
83 発表者 A.Kawabata, T.Murakami, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Growth of Dense Vertical and Horizontal Graphene for Thermal Vias and its Thermal Property
学会名 2012 INternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.9.25, Kyoto International Conference Center
82 発表者 T. Asano, S. Kidowaki, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
タイトル Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Layers on (110)-oriented Si and Ge Substrates
学会名 IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
主催者 International union of materials research societies (IUMRS), the Materials Research Societies in Japan (MRS-J)
開催日,場所 2012.9.23, Yokohama
81 発表者 田中和樹、山田容子
タイトル 前駆体法を用いた新規ペンタセンダイマーの合成
学会名 2012年第23回基礎有機化学討論会
主催者 基礎有機化学会
開催日,場所 2012.9.20, 京都
80 発表者 Y.Ojiro, S.Ogawa, M.Inukai, M.Sato, E.Ikenaga, T.Muro, M.Nihei, Y.Takakuwa, N.Yokoyama
タイトル Growth kinetics of multilayer graphene on SiO2 studied by Hard X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy
学会名 12th International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure (ICESS2012)
主催者 SOLEIL Synchrotron
開催日,場所 2012.9.20, Saint-Malo, France
79 発表者 Y.Morita, S.Migita, W.Mizubayashi, M.Masahara, H.Ota
タイトル Two-step annealing effects on extremely-thin EOT higher-k (k=40) ALD-HfO2 gate stacks
学会名 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2012)
主催者 ESSDERC
開催日,場所 2012.9.18, Bordeaux, France
78 発表者 川端 章夫, 村上 智, 二瓶 瑞久, 横山 直樹
タイトル 横方向グラフェンと縦方向高密度グラフェン構造[DVHG]
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.14, 愛媛大学・松山大学
77 発表者 尾白佳大, 小川修一, 佐藤 元伸, 二瓶 瑞久, 高桑雄二, 横山 直樹
タイトル 光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(13):初期成長過程のCH4濃度依存
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.14, 愛媛大学・松山大学
76 発表者 浅野孝典、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
タイトル Ge(110)基板上Ge1-xSnxエピタキシャル層の転位および歪構造
学会名 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学、松山大学
75 発表者 村上 智, 川端 章夫, 二瓶 瑞久, 横山 直樹
タイトル 横方向グラフェンと縦方向高密度グラフェン構造[DVHG]の熱伝導および電気伝導評価
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
74 発表者 池田 稔、金田 千穂子、林 賢二郎、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル Cu 表面上でのC、C2、C2H2 の拡散の第一原理計算による解析
学会名 第74回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
73 発表者 八木 克典, 山田 綾香, 林 賢二郎, 原田 直樹, 塚原 雅宏, 小川 真一, 佐藤 信太郎, 横山 直樹
タイトル CVD グラフェンにおける電界効果移動度のグレインサイズ依存性
学会名 第75回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
72 発表者 池 進一, 志村 洋介, 手塚 勉, 守山 佳彦, 中塚 理, 財満 鎭明
タイトル Ge(001)微細パターニング基板上への局所Ge1-xSnx ヘテロエピタキシャル成長
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
71 発表者 中野 美尚, 高橋 慎, 佐藤 元伸, 周 波, 近藤 大雄, 佐藤 信太郎, 横山 直樹
タイトル NiSi上へのカーボンナノチューブ成長
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
70 発表者 山口 淳一, 林 賢二郎, 佐藤 信太郎, 横山 直樹
タイトル 酸化物保護膜を用いたCVDグラフェン転写法とその有用性の検証
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
69 発表者 中払 周, 飯島 智彦, 小川 真一, 鈴木 真吾, 宮崎久生, 黎松林, 塚越一仁, 佐藤 信太郎, 横山 直樹
タイトル ヘリウムイオン照射されたグラフェンシートの室温における電流のゲート変調
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
68 発表者 山田 綾香, 林 賢二郎, 佐藤 信太郎, 横山 直樹
タイトル 透過電子顕微鏡による島状グラフェンのグレイン分析
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
67 発表者 伊藤 正勝, 佐藤 信太郎, 横山 直樹, クリスチャン ジョアシャン
タイトル GNRFETにおけるリーク電流・移動度トレードオフの量子伝導計算
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
66 発表者 S. Norhidayah, C. M. Yusoff, 富田 基裕, 小瀬村 大亮, 臼田 宏治, 手塚 勉, 小椋 厚志
タイトル SSOI微細構造における異方性応力緩和の膜厚依存性評価
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
65 発表者 右田 真司, 福田 浩一, 森田 行則, 昌原 明植, 太田 裕之
タイトル Si-トンネルFETとSi-MOSFETの電気特性の温度依存性比較
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
64 発表者 富田 基裕, 小瀬村 大亮, 臼田 宏治, 手塚 勉, 小椋 厚志
タイトル 有限要素法による微細構造歪SSOI層の応力緩和に対する膜厚依存性の評価
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
63 発表者 長坂 将也, 富田 基裕, 小瀬村 大亮, 臼田 宏治, 手塚 勉, 小椋 厚志
タイトル EBSP法を用いたSiGe/Siメサ構造における異方性応力緩和評価
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
62 発表者 小瀬村 大亮, 富田 基裕, 臼田 宏治, 手塚 勉, 小椋 厚志
タイトル 微細構造Si1-xGexに印加された異方性応力の加工形状およびGe濃度依存性
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
61 発表者 臼田 宏治, 小瀬村 大亮, 富田 基裕, 小椋 厚志, 手塚 勉
タイトル 高NA、油浸ラマン分光によるメサ分離ひずみSGOI層の異方性ひずみ評価
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
60 発表者 池田 圭司, 小野 瑞城, 小瀬村 大亮, 臼田 宏治, 小田 穣, 上牟田 雄一, 入沢 寿史, 守山 佳彦, 小椋 厚志, 手塚 勉
タイトル 不純物注入レスプロセスにより形成したひずみGeナノワイヤ メタルソース・ドレインpMOSFET (II)
-メタルソース・ドレインによる寄生抵抗低減効果と短チャネルデバイス特性評価-
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
59 発表者 池田 圭司, 小野 瑞城, 小瀬村 大亮, 臼田 宏治, 小田 穣, 上牟田 雄一, 入沢 寿史, 守山 佳彦, 小椋 厚志, 手塚 勉
タイトル 不純物注入レスプロセスにより形成したひずみGeナノワイヤ メタルソース・ドレインpMOSFET (I)
-ひずみGeナノワイヤチャネルのホール移動度特性-
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
58 招待講演
発表者 林 賢二郎, 佐藤 信太郎, 池田 稔, 山田 綾香, 山口 淳一, 金田 千穂子, 横山 直樹
タイトル 「講演奨励賞受賞記念講演」
Cu双晶表面における選択的グラフェンリボン成長
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
57 発表者 佐藤 元伸, 高橋 慎, 中野 美尚, 二瓶 瑞久, 横山 直樹
タイトル スパッタアモルファスカーボンの熱処理により成膜した多層グラフェン配線の電流耐性
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
56 発表者 森田 行則, 森 貴洋, 右田 真司, 水林 亘, 田邊 顕人, 福田 浩一, 昌原 明植, 太田 裕之
タイトル Siエピタキシャル成長を用いたJunction-lastプロセスp-およびn-TFETの形成
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.13, 愛媛大学・松山大学
55 発表者 大嶺 洋,鈴木 佑哉,Darius Zade,角嶋 邦之,Parhat Ahmet,片岡 好則,西山 彰,杉井 信之,筒井 一生,服部 健雄,名取 研二,岩井 洋
タイトル TiN/W構造をゲート電極に用いたLa2O3/In0.53Ga0.47As界面特性の改善
学会名 2012年秋季第73回応用物理学学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.12, 愛媛大学・松山大学
54 発表者 森 貴洋, 福田 浩一, 田邊 顕人, 前田 辰郎, 水林 亘, 大内 真一, 柳 永勛, 昌原 明植, 安田 哲二, 太田 裕之
タイトル TFETにおけるゲートリーク:面/エッジ成分の分離方法
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.12, 愛媛大学・松山大学
53 発表者 池永英司, 室隆桂之, 高嶋明人, 佐藤 元伸, 小川修一, 高桑雄二, 二瓶 瑞久, 横山 直樹
タイトル Co触媒を用いた多層グラフェン生成過程における化学結合状態分析
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.12, 愛媛大学・松山大学
52 発表者 W.Jevasuwan, T.Maeda, T.Yasuda
タイトル Effect of initial Al2O3 ALD treatment on La2O3/InGaAs MIS characteristics
学会名 第74回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
51 発表者 近藤 大雄、林 賢二郎、山口 淳一、曽我 育生、佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル 硬X 光電子分光によるグラフェン上高誘電率ゲート絶縁膜の最適化
学会名 第75回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
50 発表者 川邊 徹平, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二
タイトル カーボンナノチューブを用いた基板貫通放熱ビアの理論的研究
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
49 発表者 高嶋 明人, 大河内 拓雄, 小嗣 真人, 池永 英司, 室 隆桂之, 川端 章夫, 村上 智, 二瓶 瑞久, 横山 直樹
タイトル カーボンナノチューブ成長用Fe/Ti触媒膜における化学状態の温度依存性分析
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
48 発表者 守山 佳彦, 池田 圭司, 上牟田 雄一, 入沢 寿史, 小田 穣, 中村 芳明, 酒井 朗, 手塚 勉
タイトル 薄膜Al2O3/SiO2 BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の作製
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
47 発表者 小池 正浩, 上牟田 雄一, 手塚 勉
タイトル Pとカルコゲン(S, Se, Te) 導入によるNiGe/Ge 接合のショットキーバリアハイト変調
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
46 発表者 二瓶 瑞久, 中野 美尚, 高橋 慎, 小嗣 真人, 大河内 拓雄, 室 隆桂之, 横山 直樹
タイトル 低電流スイッチングするAFM探針/TiO2/Ti積層膜の構造解析
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
45 発表者 上牟田 雄一, 池田 圭司, 小田 穣, 守山 佳彦, 手塚 勉
タイトル プラズマ酸化とALDにより形成した高移動度HfAlO/GeOx/Ge p-MISFET
学会名 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.9.11, 愛媛大学・松山大学
44 発表者 J.Tominaga, J.P.Fons, A.Kolobov
タイトル Wien2K Calculations of [(GeTe)x(Sb2Te3)y]z Topological Insulators
学会名 19th WIEN2k WORKSHOP
主催者 Waseda Univ.
開催日,場所 2012.9.7, Waseda Univ.
43 発表者 K.Fukuda, T.Mori, W.Mizubayashi, Y.Morita, A.Tanabe, M.Masahara, T.Yasuda, S.Migita, H.Ota
タイトル On the nonlocal modeling of tunnel-FETs ~ Device and Compact models ~
学会名 The International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
主催者 SISPAD
開催日,場所 2012.9.5, Denver, Colorado, USA
42 発表者 M.Tomita, D.Kosemura, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
タイトル Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy
学会名 23rd International Conference on Raman Spectroscopy (ICORS 2012)
主催者 Indian Institute of Science, Bangalore
開催日,場所 2012.8.12, Bangalore,India
41 招待講演
発表者 長汐晃輔,鳥海明
タイトル 金属電極直下のグラフェンは本当にグラフェンか?
学会名 筑波大学プレ戦略イニシアティブ講演会
主催者 筑波大学
開催日,場所 2012.8.7, 筑波大学
40 招待講演
発表者 池田 圭司、小野 瑞城、小瀬村 大亮、臼田 宏治、小田 穣、上牟田 雄一、入沢 寿史、守山 佳彦、小椋 厚志、手塚 勉
タイトル 不純物注入レスプロセスにより形成したメタルソース・ドレイン構造を有するひずみGe nanowire pMOSFETの高移動度および低寄生抵抗特性の実証
学会名 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第151回 研究集会
主催者 応用物理学会
開催日,場所 2012.8.3, 東京
39 招待講演
発表者 K.Tsukagoshi, H.Miyazaki, S.-L.Li, A.A.Ferreira, S.Nakaharai
タイトル Gate tunable tunneling transport in bilayer graphene
学会名 3rd Workshop on Nanocarbon Photonics and Optoelectronics (NPO2012)
主催者 University of Eastern Finland
開催日,場所 2012.7.31, Polvijarvi, Finland
38 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル CVD sysnthesis of graphene and its application to transistors
学会名 2012 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'12)
主催者 つくばナノテク拠点産学独連携人材育成プログラム
開催日,場所 2012.7.27, 茨城県つくば市
37 招待講演
発表者 長汐晃輔, 鳥海明
タイトル Is Graphene Contacting Metal Still Graphene?
学会名 新世代研究所ナノカーボン研究会
主催者 新世代研究所
開催日,場所 2012.7.23, 山形
36 招待講演
発表者 J.Tominaga, J.P.Fons, A.Kolobov
タイトル Room temperature magnetoresistance from phase-change memory
学会名 WUN-SPIN 2012
主催者 The University of Sydney
開催日,場所 2012.7.23, Sydney, Australia
35 招待講演
発表者 小高 貴浩
タイトル AFMによる超格子相変化膜の電気特性
学会名 ナノプローブテクノロジ167委員会第67回研究会
主催者 学振167委員会
開催日,場所 2012.7.18, 茨城県つくば市
34 招待講演
発表者 J.P.Fons, T.Matsunaga, A.Kolobov, M. Krbal, J.Tominaga, N. Yamada
タイトル Order and Disorder in Ge-rich(GeTe)x(Sb2Te3)1-x Alloy: Views from different length scales
学会名 EPCOS 2012
主催者 EPCOS SYMPOSIUM COMMITTEE
開催日,場所 2012.7.10, Tampere, Finland
33 発表者 S.Soeya and T.Shintani
タイトル Study on Structure of GeTe Layer in GeTe/Sb2Te3 Superlattice Film
学会名 EPCOS 2012
主催者 EPCOS SYMPOSIUM COMMITTEE
開催日,場所 2012.7.9, Tampere, Finland
32 発表者 S.Soeya, T.Odaka, T.Shintani, J.Tominaga
タイトル Low-Power Switching in Phase Change Memory using SnTe/Sb2Te3 Superlattice Film
学会名 EPCOS 2012
主催者 EPCOS SYMPOSIUM COMMITTEE
開催日,場所 2012.7.9 Tampere, Finland
31 発表者 J.H.Richter, M.Krbal, A.Kolobov, J.P.Fons, S.Wang, K.Mitrofanov, R.Simpson, J.Tominaga, H.Ohsawa, M. Suzuki
タイトル Nanometer Resolution XANES Imaging of Individual PC-RAM Devices
学会名 EPCOS 2012
主催者 EPCOS SYMPOSIUM COMMITTEE
開催日,場所 2012.7.9, Tampere, Finland
30 招待講演
発表者 J.Tominaga, A.Kolobov, J.P.Fons, M.Hase, S.Murakami
タイトル Unusual Magnetic Properties in Interfacial Phase-change Memory
学会名 EPCOS 2012
主催者 EPCOS SYMPOSIUM COMMITTEE
開催日,場所 2012.7.9, Tampere, Finland
29 招待講演
発表者 K.Tsukagoshi
タイトル Gate-tunable property control in graphene channel
学会名 The Nineteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD’12)
主催者 The Japan Society of Applied Physics
開催日,場所 2012.7.6, Kyoto
28 招待講演
発表者 佐藤 信太郎、横山 直樹
タイトル グラフェンの大面積CVD合成とトランジスタへの応用
学会名 第76回 半導体・集積回路技術シンポジウム
主催者 電気化学会 電子材料委員会
開催日,場所 2012.7.6, 神奈川県平塚市
27 招待講演
発表者 D.Kondo, S.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Electrical Properties of The Composite Structure Consisting of Multi-Layer Graphene and Multi-Walled Carbon Nanotubes
学会名 IUMRS-ICYRAM
主催者 MRS Singapore
開催日,場所 2012.7.1, Singapore
26 招待講演
発表者 S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka
タイトル Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics
学会名 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
主催者 The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE)
開催日,場所 2012.6.28, Okinawa
25 招待講演
発表者 入沢 寿史、小田 穣、手塚 勉
タイトル 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性
学会名 応用物理学会Siテクノロジー分科会第149回研究集会
主催者 応用物理学会Siテクノロジー分科会、電子情報通信学会SDM研究会
開催日,場所 2012.6.21, 名古屋
24 招待講演
発表者 T.Mori
タイトル Si-based Tunnel Field-Effect Transistors
学会名 Device Research Conference
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.17, The Pennsylvania State University, USA
23 発表者 K.Ikeda, M.Ono, D.Kosemura, K.Usuda, M.Oda, Y.Kamimuta, T.Irisawa, Y.Moriyama, A.Ogura, T.Tezuka
タイトル High-mobility and Low-parasitic Resistance Characteristics in Strained Ge Nanowire pMOSFETs with Metal Source/Drain Structure Formed by Doping-free Processes
学会名 2012 Symposium on VLSI Technology
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.14, Honolulu, USA
22 発表者 S.Migita, K.Fukuda, Y.Morita, H.Ota
タイトル Experimental Demonstration of Temperature Sensitivity of Si-Tunnel FETs over Si-MOSFETs
学会名 Silicon Nanoelectronics Workshop 2012
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.10, Honolulu, USA
21 発表者 O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka and S. Zaima
タイトル GeSn Alloy for Nanoelectronic and Optoelectronic Devices
学会名 CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
主催者 CNSE and JSPS
開催日,場所 2012.6.8, Albany, USA
20 発表者 T. Asano, S. Kidowaki, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
タイトル Epitaxial Growth and Characterization of GeSn Layers on Ge(110) and Si(110) Substrates
学会名 CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
主催者 CNSE and JSPS
開催日,場所 2012.6.8, Albany, USA
19 発表者 Y.Moriyama, K.Ikeda, Y.Kamimuta, M.Oda, T.Irisawa, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka
タイトル Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers
学会名 6th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2012 ISTDM)
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.6, Berkeley, USA
18 発表者 O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, and S. Zaima
タイトル Material properties and applications of Ge1-xSnx alloys for Ge Nanoelectronics
学会名 6th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2012 ISTDM)
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.5, Berkeley, USA
17 招待講演
発表者 T. Asano, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
タイトル Epitaxial Growth and Anisotropic Strain Relaxation of Ge1-xSnx Layers on Ge(110) Substrates
学会名 6th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2012 ISTDM)
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.5, Berkeley, USA
16 発表者 Y.Kamimuta, K.Ikeda, M.Oda, Y.Moriyama, T.Tezuka
タイトル 0.8nm EOT and High Hole Mobility of Ge p-MISFETs using HfAlO/GeOx/Ge Gate Stacks Formed by Plasma Oxidation and Atomic Layer Deposition
学会名 6th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2012 ISTDM)
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.5, Berkeley, USA
15 発表者 M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, T.Murakami, A.Kawabata, M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Multi-layer Graphene Wire Grown by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
学会名 International Interconnect Technology Conference (IITC 2012)
主催者 IEEE Electron Devices Society
開催日,場所 2012.6.4, San Jose, USA
14 発表者 K.Usuda, T.Tezuka, D.Kosemura, M.Tomita, A.Ogura
タイトル Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method
学会名 6th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (2012 ISTDM)
主催者 IEEE
開催日,場所 2012.6.4, Berkeley, USA
13 招待講演
発表者 J.Tominaga
タイトル Entropy-controlled phase-change Memory
学会名 12th International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Microelectronics
主催者 Kyoto Univ.
開催日,場所 2012.5.29, Kyoto, Japan
12 発表者 M.Koike, Y.Kamimuta, T.Tezuka
タイトル Schottky Barrier Height Modulation of NiGe/Ge Junction by P and Chalcogen (S, Se, or Te) Co-introduction for Metal Source/Drain Ge nMOSFETs
学会名 12th International Workshop on Junction Technology
主催者 IEEE EDS
開催日,場所 2012.5.16, Shanghai, China
11 発表者 A.A.Ferreira, H.Miyazaki, S.-L.Li, K.Komatsu, H.Song, K.Tsukagoshi
タイトル Bilayer graphene p-n junction with a gradient dielectric top-gate
学会名 8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation(INC8)
主催者 INC8 Global Committee
開催日,場所 2012.5.10, AIST, Japan
10 発表者 K.Hayashi, S.Sato, M.Ikeda (Fujitsu), C.Kaneda (Fujitsu), N.Yokoyama
タイトル Selective CVD graphene growth on Cu catalyst surface
学会名 8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation(INC8)
主催者 INC8 Global Committee
開催日,場所 2012.5.8, AIST, Japan
9 発表者 X.Wang, M.Krbal, P.Fons, J.Richter, A.V.Kolobov, J.Tominaga, N.Ikeda(NIMS), Y.Sugimoto(NIMS), H.Osawa(Spring-8)
タイトル Fabrication and Measurement of Planar Phase Change Memory Cells Based on Super-lattice and Composite Phase Change Material
学会名 2012 MRS Spring Meeting and Exhibit
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.12, San Francisco, USA
8 発表者 J.H.Richter, J.Tominaga, P.Fons, A.B.Kolobov, M.Krbal, X.Wang, R.E.Simpson
タイトル Nanometer Resolution XANES Imaging of Individual PC-RAM Devices
学会名 2012 MRS Spring Meeting and Exhibit
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.12, San Francisco, USA
7 発表者 M.Sato, M.Takahashi, T.Murakami, H.Nakano, A.Kawabata, T.Muro(JASRI), Y.Takakuwa(Tohoku Univ.), M.Nihei, N.Yokoyama
タイトル Oriented Multi-layer Graphene Grown Directly on SiO2 Dielectric Film by Annealing Sputtered Amorphous Carbon with a Co Catalyst
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.12, San Francisco, USA
6 発表者 J.Tominaga, J..P..Fons, A.Kolobov, T.Shintani, M.Hase
タイトル Magnetic Properties from Interfacial Phase-change Memory
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.11, San Francisco, USA
5 発表者 H.Miyazaki, S.-L.Li, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
タイトル Unipolar field effect transistor based on bilayer graphene with periodic potential modulation
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.10, San Francisco, USA
4 発表者 T.Moriyama, K.Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
タイトル Electrical transport properties of graphene in contact with Ni
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.10, San Francisco, USA
3 発表者 A.Yamada, K.Hayashi, K.Yagi, N.Harada, S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Dependence of graphene grain sizes and orientations on CVD growth conditions
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.10, San Francisco, USA
2 招待講演
発表者 J.Tominaga, J..P..Fons, A.Kolobov, T.Shintani, M.Hase
タイトル Room Temperature Giant Magnetoresistivity and Magnetoreflection from Interfacial Phase-change Memory [(GeTe)x(Sb2Te3)y]z
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.10, San Francisco, USA
1 招待講演
発表者 S.Sato, N.Yokoyama
タイトル Toward application of graphene to transistors: CVD growth, nanoribbon formation, and electrical properties
学会名 2012 MRS Spring Meeting
主催者 Materials Research Society
開催日,場所 2012.4.10, San Francisco, USA
*:招待講演